滕学公
- 作品数：12 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰被引量：4
- 1996年
- 通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件，研究了它的发光峰形状的变化．第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱，其半峰值宽度均小于１０ｕｍ．讨论了形成计形峰的可能机理．
- 夏永伟滕学公
- 关键词：光谱可见光
- 半导体光发射与探测耦合组件
- 本实用新型公开了一种用多薄层晶体生长工艺制造的，具有垂直集成与光路自对准结构的半导体光发射与探测耦合组件。它由半导体光探测器件，透明绝缘晶体薄层以及半导体光发射器件叠加构成。它能简化工艺，降低成本，并有提高可靠性与灵敏度...
- 夏永伟滕学公李国花樊志军
- 文献传递
- 硅基1.55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究被引量：3
- 2005年
- 制作了一种低成本硅基1.55μm可调谐共振腔增强型探测器.首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应,共振峰量子效率达44%,峰值半高宽为12.5nm,调谐范围14.5nm,并且获得1.8GHz的高频响应.本制作工艺不复杂,成本低,有望用于工业生产.
- 毛容伟成步文李传波左玉华滕学公罗丽萍余金中王启明
- 关键词：INGAAS可调谐高频响应
- 一种硅的光探测器件
- 本实用新型公开了一种紫外增强的p-n结硅光生伏特探测器的结构。它在探测器探光面的金属电极之间或(和)其四周的硅表面上布设一层多孔硅的荧光膜。该结构具有工艺过程简单易控、成本低廉、并能与现有集成电路工艺相容等诸多优点。
- 夏永伟李国花滕学公樊志军
- 文献传递
- 多孔硅膜紫外光—可见光转换效率的研究
- 滕学公夏永伟
- 关键词：发光效率可见光
- 半导体GaN/MgAl2O4中缓冲层的透射电子显微分析被引量：1
- 1998年
- 运用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高分辨透射电子显微镜（ＨＲＥＭ）对金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的（０００１）ＧａＮ／（１１１）ＭｇＡｌ２Ｏ４异质结构中的缓冲层进行了观察和分析。
- 韩培德杨海峰张泽段树坤滕学公
- 关键词：氮化镓缓冲层透射电子显微镜
- 掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法
- 一种掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法，包括如下步骤：a)在第一基片上进行掩模光刻，刻蚀出沟槽；b)在沟槽中带胶生长高反射率布拉格反射镜；c)用带胶剥离的方法除去光刻胶和沟槽外的反射镜；以及d)对第一基片和第二基片...
- 毛容伟滕学公王启明
- 文献传递
- 硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法
- 一种硅基高量子效率共振腔增强型探测器，其特征在于，其结构包括：一个硅基片；一个探测器的有源区部分；一第一反射镜；一第二反射镜，该两个反射镜把探测器的有源区部分夹在中间，构成探测器的共振腔；一个键合界面层，该键合界面层的材...
- 毛容伟滕学公李传波左玉华罗丽萍成步文于金中王启明
- 文献传递
- 硅基1.55μm共振腔增强型探测器(英文)被引量：3
- 2005年
- 报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术 .高反射率的SiO2 /Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上 ,然后键合到InGaAs有源区上 ,键合温度为 35 0℃ ,无需特殊表面处理 ,反射镜的反射率可以高达 99 9%以上 ,制作工艺简单 ,价格便宜 .并获得硅基峰值响应波长为 1 5 4 μm ,量子效率达 2 2 6 %的窄带响应 ,峰值半高宽为 2 7nm .本方法有望用于工业生产 .
- 毛容伟左玉华李传波成步文滕学公罗丽萍张合顺于金中王启明
- 关键词：RCE探测器直接键合INGAAS
- GaAs／AlGaAs光子平行存贮器的性能
- 1996年
- 本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ．单元面积１６０×１６０μｍ、间距４０μｍ的存贮器４×４原理性阵列已经研制成功，这是０．８５μｍ波长范围的光子平行存贮器的首次报道．
- 夏永伟滕学公李国花樊志军王守武
- 关键词：砷化镓ALGAAS存储器
