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杜文娜

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：环境科学与工程电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 3篇专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 5篇衬底
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 3篇自催化
  • 3篇核子
  • 3篇INASSB
  • 3篇催化
  • 2篇硅衬底
  • 2篇硅基
  • 2篇SI衬底
  • 2篇衬底温度
  • 1篇异质结
  • 1篇体质量
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体质量
  • 1篇核壳
  • 1篇GASB
  • 1篇INAS
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇INSB

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇杨晓光
  • 6篇杨涛
  • 6篇杜文娜
  • 3篇王占国
  • 1篇罗帅

传媒

  • 2篇第13届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 3篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法
一种直接在si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，包括如下步骤：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；将...
杜文娜杨晓光王小耶杨涛王占国
文献传递
Si衬底上自催化生长InAs/InSb异质结纳米线
InSb作为最重要的n-型Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体之一,是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中电子迁移率最高、电子有效质量最小、朗德g因子最大的半导体材料.目前基于硅材料的CMOS技术很难突破600 GHz的器件速度瓶颈,而采用具有高迁移率...
杜文娜王小耶杨晓光杨涛
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温...
杨涛杜文娜杨晓光王小耶季祥海王占国
文献传递
硅衬底上InAs/GaSb核壳异质结阵列纳米线生长
准一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性,在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等领域有广阔的应用前景1.在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中,InAs具有高的电子载流子迁移率、小的电子有效质量,因此是研制高性能场效应...
季祥海杜文娜杨晓光罗帅杨涛
关键词：纳米线异质结MOCVD
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温...
杨涛杜文娜杨晓光王小耶季祥海王占国
硅衬底上InGaAs/GaSb异质结纳米线自催化生长
王小耶杨晓光杜文娜杨涛
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