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张春福

作品数：267 被引量：17H指数：3
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 244篇专利
  • 14篇会议论文
  • 9篇期刊文章

领域

  • 54篇电子电信
  • 48篇电气工程
  • 14篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 66篇电池
  • 53篇钙钛矿
  • 42篇太阳能电池
  • 38篇晶体管
  • 36篇电极
  • 32篇光电
  • 29篇SUB
  • 29篇场效应
  • 27篇太阳能
  • 27篇击穿电压
  • 26篇太阳电池
  • 26篇探测器
  • 26篇纳米
  • 26篇半导体
  • 25篇场板
  • 23篇叠层
  • 21篇肖特基
  • 20篇氧化物半导体
  • 20篇势垒
  • 20篇金属氧化物半...

机构

  • 267篇西安电子科技...
  • 5篇青海黄河上游...
  • 4篇青海黄河上游...
  • 4篇国家电投集团...
  • 4篇青海黄河上游...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 267篇张春福
  • 226篇郝跃
  • 159篇张进成
  • 111篇陈大正
  • 62篇冯倩
  • 38篇杜锴
  • 33篇习鹤
  • 32篇代波
  • 31篇韩根全
  • 25篇张进城
  • 21篇马晓华
  • 19篇许晟瑞
  • 17篇汪银花
  • 15篇杜鸣
  • 15篇赵胜雷
  • 14篇郑雪峰
  • 14篇董良
  • 13篇吕玲
  • 13篇唐诗
  • 11篇张金风

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇电子器件
  • 2篇第五届新型太...
  • 1篇Journa...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇第一届新型太...

年份

  • 2篇2024
  • 32篇2023
  • 41篇2022
  • 22篇2021
  • 30篇2020
  • 24篇2019
  • 16篇2018
  • 23篇2017
  • 27篇2016
  • 12篇2015
  • 29篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 5篇2005
共 267 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法
一种基于InAs材料的铁电隧穿场效应晶体管及其制备方法，解决了现有隧穿场效应晶体管导通电流小和亚阈摆幅无法降低的问题。该铁电隧穿场效应晶体管包括：衬底1、源极2、沟道3、漏极4、绝缘电介质薄膜5、内部栅电极6、铁电栅介质...
韩根全张春福彭悦郝跃张进城冯倩
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一种基于有机受体-钙钛矿异质结吸光层的太阳电池
本发明公开了一种基于有机受体‑钙钛矿异质结吸光层的太阳电池，包括：由下至上依次层叠的透明电极层、第一传输层、钙钛矿吸光层、第二传输层和金属电极层；其中，当太阳电池为正型时，第一传输层为用作电子传输层的有机受体吸光层，第二...
陈大正何逸冰党睿张春福朱卫东张泽阳郭其睿张进成郝跃
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氮化镓肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种氮化镓肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有技术漏电流偏大，击穿电压偏低和关态功耗偏大的问题，其自下而上，包括衬底层(1)、氮化镓层(2)和铝镓氮层(3)，铝镓氮层上设有欧姆阴极金属层(6)和钝化介质层(...
张春福陈大正赵化彬赵胜雷张雅超朱卫东张进成郝跃
文献传递
一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管及其制备方法
本发明公开了一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管，包括：异质衬底、N+氧化镓层、阴极、N‑氧化镓层、P型氧化镍层和阳极。本发明为实现高热导率异质衬底支撑的氧化镓器件采用准垂直结构，极大地降低了器件热阻，提高散热能力，有...
张春福刘丁赫张泽雨林赵胜雷陈大正张进成郝跃
基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种基于GaAsN-GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III-V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)、漏极(4)、绝缘电介质(5)和栅电极...
韩根全张春福彭悦汪银花张进城郝跃
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基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法，解决现有III‑V族中红外光电探测器件难以硅基集成和IV族硅、锗探测器探测范围窄的问题。本发明晶体管的集电极区、光吸收区、基极区、发射极区均采用IV族GeSn合金...
韩根全王轶博张春福汪银花张进成郝跃
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低成本高可靠四端CsPbBr<Sub>3</Sub>/Si叠层太阳电池及其制作方法
本发明涉及一种低成本高可靠四端CsPbBr<Sub>3</Sub>/Si叠层太阳电池及其制作方法，该叠层太阳电池包括硅底电池和位于其上的CsPbBr<Sub>3</Sub>钙钛矿顶电池，硅底电池和CsPbBr<Sub>3...
陈大正张春福樊刚朱卫东习鹤刘晨波张进成郝跃
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Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜晶体管的制备方法
本发明公开了一种Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜晶体管的制备方法，主要解决现有技术生长薄膜不均匀，原材料利用率低，反应温度高和制作过程复杂难于控制的问题。其实现方案是：1.配制前体Ga(NO<S...
张春福许育张进成郝跃常晶晶于雪婷吴艺聪张力鑫
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层...
习鹤朱伟佳张春福吕玲曹艳荣
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垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法
本发明公开了一种垂直型半导体器件结构及制作方法。主要解决宽禁带半导体材料、器件高缺陷密度及大功率器件散热的问题。采用立体形三维纳米结构，包括衬底、垂直单晶、外延层、金属层、介质层，其中垂直单晶与衬底表面垂直，外延层与垂直...
郝跃王中林陈军峰张进城张春福
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