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成步文

作品数:248 被引量:189H指数:6
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 124篇专利
  • 81篇期刊文章
  • 38篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 124篇电子电信
  • 21篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电气工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇冶金工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 55篇硅基
  • 54篇探测器
  • 48篇光电
  • 34篇光电探测
  • 33篇光电探测器
  • 30篇
  • 28篇衬底
  • 26篇发光
  • 25篇电极
  • 24篇波导
  • 19篇掺杂
  • 16篇调谐
  • 15篇半导体
  • 15篇SI基
  • 13篇滤波器
  • 13篇硅衬底
  • 12篇晶体管
  • 10篇光材料
  • 9篇电池
  • 9篇异质结

机构

  • 244篇中国科学院
  • 3篇北京师范大学
  • 3篇华侨大学
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇青岛海信宽带...
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇厦门大学
  • 1篇北京化工厂

作者

  • 247篇成步文
  • 107篇王启明
  • 91篇薛春来
  • 83篇左玉华
  • 71篇刘智
  • 65篇李传波
  • 64篇余金中
  • 63篇郑军
  • 48篇王启明
  • 26篇毛容伟
  • 23篇姚飞
  • 21篇黄昌俊
  • 20篇罗丽萍
  • 18篇张建国
  • 16篇于卓
  • 13篇李代宗
  • 13篇胡炜玄
  • 13篇苏少坚
  • 11篇张广泽
  • 9篇王晓欣

传媒

  • 26篇Journa...
  • 11篇物理学报
  • 5篇第十三届全国...
  • 4篇光电子.激光
  • 4篇光子学报
  • 4篇半导体光电
  • 4篇第十二届全国...
  • 3篇激光与光电子...
  • 3篇发光学报
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇北京师范大学...
  • 2篇真空
  • 2篇半导体杂志
  • 2篇电子器件
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇第七届全国固...
  • 2篇第十二届全国...
  • 2篇第五届全国分...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电信科学

年份

  • 5篇2024
  • 9篇2023
  • 13篇2022
  • 16篇2021
  • 14篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 13篇2017
  • 11篇2016
  • 8篇2015
  • 7篇2014
  • 9篇2013
  • 4篇2012
  • 7篇2011
  • 12篇2010
  • 7篇2009
  • 17篇2008
  • 10篇2007
  • 14篇2006
  • 15篇2005
248 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
锡自催化生长的硅基无位错锗锡条
GeSn合金材料性质优良,由于具有高电子迁移率和能带可调节的优点,近年来在硅基微电子和光电子学领域里备受关注[1,2]。然而在Si衬底上外延生长高质量的GeSn合金存在着诸多挑战[3-7],如:固溶度小、晶格失配等。目前...
余凯丛慧刘智薛春来成步文王启明李传波
文献传递
一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法
本发明公开了一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法,包括:取一多晶硅基材料,将该多晶硅基材料制备成多晶硅基纳米材料;将该多晶硅基纳米材料与导电剂、粘结剂及水混合制备成浆料,涂覆于铜集电极薄膜上,烘干称量后形成第一复合薄膜,...
李传波张春倩张大林薛春来成步文王启明
文献传递
单载流子光电探测器的高速及高饱和功率的研究被引量:8
2012年
利用载流子漂移-扩散模型,模拟并分析了InGaAs/InP单载流子光电探测器(Uni-traveling-carrier/UTC-PD)在不同条件下的物理特性及其带宽和饱和特性,结合器件实验结果分析了影响器件高速和高饱和性能的物理机理.结论表明在吸收区采用浓度渐变掺杂和增加InP崖层(cliff layer),可以显著提升器件饱和特性,高入射功率下吸收区电场崩塌是器件饱和的直接因素,直径大于20μm的UTC探测器中RC常数仍是影响带宽的主要因素.论文指出了优化器件结构、提升器件性能的有效方法.
张岭梓左玉华曹权薛春来成步文张万昌曹学蕾王启明
关键词:空间电荷效应高频
掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响
2013年
利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了多个四层Ge/Si量子点样品.通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了未掺杂、磷掺杂和硼掺杂.相比未掺杂的样品,磷掺杂不影响Ge/Si量子点的表面形貌,但可以有效增强其室温光致发光;而硼掺杂会增强Ge/Si量子点的合并,降低小尺寸Ge/Si量子点的密度,但其光致发光会减弱.磷掺杂增强Ge/Si量子点光致发光的原因是,磷掺杂为Ge/Si量子点提供了更多参与辐射复合的电子.
刘智李亚明薛春来成步文王启明
关键词:磷掺杂光致发光
硅基锗材料的外延生长及其应用
硅基Ge材料是一种重要的硅基异质结构材料,它既是硅基高迁移率材料,同时也是重要的硅基光子学器件用材料,在硅基光电集成中具有重要的应用前景。本文将介绍硅基Ge材料的外延生长,讨论它的可能应用,重点介绍它在硅基高效发光器件、...
成步文王启明薛春来薛海韵胡炜玄汪巍苏少坚张广泽罗丽萍左玉华
关键词:光电探测器发光器件光调制器
一种SiO<Sub>x</Sub>基锂离子电池复合负极材料的制备方法
本发明公开了一种SiO<Sub>x</Sub>基锂离子电池复合负极材料的制备方法,包括如下步骤:对SiO<Sub>x</Sub>材料进行高能球磨处理,减小SiO<Sub>x</Sub>材料的尺寸;按照一定比例将球磨处理后...
张均营李传波郑军左玉华薛春来成步文
文献传递
1.55μmSi基光电探测器的研究进展被引量:6
2003年
 从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。
李传波黄昌俊成步文王启明
关键词:锗硅光电探测器量子点RCE
单行载流子光电探测器中空间电荷屏蔽效应理论分析和实验研究被引量:3
2010年
本文优化设计和外延生长了一种单行载流子(UTC)光电探测器有源区结构,并且采用微电子工艺制备了台面尺寸为30μm的UTC光电探测器.同时,采用了漂移-扩散模型对该有源区结构进行了理论模拟,从载流子浓度和空间电场角度重点分析研究了空间电荷屏蔽效应对UTC光电探测器直流饱和特性影响的物理机理.UTC光电探测器理论模拟结果与实测数据基本相符.
郭剑川左玉华张云张岭梓成步文王启明
关键词:光电探测器
双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制被引量:3
2007年
本文介绍了中国科学院半导体研究所的双生长室超高真空化学气相淀积系统的工作原理、技术参数、结构、性能及特点。该系统具有双生长室、引入准分子激光和多态源等主要优点,是IV族半导体材料生长和研究的强有力工具。
曾玉刚韩根全余金中成步文王启明
关键词:化学气相淀积准分子激光器
溅射外延GeSn/GeSiSn多量子阱材料光电性能研究
郑军张永旺刘智左玉华李传波薛春来成步文王启明
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