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陈晓华

作品数:34 被引量:97H指数:8
供职机构:西安交通大学电子与信息工程学院更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金国防科技工业技术基础科研项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 24篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 3篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 9篇电子电信
  • 7篇航空宇航科学...
  • 7篇理学
  • 6篇自动化与计算...
  • 6篇核科学技术
  • 2篇天文地球
  • 1篇电气工程
  • 1篇政治法律
  • 1篇语言文字

主题

  • 17篇单粒子
  • 15篇单粒子效应
  • 8篇质子
  • 6篇存储器
  • 5篇重离子
  • 5篇总剂量
  • 4篇中子
  • 4篇总剂量效应
  • 4篇加速器
  • 4篇功率MOS器...
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体器件
  • 4篇ROM
  • 4篇FLASH
  • 3篇只读存储器
  • 3篇辐照效应
  • 3篇闭锁
  • 3篇SRAM
  • 3篇CPU
  • 2篇单粒子翻转

机构

  • 27篇西北核技术研...
  • 12篇西安交通大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 34篇陈晓华
  • 24篇贺朝会
  • 19篇李国政
  • 17篇耿斌
  • 16篇杨海亮
  • 16篇王燕萍
  • 5篇唐本奇
  • 4篇张正选
  • 3篇罗晋生
  • 3篇刘恩科
  • 2篇巩玲华
  • 2篇张前美
  • 2篇姬琳
  • 2篇彭宏论
  • 2篇李子竞
  • 1篇姜景和
  • 1篇龚建成
  • 1篇周辉

传媒

  • 7篇核电子学与探...
  • 3篇强激光与粒子...
  • 3篇原子能科学技...
  • 2篇物理学报
  • 2篇计算物理
  • 2篇第九届全国核...
  • 2篇第六届全国抗...
  • 1篇空间科学学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇核技术
  • 1篇计算机应用
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国空间科学...
  • 1篇电力学报
  • 1篇第三届计算物...
  • 1篇第9届全国核...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2003
  • 9篇2002
  • 2篇2001
  • 9篇2000
  • 4篇1999
  • 3篇1998
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
FLASH ROM的14MeV中子辐照实验研究
文中给出了国内首次FLASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现28F256A的14MeV中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值,当中子注量小于某一个值时,无...
贺朝会陈晓华王燕萍姬琳李国政
关键词:中子辐照效应
文献传递
浮栅ROM器件的辐射效应实验研究被引量:10
2003年
浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应实验结果表明 ,其 31.9MeV质子和 14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应 ,而是一种总剂量效应 .浮栅ROM器件的6 0 Coγ辐照实验验证了这一点 .器件出现错误有个注量或剂量阈值 .动态监测和静态加电的器件都出现数据错误 ,且不能用编程器重新写入数据 .然而不加电的器件在更高注量的质子或中子或更高剂量的γ辐照下未出现错误 .器件刚开始出错时 ,错误数及错误地址都是不确定的 .
贺朝会耿斌杨海亮陈晓华王燕萍李国政
关键词:单粒子效应总剂量效应只读存储器
利用加速器重离子进行SRAM单粒子效应的研究
报道了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的研究,给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转截面随线性能量传输值(LET)的变化关系曲线。
张正选李国政陈晓华罗晋生巩玲华姬琳
关键词:串列静电加速器重离子静态随机存储器SRAM
论上市公司内部治理的法律完善
该文着眼于中国上市公司治理的实际,以中国公司法律制度中公司内部治理体系所存在的立法缺陷为切入点,针对公司内部治理的核心问题即内部监督问题,探讨如何完善中国上市公司股东大会制度、董事会制度、监事会制度等公司治理法律制度.该...
陈晓华
关键词:上市公司公司治理法律完善
文献传递
浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析被引量:14
2003年
比较了浮栅ROM和SRAM的中子、质子和γ辐射效应的异同 ,分析了其不同的原因 .与SRAM相比 ,浮栅ROM器件出错时的 14MeV中子注量阈值高 5个量级 ;31.9MeV质子注量阈值高 4个量级 ;总剂量损伤阈值相差不大 ,都在 10 4rad(Si)量级左右 .这些都是由二者存储单元的结构和辐射效应机制决定的 .在空间辐射环境中 ,不需经常擦写数据的情况下 ,应该选用浮栅ROM器件 .
贺朝会耿斌杨海亮陈晓华李国政王燕萍
关键词:FLASHROMEEPROMSRAM单粒子效应总剂量效应
功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟被引量:2
1999年
建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法, 对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和PSPICE模拟,模拟结果与文献中提供的数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。
唐本奇王燕萍耿斌陈晓华杨海亮
关键词:功率MOS器件电路模拟PSPICE模拟电路模型
聚3,4-乙撑二氧噻吩的合成及性能研究
陈晓华
利用加速器提供的重离子进行SRAM单粒子效应研究被引量:3
2000年
报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转截面随线性能量转移值的变化关系曲线。
张正选李国政罗晋生陈晓华姬琳王燕萍巩玲华
关键词:单粒子效应重离子SRAM
重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究被引量:2
2002年
应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻转截面随累积剂量的增加而增大。在实验中把存储单元中的数据相反 ,会使器件的单粒子翻转截面恢复到未经 60 Coγ源辐照时的水平 ,甚至更低 。
贺朝会耿斌王燕萍彭宏论杨海亮陈晓华李国政
关键词:重离子Γ辐照半导体器件钴60单粒子效应
静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究被引量:13
2002年
应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4~ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52
贺朝会耿斌王燕萍杨海亮张正选陈晓华李国政路秀琴符长波赵葵郭继宇张新
关键词:静态随机存取存储器重离子加速器锎252辐射源
共4页<1234>
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