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赵丽霞

作品数：81 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 68篇专利
  • 7篇会议论文
  • 5篇期刊文章
  • 1篇标准

领域

  • 23篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生

主题

  • 23篇发光
  • 17篇通信
  • 15篇光通信
  • 11篇带宽
  • 11篇二极管
  • 11篇发光二极管
  • 10篇等离激元
  • 10篇调制
  • 10篇刻蚀
  • 10篇衬底
  • 9篇氮化物
  • 9篇氮化镓
  • 9篇纳米
  • 8篇调制带宽
  • 8篇量子效率
  • 8篇可见光通信
  • 8篇光电
  • 8篇表面等离激元
  • 7篇氮化
  • 7篇化物

机构

  • 81篇中国科学院
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国电子技术...

作者

  • 81篇赵丽霞
  • 33篇王军喜
  • 32篇李晋闽
  • 19篇魏学成
  • 17篇朱石超
  • 15篇于治国
  • 15篇杨超
  • 14篇刘磊
  • 10篇杨华
  • 9篇曾一平
  • 9篇王国宏
  • 7篇伊晓燕
  • 7篇孙波
  • 7篇刘志强
  • 4篇张连
  • 3篇路红喜
  • 3篇卢鹏志
  • 3篇周子超
  • 2篇段瑞飞
  • 2篇王开友

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇照明工程学报
  • 1篇中兴通讯技术

年份

  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 10篇2020
  • 6篇2019
  • 2篇2018
  • 11篇2017
  • 9篇2016
  • 9篇2015
  • 14篇2014
  • 5篇2013
  • 6篇2012
共 81 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
可见光通信用倒装RCLED及其制备方法
本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n...
杨超赵丽霞朱石超刘磊于治国王军喜李晋闽
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具有横向三角孔结构的多孔GaN及其光解水性能
杨超于治国席鑫曹海城赵丽霞
等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法
一种等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法，所述等离激元回音壁光泵激光器包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；回音壁谐振腔，位于所述缓冲层上；由下至上依次包括：底部多孔DBR层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层、p型掺杂...
赵丽霞林杉胡天贵李晓东
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GaN基多孔DBR的制备方法
一种GaN基多孔DBR的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长缓冲层、n型GaN导电层、交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层，该交替堆叠的n型高掺杂层和非掺杂层构成多周期的氮化物外延结构；步骤2：在氮化物外延结构...
杨超刘磊朱石超赵丽霞
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基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用
一种基于多孔下包层的GaN基波导器件及其制备方法和应用，该GaN基波导器件包括衬底；缓冲层，设置在衬底上；电流扩展层，设置在缓冲层上；多孔下包层，设置在电流扩展层上，用于降低光场向衬底方向的泄露；以及波导芯层，设置在多孔...
赵丽霞林杉胡天贵李晓东
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基于DBR的量子点谐振腔器件及制备方法
本公开提供一种基于DBR的量子点谐振腔器件，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底的上；电流扩散层，位于所述缓冲层上；多孔DBR层，位于所述n‑GaN电流扩散层上，作为谐振腔底部反射镜；相位调整层，位于所述多孔DBR层上，用于...
赵丽霞胡天贵李晓东林杉
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用于测试器件光电性能的夹具及夹具组件
本发明提供了一种用于测试器件光电性能的夹具及夹具组件。该夹具包括：滑动基座10；变角度底盘30，呈圆形板状结构，具有角度标识；第一支架40，呈垂直于所述变角度底盘30所在平面的平板结构，其下方固定三角标志41，该三角标志...
裴艳荣杨华赵丽霞王军喜李晋闽
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纳米氮化镓发光二极管的制作方法
一种纳米氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：取一衬底；在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层，形成基片；在基片的p-GaN层上生长中间层；在中间层生长纳米图形层；以纳米图形层作掩膜，...
孙波赵丽霞伊晓燕刘志强魏学成王国宏
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垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法
本发明提供垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED...
于治国赵丽霞魏学成王军喜李晋闽
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表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用
一种表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用，该表面等离激元GaN基LED外延结构包括一衬底；一缓冲层；一n型GaN层；一InGaN/GaN多量子阱有源区；‑介质隔离层；‑金属颗粒层；‑介质盖层；一电子阻挡层...
赵丽霞林杉
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