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樊志军

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 2篇多孔硅
  • 1篇底盘
  • 1篇电路
  • 1篇电路工艺
  • 1篇电子鼻
  • 1篇易控
  • 1篇真空室
  • 1篇阵列
  • 1篇砷化镓
  • 1篇石英晶振
  • 1篇探测器
  • 1篇通孔
  • 1篇气体传感
  • 1篇气体传感器
  • 1篇转化率
  • 1篇自对准
  • 1篇自主创新
  • 1篇自主创新能力
  • 1篇晶体
  • 1篇晶振

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇樊志军
  • 4篇滕学公
  • 4篇李国花
  • 4篇夏永伟
  • 1篇卢励吾
  • 1篇王守武
  • 1篇徐彦之
  • 1篇孙安纳
  • 1篇宋书林
  • 1篇张砚华
  • 1篇蒋延龄

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇科技咨询导报
  • 1篇第六届全国敏...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1996
  • 3篇1994
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
半导体光发射与探测耦合组件
本实用新型公开了一种用多薄层晶体生长工艺制造的，具有垂直集成与光路自对准结构的半导体光发射与探测耦合组件。它由半导体光探测器件，透明绝缘晶体薄层以及半导体光发射器件叠加构成。它能简化工艺，降低成本，并有提高可靠性与灵敏度...
夏永伟滕学公李国花樊志军
文献传递
一种硅的光探测器件
本实用新型公开了一种紫外增强的p-n结硅光生伏特探测器的结构。它在探测器探光面的金属电极之间或(和)其四周的硅表面上布设一层多孔硅的荧光膜。该结构具有工艺过程简单易控、成本低廉、并能与现有集成电路工艺相容等诸多优点。
夏永伟李国花滕学公樊志军
文献传递
变温的高阻半导体材料光电测试装置
一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其中包括:一真空腔,该真空腔为圆柱体,该真空腔内为真空室;一真空室上罩,该真空室上罩罩扣于真空腔的上面;一真空室底盘,该真空室底盘用螺丝固定在真空腔的下面,该真空室底盘的中间有一通孔...
张砚华卢励吾樊志军
文献传递
染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性被引量：1
1994年
用氯氟酸硝酸水溶液对硅单晶抛光片进行染色腐蚀，制备了多孔硅．本文研究染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性，特别是激发光强度和波长与发射光强度与波长的关系，多孔硅的稳定性和响应特性．
夏永伟李国花滕学公樊志军
关键词：多孔硅光致发光可见光
从信息角度谈加强自主创新能力
2007年
本文从住处角度阐述了自己创新的主要特征。
徐彦之樊志军宋书林
关键词：计算机技术
石英晶振阵列嗅觉传感器
温下对酒、清凉油等十四种物质进行测试，可给出满意的识别结果，准确率达100℅。所研制的传感器阵列是由八个AT切割，10MHz的石英晶振组成，每个晶振电极上敷有不同的敏感膜。研制了可同时测八个通道的频率测试仪，并有专用软件...
孙安纳樊志军蒋延龄
关键词：电子鼻气体传感器
科技成果转化主要问题分析与对策研究
尽快解决科技成果转化主要问题，使科技成果更好地为经济建设服务，是目前我国各科研部门和各行业需要解决的问题，本文分析了科研成果转化的特点，并从其特点提出了目前科技成果转化的一些主要问题，如科技成果本身因素、知识产权、人才队...
樊志军
关键词：转化率
GaAs／AlGaAs光子平行存贮器的性能
1996年
本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ．单元面积１６０×１６０μｍ、间距４０μｍ的存贮器４×４原理性阵列已经研制成功，这是０．８５μｍ波长范围的光子平行存贮器的首次报道．
夏永伟滕学公李国花樊志军王守武
关键词：砷化镓ALGAAS存储器
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