贺朝会
- 作品数：163 被引量：280H指数：11
- 供职机构：西安交通大学能源与动力工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 应用中国散裂中子源9号束线端研究65 nm微控制器大气中子单粒子效应被引量：6
- 2019年
- 采用设置和不设置镉中子吸收体两种方式,利用中国散裂中子源9号束线(CSNS-BL09)对65 nm微控制器进行了大气中子单粒子效应辐照测试.测试中探测到的效应主要为单位翻转.测试结果表明,对于该款微控制器,热中子引起的中子单粒子翻转占比约65%;进一步分析表明,热中子与10B反应产生的0.84 MeV7Li可能是诱发微控制器单粒子翻转的主要因素.
- 胡志良杨卫涛胡志良李洋李永宏王松林贺朝会于全芝王松林谢飞周斌梁天骄
- 关键词：热中子中国散裂中子源
- 数字锁相环的单粒子瞬态效应仿真设计
- 本文分析了数字锁相环(Digital Phase Locked Loop,DPLL)各构成模块工作原理,利用Verilog 语言进行了数字锁相环设计,基于Questasim 软件进行了数字锁相环的仿真验证。设计故障注入模...
- 杨卫涛贺朝会杜雪成樊云云袁媛
- 关键词：VERILOG
- 4MeV Kr离子辐照对6H-SiC力学性能影响的研究
- <正>碳化硅（SiC）及其复合材料因其良好的力学性能、高温稳定性、低感生放射性及高热导率使其成为核能系统中重要的结构材料,因此利用重离子模拟中子在SiC材料中的辐照损伤,研究不同辐照温度下,高损伤辐照实验后SiC力学性能...
- 臧航贺朝会杨涛郭达禧王志光申铁龙
- 文献传递
- FLASH ROM的14MeV中子辐照实验研究
- 文中给出了国内首次FLASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现28F256A的14MeV中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值,当中子注量小于某一个值时,无...
- 贺朝会陈晓华王燕萍姬琳李国政
- 关键词：中子辐照效应
- 文献传递
- 浮栅ROM器件的辐射效应实验研究被引量：10
- 2003年
- 浮栅ROM器件的质子和中子辐射效应实验结果表明 ,其 31.9MeV质子和 14MeV中子的辐射效应不是单粒子效应 ,而是一种总剂量效应 .浮栅ROM器件的6 0 Coγ辐照实验验证了这一点 .器件出现错误有个注量或剂量阈值 .动态监测和静态加电的器件都出现数据错误 ,且不能用编程器重新写入数据 .然而不加电的器件在更高注量的质子或中子或更高剂量的γ辐照下未出现错误 .器件刚开始出错时 ,错误数及错误地址都是不确定的 .
- 贺朝会耿斌杨海亮陈晓华王燕萍李国政
- 关键词：单粒子效应总剂量效应只读存储器
- 大规模集成电路总剂量效应测试方法初探被引量：27
- 2004年
- 提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流的变化情况 ,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路 :静态随机存取存储器 (SRAM)、电擦除电编程只读存储器 (EEPROM)、闪速存储器 (FLASHROM)和微处理器 (CPU)的6 0 Coγ总剂量效应实验的结果 .
- 贺朝会耿斌何宝平姚育娟李永宏彭宏论林东生周辉陈雨生
- 关键词：大规模集成电路半导体器件总剂量效应功耗电流静态随机存取存储器闪速存储器
- 28nm Xilinx Zynq-7000系统芯片单粒子效应研究进展被引量：3
- 2017年
- 以Xilinx公司的28nm系统级芯片(system-on-chip,SoC)Zynq-7000为研究对象,开展了α单粒子效应实验和低能质子单粒子效应实验,测得了系统级芯片的α单粒子效应敏感模块、单粒子效应截面及不同模块质子单粒子效应截面随能量变化的关系曲线。采用软件故障注入技术获得了系统级芯片多个功能单元的敏感单元以及故障表现类型,并且通过建立系统芯片软错误故障树,定量计算了系统芯片及其各功能单元的故障率和不可用度,确定了系统和子系统中的敏感模块。
- 杜雪成贺朝会刘书焕张瑶李永宏杨卫涛任晓堂
- 关键词：系统芯片单粒子效应Α粒子质子
- pH和离子强度对U(Ⅵ)在磁性高岭土的吸附行为影响
- 近年来,随着核能的开发和利用以及核电事业的大力发展,不可避免地产生了大量的放射性核废物。倘若这些核废物不加以妥善地处理,必定会给人类社会和自然环境造成严重的污染,其影响可长达几百年乃至数万年,甚至更长的时间。因此研究放射...
- 宗鹏飞王海潘晖赵耀林贺朝会
- 文献传递
- 高能质子单粒子翻转效应的模拟计算被引量：14
- 2002年
- 在分析质子与硅反应的基础上 ,提出质子单粒子翻转截面理论计算模型 ,建立了模拟计算方法 .计算得到了不同能量的高能质子在存储单元的灵敏区内沉积的能量 .指出高能质子主要通过与硅反应产生的重离子在存储单元灵敏区内沉积能量 ,产生电荷 ,导致单粒子效应 ,得到了单粒子翻转截面与质子能量以及随临界电荷变化的关系 .并将计算得到的单粒子翻转截面与实验数据进行了比较 .
- 贺朝会陈晓华李国政
- 关键词：高能质子单粒子翻转MONTECARLO模拟半导体器件航天器
- 80C86单粒子效应测试系统实验
- 子效应是影响卫星正常工作主要因素之一，它是由于空间带电离子入射到超大规模集成电路（如ＳＲＡＭ、ＣＰＵ、ＦＰＧＡ等）中所引起的。由于ＣＰＵ单粒子效应测试系统复杂，故国内在这一方面的报道不多。该文较详细介绍作者所研制的８０Ｃ...
- 陈晓华贺朝会姬琳王燕平
- 关键词：单粒子效应CPU测试系统
