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李晋闽

作品数：874 被引量：494H指数：9
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 623篇专利
  • 157篇期刊文章
  • 86篇会议论文
  • 6篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 266篇电子电信
  • 25篇理学
  • 13篇电气工程
  • 13篇文化科学
  • 12篇金属学及工艺
  • 11篇自动化与计算...
  • 11篇一般工业技术
  • 6篇机械工程
  • 5篇经济管理
  • 5篇化学工程
  • 5篇轻工技术与工...
  • 1篇矿业工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生

主题

  • 182篇发光
  • 154篇衬底
  • 144篇二极管
  • 133篇发光二极管
  • 120篇氮化镓
  • 95篇激光
  • 80篇半导体
  • 66篇氮化
  • 56篇金属
  • 55篇晶体
  • 53篇多量子阱
  • 53篇激光器
  • 52篇氮化物
  • 51篇纳米
  • 49篇化物
  • 47篇碳化硅
  • 47篇成核
  • 46篇GAN
  • 45篇电极
  • 41篇刻蚀

机构

  • 872篇中国科学院
  • 11篇中国科学院大...
  • 5篇北京师范大学
  • 5篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院近...
  • 3篇兰州大学
  • 2篇中国电子信息...
  • 2篇山西中科潞安...
  • 2篇鹤壁市大华实...
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇西北大学
  • 1篇厦门大学
  • 1篇香港理工大学
  • 1篇中南大学
  • 1篇国家半导体照...
  • 1篇国家新材料行...
  • 1篇北京麦肯桥资...
  • 1篇阿卜杜拉国王...

作者

  • 873篇李晋闽
  • 545篇王军喜
  • 259篇曾一平
  • 185篇伊晓燕
  • 134篇王国宏
  • 110篇王晓亮
  • 109篇杨华
  • 105篇闫建昌
  • 93篇魏同波
  • 87篇刘志强
  • 83篇李璟
  • 79篇胡国新
  • 77篇林学春
  • 58篇孙国胜
  • 57篇肖红领
  • 57篇侯玮
  • 55篇王雷
  • 55篇孙莉莉
  • 55篇马平
  • 51篇冉军学

传媒

  • 66篇Journa...
  • 19篇第十四届全国...
  • 13篇半导体技术
  • 11篇中国激光
  • 9篇照明工程学报
  • 8篇第十三届全国...
  • 7篇第十二届全国...
  • 6篇第六届全国分...
  • 4篇物理学报
  • 4篇光学学报
  • 4篇光子学报
  • 4篇发光学报
  • 4篇第十五届全国...
  • 4篇第五届全国分...
  • 3篇科学通报
  • 3篇材料研究学报
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇材料科学与工...
  • 2篇激光与光电子...

年份

  • 11篇2023
  • 15篇2022
  • 31篇2021
  • 30篇2020
  • 34篇2019
  • 18篇2018
  • 51篇2017
  • 57篇2016
  • 66篇2015
  • 83篇2014
  • 77篇2013
  • 55篇2012
  • 37篇2011
  • 48篇2010
  • 34篇2009
  • 34篇2008
  • 38篇2007
  • 39篇2006
  • 22篇2005
  • 16篇2004
共 874 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托
本实用新型涉及半导体材料技术领域，一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托。由石英支架(10)、衬托(11)、蓝宝石片(12)、样品(13)、热电偶(14)组成，衬托(11)位于石英支架(10)之上，蓝宝石片(12)位...
王晓亮冉军学李建平胡国新王军喜曾一平李晋闽
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氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法
本发明公开了一种氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法，该光电芯片包括芯片主体和覆盖在芯片主体上的钝化层；芯片主体包括衬底，第一线圈金属层、肖特基二极管、发光二极管、电容下电极金属层、底金属层、肖特基接触金属层均设置...
伊晓燕林辰詹腾刘志强王军喜李晋闽
氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法
一种氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法，其中该氮化镓基宽光谱发光二极管包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底上；一n型III族氮化物层，其制作在缓冲层上，该n型III族氮化物层上面的一侧有一台面，该台面的厚度小于n型II...
姬小利郭金霞马平马骏魏同波伊晓燕王军喜杨富华曾一平王国宏李晋闽
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生长氮化铟单晶薄膜的方法
本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成...
王晓亮肖红领胡国新杨翠柏冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
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兰姆波谐振器及其制备方法
一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括自下而上的衬底、底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：在底电极层与单晶氮化物薄膜层之间还具有AlN成核层；衬底在正对底电极层的区域具有一凹槽，以使部分/全部的底电极...
艾玉杰杨帅张韵孙莉莉程哲张连贾丽芳王军喜李晋闽
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一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法
本发明公开了一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法，包括：在透明面板正面的四周边缘制备金属电极，所述金属电极包括行金属电极和列金属电极；将正装LED芯片直接固晶到透明面板正面的中间区域，排成阵列；通过打金线方式连接每行芯...
李璟杨华王国宏王军喜李晋闽
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制...
王晓亮王翠梅胡国新王军喜李建平曾一平李晋闽
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ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法
本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法，该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括：硅衬底、二氧化硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线；二氧化硅绝缘层生长于硅衬底上；ZnO/GaN异质结纳米线设置于二氧...
刘志强程成伊晓燕张勇王军喜李晋闽
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可见光通信用倒装RCLED及其制备方法
本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n...
杨超赵丽霞朱石超刘磊于治国王军喜李晋闽
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晶圆级LED管芯整体集成封装装置
本发明提供一种晶圆级LED管芯整体集成封装装置，包括：一模具，包括下模具和上模具，该下模具的表面开有模穴，该上模具内为一真空腔室，其下面开有多个吸气孔；一真空泵，其通过管路与上模具内的真空腔室连接。本发明具有批量化、产业...
谢海忠汪炼成张逸韵杨华李璟伊晓燕王国宏李晋闽
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