魏同波
- 作品数：135 被引量：192H指数：7
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 一种双加热气相外延生长系统
- 本发明公开了一种双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)，包括：水平或竖直放置的外延生长室；双加热装置，其包括外加热器和内加热器；样品台，其上放置样品；金属源反应物放置器，其内部放置有金属源；喷淋器，其位于所述样品台正上...
- 胡强魏同波羊建坤霍自强王军喜曾一平李晋闽
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- 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法
- 一种利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延衬底；步骤2：在外延衬底上外延一致密薄层，该致密薄层作为后续氮化镓外延的成核层；步骤3：暂停生长，使致密薄层发生分解，得到疏松薄层；步骤4：在...
- 冯向旭张宁刘乃鑫付丙磊朱绍歆张连魏同波王军喜李晋闽
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- 植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法
- 本发明公开了一种植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法，其包括：在n-GaN模板上铺单层自组装密排小球；将单层自组装密排小球缩小，形成单层非密排小球；在铺有所述单层非密排小球的n-GaN模板上蒸镀掩蔽层，其中在...
- 杜成孝郑海洋魏同波王军喜李晋闽
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- 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置
- 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外...
- 刘喆王军喜钟兴儒李晋闽曾一平段瑞飞马平魏同波林郭强
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- 生长半极性GaN厚膜的方法
- 本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上外延半极性GaN模板层；步骤B，在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层；步骤C，在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层；以及步骤D，在...
- 羊建坤魏同波霍自强张勇辉胡强段瑞飞王军喜
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- 一种垂直结构白光LED及其制备方法
- 本公开提供了一种垂直结构白光LED，包括：导电衬底；介质层一；低温成核层；平面N型GaN层；介质层二；截角金字塔N型GaN结构；双波长多量子阱层；电子阻挡层；P型GaN层。本公开在介质层二上制备有以阵列形式分布的贯通至平...
- 魏同波殷瑜赵捷王军喜
- 电流密度对铝合金微弧氧化膜的生长及结合力的影响被引量：29
- 2004年
- 为了进一步探讨微弧氧化主要参数电流密度对铝合金微弧氧化膜的影响机理,先用微弧氧化技术在LY12硬铝合金上获得陶瓷层,然后考察电流密度对陶瓷膜厚度及其与基体结合强度的影响,再利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)分析了氧化膜的形貌和组织结构,通过划痕试验和冲击试验研究了氧化膜与基体的结合力。结果表明,随着电流密度的增大,陶瓷氧化膜及其致密层的增长速度均加快,但有一个极限值,氧化膜的临界载荷降低,致密层所占比例也逐渐降低。XPS谱图证明,微弧氧化膜表面疏松层主要由γ-Al_2O_3,α-Al_2O_3和Al-Si-O相组成,致密层由α-Al_2O_3和γ-Al_2O_3组成。铝合金表面生成氧化膜后,随着膜厚度的增加,冲击韧性逐渐减低,基体断裂后,氧化膜没有发生剥落,表面出现大量微裂纹。
- 魏同波张学俊王博田军阎逢元
- 关键词：微弧氧化铝合金陶瓷膜电流密度
- MSM型多孔氧化嫁日盲探测器及其制造方法
- 本公开提供了一种MSM型多孔氧化嫁日盲探测器及其制造方法，其中探测器包括：外延结构和在外延结构表面蒸镀的MSM电极；外延结构包括：衬底、衬底上的u‑GaN外延层和u‑GaN外延层上的n‑GaN外延层；在n‑GaN外延层上...
- 魏同波孟瑞林姬小利谭晓宇
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- 在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法
- 一种在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：提供含镓氮化物的衬底；步骤2：将所述衬底放进CVD设备反应腔室中，置于加热温场均匀的中心区域；步骤3：向CVD反应腔室中的衬底通入保护性气体；步骤4：对CVD...
- 赵云王刚孙连峰魏同波段瑞飞伊晓燕李晋闽
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- 显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法
- 一种显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法，该器件包括：衬底；第一外延层；具有n个阵列排列的微/纳米孔洞的SiO<Sub>2</Sub>层，位于所述第一外延层的上方；n个含InGaN/GaN量子阱的三维六角梯...
- 魏同波赵捷魏学成王军喜李晋闽
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