李国政
- 作品数：34 被引量：127H指数：8
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金国防科技工业技术基础科研项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信航空宇航科学技术核科学技术更多>>
- LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析被引量：8
- 1999年
- 本文提出了一种新型的内置ＦＲ／ＪＴＥ横向ＤＭＯＳ结构，并对其进行了耐压分析，结果表明，该结构具有与ＲＥＳＵＲＦ器件相媲美的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，相对于内场限环结构，其耐压高且导通电阻低。
- 唐本奇罗晋生耿斌李国政
- 关键词：LDMOS晶体管LDMOST耐压分析
- 中子射入硅器件中引起的单粒子反转截面的计算
- 本文考虑了14MeV 中子与硅反应的主要反应道,利用蒙特卡罗方法对中子入射到硅片元器件中引起的单粒子效应进行了研究,计算了反转截面。引言单粒子反转效应的研究是抗辐射加固的一项课题,是为了解决在辐射环境中工作的电子元器件记...
- 李华李国政李原春
- 文献传递
- 高能质子单粒子翻转效应的模拟计算被引量：14
- 2002年
- 在分析质子与硅反应的基础上 ,提出质子单粒子翻转截面理论计算模型 ,建立了模拟计算方法 .计算得到了不同能量的高能质子在存储单元的灵敏区内沉积的能量 .指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量 ,产生电荷 ,导致单粒子效应 ,得到了单粒子翻转截面与质子能量以及随临界电荷变化的关系 .并将计算得到的单粒子翻转截面与实验数据进行了比较 .
- 贺朝会陈晓华李国政
- 关键词：高能质子单粒子翻转MONTECARLO模拟半导体器件航天器
- ^(252)Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统和应用被引量：1
- 2002年
- 描述了新建的2 52 Cf源模拟空间单粒子效应辐照在线测量系统 。
- 王燕萍唐本奇李国政贺朝会陈晓华
- 关键词：单粒子效应宇宙射线辐照效应在线测量系统
- 利用加速器重离子进行SRAM单粒子效应的研究
- 报道了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的研究，给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转截面随线性能量传输值(LET)的变化关系曲线。
- 张正选李国政陈晓华罗晋生巩玲华姬琳
- 关键词：串列静电加速器重离子静态随机存储器SRAM
- 空间辐射效应模拟实验装置及其应用
- 空间辐射对卫星和航天器上的电子器件,线路乃至微机等辐照引起的效应是卫星和航天器发生故障的主要原因之一。随着航天事业的发展,这个问题愈来愈引起人们的重视。为卫星抗辐射加固技术研究的需要,我们建成了空间辐射效应模拟实验装置,...
- 李国政梁春湖王燕萍王普王岩冰朱彤
- 文献传递
- 浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析被引量：14
- 2003年
- 比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的 .在空间辐射环境中 ,不需经常擦写数据的情况下 ,应该选用浮栅ROM器件 .
- 贺朝会耿斌杨海亮陈晓华李国政王燕萍
- 关键词：FLASHROMEEPROMSRAM单粒子效应总剂量效应
- 半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验被引量：7
- 2002年
- 着重描述了应用加速器开展半导体器件的单粒子效应实验研究的方法。采用金箔散射法可以降低加速器束流几个量级 ,从而满足半导体器件单粒子效应实验的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的质子注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。实验测得静态随机存取存储器的质子单粒子翻转截面为 1 0 -14 cm2· bit-1量级 ,单粒子翻转重离子 LET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,重离子单粒子翻转饱和截面为 1 0 -7cm2·
- 贺朝会耿斌杨海亮陈晓华张正选李国政
- 关键词：加速器质子重离子单粒子效应半导体器件电子系统
- 镍的^(14)MeV中子反应分截面测量
- 1990年
- 用活化法测量了^(58)Ni(n,2n)^(57)Ni反应截面和^(58)Ni(n,p)^(55m)Co,^(58)Ni(n,p)^(58g)Co,^(58)Ni(n,p)^(58m+g)Co反应分截面,入射中子能量为14.10MeV和14.62MeV,所得结果与已有数据作了比较,首次给出了^(58m)Co和^(58g)Co产生分截面的数据.
- 李国政姜景和
- 关键词：镍中子截面
- 质子和中子引起的单粒子效应及其等效关系理论模拟被引量：8
- 2001年
- 根据器件几何尺寸、掺杂浓度、偏压等因素确定灵敏体积和临界电荷 ,从而提出单粒子效应的物理模型。考虑了质子和中子在硅中的弹性散射、非弹性散射、两体反应、多体反应以及质子的库仑散射等所有相互作用类型 ,采用蒙特卡罗方法模拟跟踪入射粒子与核的相互作用以及各种次级带电粒子和反冲核的能量沉积过程。采用Ziegler的拟合公式精确计算质子、α粒子、氘核、反冲核等带电离子的能量沉积。根据模拟结果确定了两种粒子引起的单粒子效应等效系数 ,并将模拟结果与实验数据进行了对比。
- 杨海亮李国政李原春姜景和贺朝会唐本奇
- 关键词：质子中子单粒子效应蒙特卡罗方法航天器宇宙射线
