王启明
- 作品数：235 被引量：312H指数：9
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程历史地理更多>>
- Ge/Ge0.9Sn0.1/Ge量子阱的制备和表征
- 通过向Ge中引入Sn形成Ge1-xSnx合金,可以使其能带结构向直接带隙转变,且与CMOS工艺兼容,是实现硅基光源最具有可行性的方案之一,具有重要的科学研究价值。在本文中,我们使用MBE在Si（001）衬底上外延生长了1...
- 王楠丛慧薛春来王启明
- 关键词：量子阱结构
- 文献传递
- 锡自催化生长的硅基无位错锗锡条
- GeSn合金材料性质优良,由于具有高电子迁移率和能带可调节的优点,近年来在硅基微电子和光电子学领域里备受关注[1,2]。然而在Si衬底上外延生长高质量的GeSn合金存在着诸多挑战[3-7],如:固溶度小、晶格失配等。目前...
- 余凯丛慧刘智薛春来成步文王启明李传波
- 文献传递
- 一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法
- 本发明公开了一种多晶硅基纳米结构锂电池的制备方法，包括：取一多晶硅基材料，将该多晶硅基材料制备成多晶硅基纳米材料；将该多晶硅基纳米材料与导电剂、粘结剂及水混合制备成浆料，涂覆于铜集电极薄膜上，烘干称量后形成第一复合薄膜，...
- 李传波张春倩张大林薛春来成步文王启明
- 文献传递
- GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱被引量：2
- 1989年
- 在10K至292K温度范围内测量了GaAs/GaAlAs多量子阱结构的激子吸收谱.观察到轻、重空穴对应的激子吸收峰(LH和HH)及台阶状态密度.研究了轻、重空穴激子吸收峰的能量间隔及激子吸收峰的温度特性.发现多量子阱样品的LO声子展宽系数为6.1meV,比体GaAs的展宽系数略小.样品用国产MBE设备生长,采用化学选择腐蚀技术除去GaAs衬底.
- 曾安吴荣汉曾一平孔梅影王启明
- 关键词：GAASGAALAS激子吸收谱
- 具有自动调节功能的光学衰减器模块
- 一种具有自动调节功能的光学衰减器模块，包括输入光纤列阵、光学衰减器列阵，输出光纤列阵、光电探测器列阵、控制电路、驱动电路等，其中输入光纤列阵、光学衰减器列阵、输出光纤列阵之间实现高效率的对准耦合、光电探测器列阵置于光学衰...
- 杨林刘育梁王启明
- 文献传递
- GaAs/GaAlAs多量子阱自电光效应光学双稳态被引量：3
- 1991年
- 采用国产分子束外延系统生长的GaAs/GaAlAs多量子阱材料,成功地制备出室温自电光效应(Self Electrooptic Effect)光学双稳态器件(SEED).报道了这种器件在对称工作(S-SEED)和非对称工作时的光学双稳态特性.
- 吴荣汉段海龙王启明曾一平孔梅影潘钟张权生林世鸣
- 关键词：半导体材料光电效应
- 具有平顶输出响应的窄带Fabry－Perot滤波器
- 一种具有平顶输出响应的窄带Fabry-Perot滤波器，包括：一基片；一下分布式布拉格反射镜，该下分布式布拉格反射镜制作在基片的上面，一下Fabry-Perot腔，该下Fabry-Perot腔制作在下分布式布拉格反射镜的...
- 蔡晓左玉华王启明
- 文献传递
- 用于光电子器件的低成本、高反射率 SOR衬底(英文)
- 2001年
- 报道了一种包含一薄层单晶硅和隐埋 Si/Si O2 布拉格反射器的 SOR衬底 .这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的 .在垂直光照条件下 ,这种 SOR衬底在 1.3μm处的反射率接近10 0 %
- 李成杨沁青王红杰王启明
- 关键词：SOR光电子器件衬底反射率
- 锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究
- 1996年
- 研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制，对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁偶极矩，给出了跃迁偶极矩的上限。提出了未掺杂Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光跃迁的一种跃迁机制。
- 董文甫董文甫杨沁清
- 关键词：锗硅合金半导体光跃迁
- 平顶和陡峭带边响应的窄带热光调谐Fabry－Perot滤波器
- 一种具有平顶响应的窄带热光可调谐Fabry－Perot滤波器，包括：一基片；一下分布式布拉格反射镜，该下分布式布拉格反射镜制作在基片的上面；一Fabry－Perot腔，该Fabry－Perot腔制作在下分布式布拉格反射镜...
- 蔡晓左玉华王启明
- 文献传递
