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夏永伟

作品数：11 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇发光
  • 3篇砷化镓
  • 3篇探测器
  • 3篇可见光
  • 2篇多孔硅
  • 2篇晶体
  • 2篇光探测
  • 2篇光探测器
  • 2篇GAAS/A...
  • 1篇电流
  • 1篇电流-电压特...
  • 1篇电路
  • 1篇电路工艺
  • 1篇电压
  • 1篇电压特性
  • 1篇易控
  • 1篇数值模拟
  • 1篇紫外
  • 1篇紫外光
  • 1篇自对准

机构

  • 11篇中国科学院
  • 1篇法国国家科学...

作者

  • 11篇夏永伟
  • 6篇滕学公
  • 5篇李国花
  • 4篇樊志军
  • 2篇王守武
  • 1篇梁基本

传媒

  • 5篇Journa...
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇第九届全国半...

年份

  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 3篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰被引量：4
1996年
通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件，研究了它的发光峰形状的变化．第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱，其半峰值宽度均小于１０ｕｍ．讨论了形成计形峰的可能机理．
夏永伟滕学公
关键词：光谱可见光
多孔硅膜紫外光—可见光转换效率的研究
滕学公夏永伟
关键词：发光效率可见光
染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性被引量：1
1994年
用氯氟酸硝酸水溶液对硅单晶抛光片进行染色腐蚀，制备了多孔硅．本文研究染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性，特别是激发光强度和波长与发射光强度与波长的关系，多孔硅的稳定性和响应特性．
夏永伟李国花滕学公樊志军
关键词：多孔硅光致发光可见光
半导体光发射与探测耦合组件
夏永伟
该成果是一种用多薄层晶体生长工艺制造的，具有垂直集成与光路自对准结构的半导体发射与探测耦合组件。它由半导体光探测器件、透明绝缘晶体薄层以及半导体光发射器件叠加构成。该成果具有工艺简化，降低成本，提高可靠性与灵敏度等优点。
关键词：
关键词：半导体工艺光探测器发光晶体生长
分子束外延ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ面发射发光二极管的研制
夏永伟梁基本
关键词：分子束外延砷化镓外延层发光二级管
MIS隧道器件电流-电压特性的数值模拟
1989年
本文建立了MLS隧道器件的电流-电压特性的数值模拟程序,提出了一种新的计算方法:龙格-库塔数值积分与边界条件的预估-校正处理相结合的算法.利用建立的程序模拟计算了两种不同氧化层厚度的MIS隧道器件的电流-电压特性.对TiW/Si肖特基二极管,考虑了界面态的静态和动态影响,模拟特性和实验结果相比,令人满意的一致.
夏永伟G.PananakakisG.Kamarinos
关键词：MIS数值模拟电流电压
半导体光发射与探测耦合组件
本实用新型公开了一种用多薄层晶体生长工艺制造的，具有垂直集成与光路自对准结构的半导体光发射与探测耦合组件。它由半导体光探测器件，透明绝缘晶体薄层以及半导体光发射器件叠加构成。它能简化工艺，降低成本，并有提高可靠性与灵敏度...
夏永伟滕学公李国花樊志军
文献传递
一种硅的光探测器件
本实用新型公开了一种紫外增强的p-n结硅光生伏特探测器的结构。它在探测器探光面的金属电极之间或(和)其四周的硅表面上布设一层多孔硅的荧光膜。该结构具有工艺过程简单易控、成本低廉、并能与现有集成电路工艺相容等诸多优点。
夏永伟李国花滕学公樊志军
文献传递
薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系被引量：4
1990年
本文从理论上分析了薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系。为设计薄膜MOS/SOI器件引进了一个新的参数──薄膜整体反型临界厚度。分析认为,为使超薄膜MOS/SOI器件高速和高功率工作,有必要使薄膜厚度接近整体强反型临界厚度。
夏永伟王守武
关键词：SOI薄膜厚度
GaAs／AlGaAs光子平行存贮器的性能
1996年
本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ．单元面积１６０×１６０μｍ、间距４０μｍ的存贮器４×４原理性阵列已经研制成功，这是０．８５μｍ波长范围的光子平行存贮器的首次报道．
夏永伟滕学公李国花樊志军王守武
关键词：砷化镓ALGAAS存储器
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