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过帆

作品数：9 被引量：18H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇探测器
  • 5篇红外
  • 4篇量子阱红外探...
  • 4篇红外探测
  • 4篇红外探测器
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇耦合波
  • 3篇耦合波导
  • 3篇谐振腔
  • 3篇环形谐振腔
  • 3篇激光
  • 3篇激光光束
  • 3篇激光器
  • 3篇光束
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 3篇ALGAAS...
  • 3篇波导
  • 3篇长波

机构

  • 7篇中国电子科技...
  • 2篇河北半导体研...

作者

  • 9篇过帆
  • 8篇李献杰
  • 8篇赵永林
  • 5篇蔡道民
  • 5篇尹顺政
  • 5篇齐利芳
  • 4篇刘英斌
  • 3篇周瑞
  • 3篇冯震
  • 3篇娄辰
  • 3篇赵润
  • 3篇张世祖
  • 1篇王炳雪
  • 1篇刘跳

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇Journa...
  • 1篇光电子技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇二〇〇六年全...
  • 1篇中国光学学会...

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇1991
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
基于环形谐振腔的多波长半导体激光器
本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下...
齐利芳李献杰赵永林蔡道民尹顺政过帆
512×456位硅CCD面阵摄象传感器
1991年
本文叙述了512×456位硅 CCD 面阵摄象传感器的结构和工作原理。它为三相三层多晶硅交叠栅、N 沟帧转移结构.象素单元面积17(H)×24(V)μm^2,摄象区面积7.65×6.14mm^2,垂直和水平的三相驱动栅引出总线采用了较佳的布局,提高了管芯直流性能的完好率,栅的保护结构简单、有效。
过帆王炳雪
关键词：摄像机摄像器件CCD传感器
基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器
采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器(QWIP)单元测试器件和128×128、128×160和256×2...
李献杰刘英斌冯震过帆赵永林赵润周瑞娄辰张世祖
关键词：MOCVD技术量子阱红外探测器红外热成像
文献传递
中波-长波双色量子阱红外探测器被引量：5
2008年
采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/cm2;-3V偏压、80K温度下MWIR和LWIR QWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2V偏压、65K温度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探测率分别为1.4×1011、6×1010cm.Hz1/2/W。
赵永林李献杰刘英斌齐利芳过帆蔡道民尹顺政刘跳
关键词：量子阱红外探测器暗电流密度响应光谱探测率
9μm截止波长128×128AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列(英文)被引量：4
2006年
报道了128×128 Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作.为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1·5×10-3A/cm2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8·4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB*为3·95×108(cm·Hz1/2)/ W.将128×128元Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列芯片与相关CMOS读出电路芯片倒装焊互连,在80K工作温度下实现了室温环境目标的红外热成像,盲元率小于1%.
李献杰刘英斌冯震过帆赵永林赵润周瑞娄辰张世祖
关键词：ALGAAS/GAAS量子阱红外探测器红外热成像
基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器被引量：10
2007年
采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列。用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9μm和10.9μm的截止波长;黑体探测率最高达到2.6×109 cm.Hz1/2.W-1。将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径。
李献杰刘英斌冯震过帆赵永林赵润周瑞娄辰张世祖
关键词：MOCVDALGAAS/GAAS量子阱红外探测器
基于环形谐振腔的多波长半导体激光器
本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下...
齐利芳李献杰赵永林蔡道民尹顺政过帆
文献传递
基于环形谐振腔的多波长半导体激光器
本实用新型公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本实用新型自下而上依次包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的...
齐利芳李献杰赵永林蔡道民尹顺政过帆
文献传递
GaN/AlGaN异质结单片集成紫外红外双色探测器的研制
本文采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）在蓝宝石上依次生长宽带隙半导体n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层、n+GaN发射极层,实现了一种n+/i/n+光导型单片集成紫外红外双色探测器,适用于单元和焦平面...
李献杰齐利芳赵永林尹顺政蔡道民过帆
关键词：紫外红外双色探测器异质结GAN
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