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陈大正

作品数：147 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 143篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 29篇电气工程
  • 28篇电子电信
  • 6篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 52篇电池
  • 49篇钙钛矿
  • 31篇太阳能电池
  • 28篇晶体管
  • 21篇半导体
  • 20篇太阳能
  • 19篇叠层
  • 19篇太阳电池
  • 19篇SUB
  • 18篇肖特基
  • 17篇探测器
  • 17篇空穴
  • 16篇电极
  • 16篇光电
  • 15篇二极管
  • 14篇电子传输
  • 14篇氧化物半导体
  • 14篇迁移率
  • 14篇金属氧化物半...
  • 13篇衬底

机构

  • 147篇西安电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 147篇陈大正
  • 137篇郝跃
  • 121篇张进成
  • 121篇张春福
  • 28篇习鹤
  • 23篇赵胜雷
  • 15篇许晟瑞
  • 9篇刘志宏
  • 9篇唐诗
  • 8篇李培咸
  • 5篇张金风
  • 5篇王中旭
  • 5篇刘爽
  • 4篇朱丹
  • 4篇吕玲
  • 4篇宁静
  • 3篇游海龙
  • 3篇毕臻
  • 3篇罗莉
  • 3篇张金凤

传媒

  • 1篇第一届新型太...

年份

  • 13篇2024
  • 28篇2023
  • 25篇2022
  • 21篇2021
  • 25篇2020
  • 17篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2015
  • 6篇2014
共 147 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
太阳光盲区肖特基背栅金属氧化物半导体场效应光电晶体管
本发明公开了一种基于转印氧化镓薄膜的肖特基背栅金属氧化物半导体场效应光电晶体管。其包括：包括：多晶硅栅(1)、SiO<Sub>2</Sub>介质层(2)、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜沟道层(...
张春福成亚楠陈大正冯倩张进成郝跃
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一种具有陷光结构的钙钛矿光电探测器及制作方法
本发明公开了一种具有陷光结构的钙钛矿光电探测器及制作方法，包括自下而上依次分布的具有SU8表面纳米陷光阵列的减反层、ITO玻璃衬底、ITO纳米陷光结构、空穴传输层、钙钛矿光活性层、电子传输层，在电子传输层上方设有阴极，在...
毕臻张泽阳张春福陈大正张进成张金凤许晟瑞郝跃
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基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>2+x</Sub>Cl<Sub>1-x</Sub>光活性层的平面钙钛矿太阳能电池及制备方法
本发明公开了一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>2+x</Sub>Cl<Sub>1-x</Sub>光活性层钙钛矿太阳能电池及制备方法，主要解决现有光活性层材料成膜差，平整度和可...
张春福唐诗郝跃汪银花张进成王之哲陈大正
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双面无机半透明CsPbBr<Sub>3</Sub>薄膜钙钛矿太阳电池及其制备方法
本发明涉及一种双面无机半透明CsPbBr<Sub>3</Sub>薄膜钙钛矿太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括透明衬底以及依次层叠在所述透明衬底上的第一光学耦合层、第一金属透明电极、第一传输层、CsPbBr<Sub>3<...
陈大正樊刚张春福朱卫东习鹤张进成郝跃
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一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法，此肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层和钝化层；阳极凹槽，设置于所述缓冲层的上表面，且位于所述缓冲层、所述插入...
赵胜雷朱丹张进成陈大正王中旭刘志宏宁静郝跃
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一种MSM结构的柔性瞬态硅薄膜光电探测器
本发明公开了一种MSM结构的柔性瞬态硅薄膜光电探测器，主要解决现有光电探测器不能同时满足具有柔性以及瞬态可降解特性的问题。其包括柔性衬底层(1)、粘合层(2)、硅薄膜活性层(3)、欧姆接触层(4)、钝化保护层(5)、光减...
张春福陈大正杜丰羽张家祺常晶晶林珍华习鹤张进成郝跃
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低温Si与有机叠层的太阳能电池及制备方法
本发明公开了一种低温Si与有机的叠层太阳能电池，主要解决现有太阳能电池能量转换效率低的问题。其包括阴极(1)、n型硅片基体(2)、p型有机导电薄膜(3)、p型缓冲层(4)、电子传输层(5)、界面修饰层(6)、有机活性层(...
张春福常晶晶陈大正林珍华张倩妮郝跃张进成
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一种大面积图形自对准的异质集成方法
本发明公开了一种大面积图形自对准的异质集成方法，主要解决现有基于转印技术的异质集成工艺会使被转印物之间的位置产生偏差的问题。其实现方案是：在SOI基片上形成微结构硅阵列；刻蚀掉微结构硅阵列以外暴露的埋氧化层；在微结构硅图...
张春福张家祺武毅畅陈大正张进成郝跃
基于AlN势垒层的增强型双向阻断功率器件及制作方法
本发明公开了一种基于AlN势垒层的增强型双向阻断功率器件及制作方法，主要解决现有技术增强型双向阻断功率器件存在的栅电极控制能力差，热稳定性差和工艺复杂的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、势垒层(...
张进成刘爽赵胜雷张雅超刘志宏陈大正段小玲薛军帅郝跃
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高稳定性的全无机CsPbI<Sub>2</Sub>Br钙钛矿薄膜及制备方法
本发明公开了一种高稳定性的全无机CsPbI<Sub>2</Sub>Br钙钛矿薄膜及制备方法，包括处理FTO导电玻璃衬底材料，在FTO导电玻璃衬底上制备TiO<Sub>2</Sub>层；配制反溶剂，将碘化铯、碘化铅、溴化铅...
柴文明朱卫东张春福陈大正张进成郝跃
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