王守武
- 作品数：9 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究
- 1990年
- 在研究GaAs/GaAlAs半导体激光器淬灭效应过程中,我们发现其中一种结构的淬灭型半导体激光器的输出表现为一对共轭的双稳特性,我们认为这种双稳现象是由共腔双波导模式淬灭效应引起的。
- 王守武刘文旭杨朴吴荣汉
- 关键词：半导体激光器
- GaAs脊形量子线发光性质的光致发光谱研究
- 1998年
- 本文报道了用ＭＢＥ非平面生长方法制备的ＧａＡｓ脊形量子线发光性特实验研究．低温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明：这种由｛１１３｝面构成的脊形量子线具有发光各向异性、激子束缚能明显大于侧面量子阱等特点．
- 牛智川袁之良周增圻徐仲英王守武
- 关键词：砷化镓光致发光谱量子线发光特性
- GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光吸收谱和横向光电流谱被引量：1
- 1990年
- 研究了MBE GaAs/AlGaAs多量子阱结构的横向光电流谱和光吸收谱。在光电流谱中观测到多种允许和禁戒的激子吸收峰以及一个阱中受主态至n=1电子态的非本征吸收峰。确定出5个空穴子带至2个电子子带的跃迁以及这些子带的间距。采用简单带方势阱模型并取参数Q_c=0.6,m_c=0.0665,m_h=0.45和m_l=0.12的计算结果与实验数据符合得相当好。将光吸收谱与光荧光谱进行了比较。
- 滕达徐仲英庄蔚华王守武
- 关键词：GAAS/ALGAAS光吸收谱
- 薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系被引量：4
- 1990年
- 本文从理论上分析了薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系。为设计薄膜MOS/SOI器件引进了一个新的参数──薄膜整体反型临界厚度。分析认为,为使超薄膜MOS/SOI器件高速和高功率工作,有必要使薄膜厚度接近整体强反型临界厚度。
- 夏永伟王守武
- 关键词：SOI薄膜厚度
- Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟
- 1983年
- 本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时阴极凹口仍不能形成新畴,则准静态畴将进一步调整成为真正的静止畴,而畴外电场也将由最大值下降到一个与偏压无关的固定值.经过理论分析,得到了静止畴所固有的与外加偏压无关的畴外电场与有源区掺杂浓度的关系式,并和计算机模拟的结果相比较,得到很好的符合.如果偏压的增加使准静态畴所对应的畴外电场最大值已经足够使阴极凹口形成新的畴,则静止畴将转变为渡越畴.如果偏压继续增加,使积累层尾部覆盖了阴极凹口,则畴会再次静止下来,直到偏压增加到畴发生雪崩为止.计算和实验表明,后一个静止区的电压变化范围要比前一个大得多.本文还讨论了两个转变电压和温度的关系及扩散系数对静止畴的影响.
- 王守武郑一阳郗小林张进昌
- 关键词：TRANSFORMATIONSTRANSITDOMAINSGUNNSANDWICH
- GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究被引量：4
- 1996年
- 本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的形成机制，认为在一定的生长条件下，脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的；而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的．
- 牛智川周增圻林耀望周帆潘昆张子莹祝亚芹王守武
- 关键词：砷化镓MBE生长
- GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光
- 1981年
- 测量了垂直于结平面各空间位置的荧光光谱和某些特定波长的空间分布.实验结果表明在 n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层和 P-GaAs有源层都存在着峰值波长为 1.03 μm和 1.09μm的深能级辐射.这些辐射在热处理和小电流密度老化下有着不同的行为. 另外在N-Ga_(1-x)Al_xAs层的荧光谱中还可以看到一个波长比有源区带到带的辐射还短的辐射.可以认为这是由于在N-P异质界面存在着电子势垒从而导致在N-Ga(1-x)AlxAs层中导带的非平衡电子与在Sn深受主能级上的非平衡空穴复合产生的辐射.
- 王守武王仲明许继宗
- 关键词：深能级双异质结激光器AL
- GaAs／AlGaAs光子平行存贮器的性能
- 1996年
- 本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ．单元面积１６０×１６０μｍ、间距４０μｍ的存贮器４×４原理性阵列已经研制成功，这是０．８５μｍ波长范围的光子平行存贮器的首次报道．
- 夏永伟滕学公李国花樊志军王守武
- 关键词：砷化镓ALGAAS存储器
- 微腔激光器数码调制及其光纤传输的研究被引量：4
- 1998年
- 从微腔半导体激光器速率方程出发，分析讨论了微腔激光器的脉码调制特性，发现微腔具有较规则的脉冲响应，可以减少误码率；自发发射因子为０．１的微腔，具有脉码率高达５０Ｇｂｉｔ／ｓ良好的调制眼图，微腔激光器在光互联中将有广泛的应用前景。模拟了以微腔激光器为光源的光纤通信系统，给出脉码率为１０Ｇｂｉｔ／ｓ传输不同距离的接收眼图，证明能够实现６０ｋｍ的传输。
- 赵红东林世鸣张存善王守武王守武
- 关键词：半导体微腔光纤传输半导体激光器
