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赵胜雷

作品数：124 被引量：8H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：模拟集成电路重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 119篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 51篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 46篇势垒
  • 39篇肖特基
  • 34篇势垒层
  • 31篇二极管
  • 21篇晶体管
  • 18篇氮化镓
  • 18篇肖特基二极管
  • 17篇电极
  • 14篇半导体
  • 14篇成核
  • 13篇功率
  • 12篇击穿电压
  • 12篇沟道
  • 10篇电力
  • 10篇电力电子
  • 10篇电路
  • 10篇肖特基接触
  • 10篇边缘电场
  • 8篇单粒子
  • 8篇导体

机构

  • 124篇西安电子科技...
  • 3篇北京时代民芯...
  • 3篇中国航天北京...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇重庆大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 124篇赵胜雷
  • 117篇郝跃
  • 105篇张进成
  • 39篇刘志宏
  • 28篇刘爽
  • 23篇陈大正
  • 20篇王中旭
  • 17篇马晓华
  • 16篇张春福
  • 15篇朱丹
  • 13篇毛维
  • 10篇陈伟伟
  • 10篇汤国平
  • 9篇许晟瑞
  • 9篇王泽宇
  • 7篇杜鸣
  • 7篇马佩军
  • 6篇张金风
  • 5篇杨翠
  • 4篇艾姗

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 4篇2024
  • 26篇2023
  • 21篇2022
  • 23篇2021
  • 26篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2014
  • 7篇2013
  • 2篇2012
共 124 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有浅超结的P-GaN高电子迁移率晶体管及方法
本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管及方法,具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管从下至上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层；所述势垒层上表面的中部设有P‑GaN层，所述...
赵胜雷张嘎张进成南继澳刘爽宋秀峰王中旭郝跃
二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和...
马晓华郝跃汤国平陈伟伟赵胜雷
文献传递
基于SiO<Sub>2</Sub>电流阻挡层的氮化铝CAVET器件及制作方法
本发明公开了一种基于SiO<Sub>2</Sub>电流阻挡层的氮化铝CAVET器件，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其包括衬底(1)、漂移层(2)、电流阻挡层(3)、n+层(4)、源极(5)、漏极(6)、...
赵胜雷宋秀峰张进成刘爽吴银河边照科张苇杭郝跃
文献传递
一种基于GaN的横向结势垒肖特基二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于GaN横向结势垒肖特基二极管及其制备方法，此势垒肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；P注入区，设置于缓冲层、插入层和势垒层内，位于缓冲层、插入层和势垒...
赵胜雷朱丹张进成张春福王中旭张苇杭吴银河郝跃
文献传递
基于原位生长MIS结构的垂直GaN肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种基于原位生长MIS结构的垂直GaN肖特基二极管，包括衬底，其特征在于，所述衬底的底部设置有阴极，所述衬底的顶部从下至上依次设置有n+层和漂移区，漂移区顶部设置有原位生长的介质层，介质层的顶部设置有阳极。本...
赵胜雷赵杜钧张进成宋秀峰吴银河刘爽李仲扬朱丹郝跃
文献传递
一种基于垂直嵌入式电容的GaN功率模块
本发明公开了一种基于垂直嵌入式电容的GaN功率模块，涉及电力电子技术领域，该功率模块包括：第一基板；与第一基板相对设置的第二基板；位于第一基板与第二基板之间的印刷电路板、第一GaN器件、第二GaN器件和解耦电容；其中，印...
赵胜雷孙雪晶于龙洋张进成郝跃
一种抗单粒子效应的高电子迁移率晶体管及其制备方法
本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种抗单粒子效应的高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；位于势垒层上的源极和漏极，且源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触...
赵胜雷南继澳张进成张嘎宋秀峰刘爽吴风郝跃
一种与GaN HEMT电力电子器件单片集成的CMOS反相器及制备方法
本发明涉及一种与GaN HEMT电力电子器件单片集成的CMOS反相器及制备方法，该CMOS反相器包括：衬底、复合缓冲层、沟道层、复合势垒层、P‑InGaN层、PMOS源电极、PMOS漏电极、PMOS绝缘介质层54、PMO...
刘志宏王泽宇张进成朱肖肖宋昆璐赵胜雷周弘张苇杭段小玲郝跃
用于降低GaN器件寄生电感的水平嵌入式电容PCB布局结构
本发明公开了一种用于降低GaN器件寄生电感的水平嵌入式电容PCB布局结构，涉及功率变换器技术领域，包括：印刷电路板；位于印刷电路板一侧的第一GaN器件和第二GaN器件；水平嵌入于印刷电路板的解耦电容；其中，第一GaN器件...
赵胜雷孙雪晶于龙洋张进成郝跃
横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
本发明公开了一种横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和...
郝跃马晓华汤国平陈伟伟赵胜雷
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