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魏学成

作品数：72 被引量：39H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 54篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 19篇电子电信
  • 5篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 17篇发光
  • 15篇纳米
  • 14篇单晶
  • 11篇二极管
  • 11篇发光二极管
  • 10篇氮化镓
  • 9篇单晶生长
  • 9篇刻蚀
  • 8篇氮化
  • 8篇白光
  • 8篇ZNO单晶
  • 8篇衬底
  • 7篇量子效率
  • 7篇光电
  • 7篇大尺寸
  • 6篇纳米孔
  • 6篇白光LED
  • 6篇ZNO
  • 6篇GAN
  • 6篇波长

机构

  • 72篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇桂林电子科技...
  • 1篇天津工业大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇有色金属技术...
  • 1篇青海圣诺光电...

作者

  • 72篇魏学成
  • 54篇李晋闽
  • 49篇王军喜
  • 19篇赵丽霞
  • 19篇魏同波
  • 14篇赵有文
  • 14篇董志远
  • 12篇闫建昌
  • 11篇曾一平
  • 10篇张宁
  • 10篇王国宏
  • 9篇于治国
  • 8篇刘志强
  • 7篇伊晓燕
  • 7篇孙莉莉
  • 7篇孙波
  • 7篇刘乃鑫
  • 6篇张连
  • 6篇刘喆
  • 6篇谢海忠

传媒

  • 6篇Journa...
  • 3篇第十四届全国...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇第14届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 10篇2019
  • 1篇2018
  • 7篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 7篇2014
  • 3篇2013
  • 7篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2009
  • 4篇2007
  • 9篇2006
共 72 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
升华法生长大尺寸AlN体单晶材料
赵有文董志远魏学成李晋闽
文献传递
提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜
本公开提供一种提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜，该提升氮化物材料P型掺杂效率的方法，利用外加机械力或材料本身失配应力作用于p型氮化物薄膜的掺杂表面。本公开提供的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜，利...
张宁冯梁森魏学成王军喜李晋闽
文献传递
气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制
本文对化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理进行了研究.分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的影响.利用气相-固相单晶成核和生长动力学理论研究了制约单晶生长速度和晶体质量...
魏学成赵有文董志远李晋闽
关键词：ZNO单晶动力学
文献传递
制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法
一种制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上依次外延生长u-GaN层、n-GaN层、多量子阱层和p-GaN耦合层；步骤3：在p-GaN耦合层上生长纳米金属层；步骤4：在纳米...
孙波赵丽霞伊晓燕刘志强魏学成王国宏
文献传递
籽晶对ZnO单晶化学气相传输生长过程和材料性质的影响
董志远赵有文魏学成李晋闽
文献传递
NH_(3)/N_(2)复合热退火技术改善高浓度Mg掺杂GaN材料性能
2024年
研究了NH_(3)/N_(2)复合热退火技术对高浓度Mg掺杂GaN材料晶体质量、发光性质及导电性能的影响。实验结果表明,相较于传统N_(2)氛围高温热退火后处理工艺而言,NH_(3)氛围高温热退火后处理工艺可以改善高浓度Mg掺杂GaN材料的晶体质量,同时可以增进Mg受主原子的有效掺杂,使得其光致发光谱中蓝光峰强度增强。采用NH_(3)氛围高温热退火结合N_(2)氛围低温热退火后处理工艺复合技术制备得到的高浓度Mg掺杂GaN材料内部背景电子浓度显著降低。这是由于在NH_(3)氛围高温热退火后处理工艺中,NH_(3)的热分解产物能够有效降低材料内N空位和间隙Ga原子等浅施主型缺陷浓度,最终改善高浓度Mg掺杂GaN材料的导电性能。
蒋宗霖闫丹张宁魏同波王军喜王军喜
关键词：氮化镓
一种杀菌消毒的装置
本实用新型公开了一种杀菌消毒的装置包括管道，其管体至其内壁能够透光；光源，嵌入所述管道的管体中，用于产生杀菌消毒用的光并向管道内壁照射；电源用于给所述光源供电；还包括电源外壳和防水导线，所述电源外壳固定于所述管道的外壁，...
谢海忠闫建昌魏学成孙莉莉宋昌斌张韵王军喜李晋闽
基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED及其制备方法
一种基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED及其制备方法，所述基于类金字塔型双波长结构的单芯片白光LED包括：衬底；低温成核层，位于所述衬底上；非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；N型掺杂GaN层，位于所述非掺杂Ga...
赵捷魏同波魏学成王军喜李晋闽
文献传递
组分渐变电子阻挡层对绿光LED发光效率的影响
利用MOCVD生长了具有组分渐变的电子阻挡层（GEBL）的绿光LED,并研究了其对LED发光效率的影响。结果表明,相对于传统LED来说,GEBL LED的光致发光谱（PL）的峰值波长蓝移并且峰值强度增强。EL结果显示在相...
张宁刘喆魏同波张连魏学成王晓东路红喜李晋闽王军喜
关键词：电子阻挡层LED发光效率绿光
文献传递
p型GaN欧姆接触的制备方法
本公开提供了一种p型GaN欧姆接触的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、重掺杂Mg的p型GaN层后，经过一次退火处理得到第一样品；将第一样品进行激光退火处理后，进行清洗，得到第二样品；对第...
王军喜王新维张宁魏学成
文献传递
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