王飞飞
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 可调谐外腔量子点激光器研究
- 魏恒李新坤吴剑吴艳华陈红梅王飞飞金鹏王占国
- 关键词：量子点可调谐激光器外腔
- 掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法
- 本发明提供了一种掩模板、套刻对准方法及制备脊形波导激光器的方法。该掩模板包括：第一条形图案；以及辅助对准窗口，为与所述第一条形图案垂直的条形图案；其中，所述第一条形图案与辅助对准窗口均为透明图案，在曝光之前，通过所述辅助...
- 吴艳华王飞飞胡发杰金鹏王占国
- 文献传递
- 曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制备方法
- 本发明提出采用曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制造方法。其包括衬底和位于衬底上的量子点增益介质，以及波导结构，包括直段部分和弯曲部分，弯曲部分的曲线分别是多项式的一部分、双曲线的一部分、椭圆的一部分。本发明的弯曲...
- 王飞飞吴艳华胡发杰金鹏王占国
- 文献传递
- 大功率短波长InAlGaAs/AlGaAs量子点超辐射发光管被引量：3
- 2016年
- 为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs/AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6A脉冲电流注入下,器件峰值输出功率为29mW,中心波长为880nm,光谱半高宽为20.3nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺对超辐射发光管器件性能的影响。在1.6A脉冲电流注入下,湿法腐蚀制备的器件峰值输出功率仅为7mW。与湿法腐蚀相比,干法刻蚀可以精确控制波导形状和参数,降低波导损耗,有效增大器件输出功率。
- 王飞飞李新坤梁德春金鹏王占国
- 关键词：超辐射发光管自组织量子点干法刻蚀
- 双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟
- 2014年
- 数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减弱,基态强度先增强后减弱;随着放大区腔长的增加,输出光谱中基态强度增加,激发态强度先增加后减弱。超辐射区脊宽越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越大,输出光强度越小。放大区张角越大,逆向光波耦合到超辐射区的耦合系数越小,输出光强度越小。为设计和优化该类型器件结构提供一定的依据。
- 陈红梅安琪吴艳华王飞飞胡发杰李新坤金鹏吴巨王占国
- 关键词：结构参数
- 芯片级铷原子气室的制备被引量：10
- 2015年
- 本文设计了一套技术方案,用于制备量子传感仪表的核心物理组件芯片级铷原子气室,工艺流程包括微小型硅孔容器制备、叠氮化铷(Rb N3)填充、晶圆级气密封装,以及叠氮化铷光照分解等.利用阳极键合技术,通过改进的玻璃/硅片/玻璃三层晶圆气密封装工艺完成了芯片级铷原子池的封装制备.为实现玻璃/硅片/玻璃三层晶圆键合,在完成玻璃/硅片两层晶圆键合后,采用倾斜角度溅射的方法在玻璃/硅片键合结构的背面(即玻璃一面)和侧边镀制了一定厚度的Al金属膜,将电学接触引导至硅片,然后进行第二次阳极键合,以此获得高质量的玻璃/硅片/玻璃三层键合结构.通过显微镜、芯片剪切力测试和He检漏仪等手段对键合结构进行检测分析表明,三层键合结构的两个键合截面均具有良好的键合强度,键合结构的气密性优于2.5×10-8Pa·m3·s-1.完成气密封装后,采用光辐照分解的方法使腔室中的Rb N3分解成Rb和N2,获得了以N2作为缓冲气体的铷原子池.通过透射光谱表明Rb有效地存在于腔室之中,证明了该工艺方案对制备芯片级碱金属原子气室是简便可行的.
- 李新坤王飞飞梁德春金鹏王占国
- 关键词：碱金属阳极键合
