杨晓光
- 作品数：29 被引量：14H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学电气工程理学更多>>
- 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法
- 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点...
- 王科范杨晓光杨涛王占国
- 文献传递
- 1.3μm半导体量子点激光器的研究进展被引量：14
- 2020年
- 由于半导体量子点具有很强的三维量子限制效应,量子点(QD)激光器展现出低阈值电流、高调制速率、高温度稳定、低线宽增强因子和高抗反射等优异性能,有望在未来高速光通信及高速光互连等领域有重要的应用。同时,量子点结构具有对位错不敏感的特性,使得量子点激光器成为实现硅光集成所迫切需求的高效光源强有力候选者。先简要综述1.3μm半导体量子点激光器的研究进展,再着重介绍GaAs基量子点激光器在阈值电流密度、温度稳定性、调制速率和抗反射特性等方面展示出的优异特性,最后对在切斜Si衬底和Si(001)衬底上直接外延生长的量子点激光器进行介绍。
- 吕尊仁张中恺王虹丁芸芸杨晓光杨晓光柴宏宇杨涛
- 关键词：激光器半导体激光器量子点硅基阈值电流
- 一种硅光耦合结构
- 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层...
- 汪帅杨涛杨晓光吕尊仁孟磊柴宏宇王胜林
- 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
- 一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层；步骤4：在锑层上依次生长多...
- 杨晓光杨涛
- 文献传递
- 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法
- 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点...
- 王科范杨晓光杨涛王占国
- 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法
- 一种直接在si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法，包括如下步骤：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；将...
- 杜文娜杨晓光王小耶杨涛王占国
- 文献传递
- 硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法
- 本发明提供了一种硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法。异质结垂直纳米线阵列包括：Si(111)衬底；掩膜层，生长于Si(111)衬底上，掩膜层制备有纳米孔阵列；InAs(Sb)核纳米线层，由...
- 杨涛季祥海杨晓光
- 文献传递
- 硅衬底上InAs/GaSb核壳异质结阵列纳米线生长
- 准一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性,在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等领域有广阔的应用前景1.在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中,InAs具有高的电子载流子迁移率、小的电子有效质量,因此是研制高性能场效应...
- 季祥海杜文娜杨晓光罗帅杨涛
- 关键词：纳米线异质结MOCVD
- 高温工作量子点激光器
- 信息技术的高速发展极大促进了人类社会的进步，成为第四次工业革命的重要驱动力。作为信息技术的重要载体和基础设施，数据中心的发展受到了高能耗问题的制约。在高温弱制冷环境下，传统激光器的性能将面临极大的挑战，器件的输出特性以及...
- 杨晓光
- Si衬底上自催化生长InAs/InSb异质结纳米线
- InSb作为最重要的n-型Ⅲ-Ⅴ族窄带隙半导体之一,是Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中电子迁移率最高、电子有效质量最小、朗德g因子最大的半导体材料.目前基于硅材料的CMOS技术很难突破600 GHz的器件速度瓶颈,而采用具有高迁移率...
- 杜文娜王小耶杨晓光杨涛
