耿斌
- 作品数：29 被引量：121H指数：8
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学航空宇航科学技术更多>>
- 功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法被引量：3
- 2000年
- 根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 。
- 唐本奇王燕萍耿斌陈晓华
- 关键词：功率MOS器件
- 功率MOS器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟被引量：2
- 2000年
- 建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 。
- 唐本奇王燕萍耿斌陈晓华
- 关键词：功率MOS器件
- 用^(252)Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法被引量：7
- 2000年
- 建立了2 5 2 Cf裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁 (SEB)和单粒子栅穿 (SEGR)效应的实验方法和测试装置 ,并利用该装置进行了功率MOS场效应晶体管的SEB、SEGR效应研究 ,给出了被测试器件SEB、SEGR效应的损伤阈值。结果表明 ,该测试系统和实验方法是可行、可靠的。
- 唐本奇王燕萍耿斌陈晓华贺朝会杨海亮
- 关键词：功率MOS器件单粒子烧毁
- 大规模集成电路总剂量效应测试方法初探
- 提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法.在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理.给出了大规模集成电路:静态随机存取存储器(SRAM)、电擦...
- 贺朝会耿斌姚育娟何宝平李永宏彭宏论林东生周辉陈雨生
- 关键词：存储器微处理器总剂量效应大规模集成电路
- 文献传递
- 浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析被引量：14
- 2003年
- 比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的 .在空间辐射环境中 ,不需经常擦写数据的情况下 ,应该选用浮栅ROM器件 .
- 贺朝会耿斌杨海亮陈晓华李国政王燕萍
- 关键词：FLASHROMEEPROMSRAM单粒子效应总剂量效应
- 半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验被引量：7
- 2002年
- 着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法。采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级 ,从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。实验测得静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面为 1 0 -14 cm2· bit-1量级 ,单粒子翻转重离子 LET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,重离子单粒子翻转饱和截面为 1 0 -7cm2·
- 贺朝会耿斌杨海亮陈晓华张正选李国政
- 关键词：加速器质子重离子单粒子效应半导体器件电子系统
- 功率MOS、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究被引量：3
- 2001年
- 建立了利用2 52 Cf裂片源 ,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置 ,开展了功率 MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究 ,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值 。
- 唐本奇王燕萍耿斌
- 关键词：电子系统抗辐射功率MOS器件单粒子烧毁
- LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析被引量：8
- 1999年
- 本文提出了一种新型的内置ＦＲ／ＪＴＥ横向ＤＭＯＳ结构，并对其进行了耐压分析，结果表明，该结构具有与ＲＥＳＵＲＦ器件相媲美的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，相对于内场限环结构，其耐压高且导通电阻低。
- 唐本奇罗晋生耿斌李国政
- 关键词：LDMOS晶体管LDMOST耐压分析
- 静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究被引量：13
- 2002年
- 应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52
- 贺朝会耿斌王燕萍杨海亮张正选陈晓华李国政路秀琴符长波赵葵郭继宇张新
- 关键词：静态随机存取存储器重离子加速器锎252辐射源
- 真空和辐射环境下的高低温系统
- 2004年
- 研究了在一定真空度(1Pa左右)和辐照环境(裂变碎片104s-1,中子104s-1)中获得高低温的方法,特别是低温(-55～20℃)的实现技术。研制出适应于锎源辐照测量系统的高低温装置及测量控制系统,温度范围:-100～125℃,控制精度:高温±1℃,低温±3℃。应用该系统开展了半导体存储器的重离子单粒子翻转截面随温度变化关系的研究,在国内首次得到了重离子单粒子翻转截面随温度变化的关系曲线。
- 贺朝会耿斌惠卫东黄芳王燕萍李国政
- 关键词：单粒子翻转辐射环境
