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杜文娜
作品数:
6
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供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
环境科学与工程
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
杨涛
中国科学院半导体研究所
杨晓光
中国科学院半导体研究所
王占国
中国科学院半导体研究所
罗帅
中国科学院半导体研究所
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2015
3篇
2014
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6
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直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法
一种直接在si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法,包括如下步骤:将一衬底放入有机溶液中超声清洗;将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀;将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中,将衬底第一次升温后稳定一预定时间;将...
杜文娜
杨晓光
王小耶
杨涛
王占国
文献传递
Si衬底上自催化生长InAs/InSb异质结纳米线
InSb作为最重要的n-型Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体之一,是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中电子迁移率最高、电子有效质量最小、朗德g因子最大的半导体材料.目前基于硅材料的CMOS技术很难突破600 GHz的器件速度瓶颈,而采用具有高迁移率...
杜文娜
王小耶
杨晓光
杨涛
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法,包括如下步骤:步骤1:将一衬底放入有机溶液中超声清洗;步骤2:将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀;步骤3:将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中,将衬底第一次升温...
杨涛
杜文娜
杨晓光
王小耶
季祥海
王占国
文献传递
硅衬底上InAs/GaSb核壳异质结阵列纳米线生长
准一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性,在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等领域有广阔的应用前景1.在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中,InAs具有高的电子载流子迁移率、小的电子有效质量,因此是研制高性能场效应...
季祥海
杜文娜
杨晓光
罗帅
杨涛
关键词:
纳米线
异质结
MOCVD
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法,包括如下步骤:步骤1:将一衬底放入有机溶液中超声清洗;步骤2:将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀;步骤3:将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中,将衬底第一次升温...
杨涛
杜文娜
杨晓光
王小耶
季祥海
王占国
硅衬底上InGaAs/GaSb异质结纳米线自催化生长
王小耶
杨晓光
杜文娜
杨涛
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