赵永林
- 作品数：46 被引量：48H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制被引量：1
- 2009年
- 介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。
- 齐利芳李献杰赵永林尹顺政蔡道民李宁甄红楼熊大元陆卫
- 关键词：红外探测器长波
- InGaAs(InAlAs)/InP和InP/InAlAs湿法选择腐蚀研究
- 2005年
- 介绍了两种选择腐蚀液对InGaAs(InAlAs)I/nP和InPI/nAlAs异质结构材料选择腐蚀的实验结果,重点介绍在InAlAs上面生长InP的湿法选择腐蚀,用HClH∶3PO4C∶H3COOH系列腐蚀液,InPI/nAlAs选择比大于300。InPI/nAlAs湿法选择腐蚀的结果可以很好应用到OEIC芯片制作中,并取得了较好的器件及电路结果。
- 赵永林蔡道明周州郭亚娜刘跳
- 关键词：选择比光电子集成电路
- AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性
- 介绍了AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测...
- 赵永林李献杰蔡道民周洲郭亚娜韩丽丽
- 关键词：ALGAASGAAS量子阱红外探测器暗电流噪声
- 文献传递
- 基于环形谐振腔的多波长半导体激光器
- 本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下...
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- InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究被引量：1
- 2007年
- 介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;
- 蔡道民李献杰赵永林刘跳林涛江李马晓宇
- 关键词：INP自对准
- 一种单片集成微型透镜及其制作方法
- 本发明公开了一种单片集成微型透镜，包括基板和微型透镜，其特征在于，所述微型透镜位于基板的凹坑内，其制作方法，包括以下工序：1)在基板的一面形成一凹坑；2)用回流光刻胶填充凹坑，然后涂覆顶层掩蔽用光刻胶；3)将凹坑上的光刻...
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- 文献传递
- 基于环形谐振腔的双波长半导体激光器的研制
- 2014年
- 由于半导体环形激光器器件尺寸不再受解理面的限制,结构简单紧凑,容易集成,近年来成为集成光源领域的研究热点之一。采用MOCVD系统外延生长InAlGaAs多量子阱激光器材料,利用BCl3,Cl2和Ar刻蚀气体的ICP干法刻蚀技术和PECVD介质钝化工艺,研制了基于环形谐振腔的双波长半导体激光器样品,实现了激光光源的单片集成。该激光器由两个半径分别为200和205μm的环形谐振腔和一条脊宽为3.4μm的直波导耦合构成,两者之间的耦合间距为1.0μm,当两个环形激光器的注入电流分别为50.12和50.22 mA时,对应的激射波长为1 543.12和1 545.64 nm。改变激光器的注入电流,可调节峰值波长与波长间隔。
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- 关键词：双波长环形激光器谐振腔单片集成耦合波导
- 单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法
- 本发明公开了一种单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法，属于光电探测器领域，它包括衬底，其紫外敏感薄膜结构与红外敏感薄膜结构集成在同一衬底材料上，从衬底向上依次为缓冲层、紫外敏感层、隔离层、红外探测结构；本发明在...
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- 文献传递
- 直波导耦合输出AlGaInAs多量子阱环形激光器研究被引量：4
- 2009年
- 采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺,研制了多量子阱半导体环形激光器样品.该器件通过加正偏压的环形结构谐振腔实现光激射,然后借助紧邻的直线波导耦合将光信号输出.环形谐振腔直径为700μm,波导宽度为3μm.用光纤对准直线波导端口耦合测试了环形激光器的光功率-电流特性曲线和激射光谱,其阈值电流为120mA,在注入电流160mA时从直波导耦合输出得到激射光谱的中心波长为1602nm,并结合光功率-电流特性曲线对环形激光器中的工作模式进行了初步分析.
- 李献杰齐利芳郭维廉于晋龙赵永林蔡道民尹顺政毛陆虹
- 关键词：多量子阱环形激光器双稳态
- 波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法
- 本发明属光电技术领域，具体涉及一种波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法，该方法通过在HBT外延材料结构上，利用Zn扩散工艺将HBT发射极区N型材料转变为P型材料，使其成为波导光探测器的上包层，同时实现PN结功能...
- 蔡道民李献杰赵永林齐丽芳曾庆明尹顺正
- 文献传递
