杨涛
- 作品数：86 被引量：16H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程金属学及工艺理学更多>>
- 分子束外延生长高速直接调制1·3μmInAs/GaAs量子点激光器
- 2011年
- 介绍了分子束外延生长高速直接调制1．3μmInAs／GaAs量子点激光器。通过对量子点的生长温度和堆叠层数的优化研究，外延并制作了有源区包含5层InAs／GaAs量子点的1．3μm脊型波导边发射激光器。输出特性测试结果表明，条宽4μm、腔长600μm的量子点激光器室温阈值电流仅为5mA，激射中心波长位于1293nm，并且可以在10-100℃范同内实现连续激射。大信号调制眼图测试表明，激光器在25℃下可以实现12Gb／s眼图的清晰张开。
- 杨涛季海铭徐鹏飞
- 关键词：直接调制量子点激光器分子束外延
- InGaAs/GaAs量子点红外探测器被引量：1
- 2008年
- 与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因。利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。在77 K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号。
- 马文全杨晓杰种明苏艳梅杨涛陈良惠邵军吕翔
- 关键词：量子点红外探测器垂直入射分子束外延光电流
- 空气对InAs纳米线场效应晶体管性能的影响
- 2015年
- 制备基于单根In As纳米线的平面场效应晶体管纳米器件,测量并研究器件在真空、空气、氮气、氧气、水汽和大气污染成分二氧化氮中的电学特性。与真空中的结果相比,空气中器件的阈值电压向正栅压方向偏移,关态电流上升,开关比下降。空气的主要成分氮气对器件性能没有可分辨的影响;氧气的影响很弱;水汽使关态电流上升,开关比下降,但使阈值电压向负栅压方向偏移。研究表明,大气污染成分二氧化氮使器件的阈值电压向正栅压方向偏移,开关比不变。研究结果表明,空气对器件性能的影响是水汽和二氧化氮共同作用的结果。
- 张昕彤李星王小耶付梦琦杨涛陈清
- 关键词：电学特性气敏
- 铝掺杂氧化锌透明导电薄膜、制备方法及薄膜太阳能电池
- 本公开提供了一种铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法，包括：以二水合乙酸锌为溶质，六水合三氯化铝为掺杂剂，无水乙醇为溶剂，配置先驱液；利用先驱液在衬底上形成薄膜；将薄膜在氮气气氛进行热处理；以及将薄膜在氮气和氢气的合成气氛...
- 孟磊杨涛
- 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法
- 本发明一种高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤4：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量...
- 杨涛季海铭
- 文献传递
- 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面，在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构，从...
- 韩伟华王昊马刘红洪文婷杨晓光杨涛杨富华
- 文献传递
- 基于InAs纳米线的纳米电子器件研究
- InAs 材料有很高的电子迁移率和小的有效质量，在高频器件、红外探测等多个领域都有广泛的应用前景。基于InAs 纳米线的器件在一些方面具有优于现有硅器件的性能，受到人们的关注。本文系统研究了基于单根InAs 纳米线的电子...
- 陈清付梦琦史团伟王小耶杨涛潘东赵建华
- 关键词：纳米线INAS
- 双掺杂量子点有源区外延结构及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种双掺杂量子点有源区外延结构及其制备方法和应用，双掺杂量子点有源区外延结构量子点有源区被配置为周期性的双掺杂量子点叠层结构，量子点有源区包括：周期排列的n型掺杂层以及p型掺杂层；其中，p型掺杂层与所述n型掺...
- 汪帅杨涛吕尊仁
- 文献传递
- 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
- 一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上制备多周...
- 杨涛高凤罗帅季海铭
- 文献传递
- 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
- 一种锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上沉积一锑层；步骤4：在锑层上依次生长多...
- 杨晓光杨涛
- 文献传递
