李献杰
- 作品数：106 被引量：116H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- AlGaN/GaN HEMT器件研究被引量：10
- 2000年
- 叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。
- 曾庆明刘伟吉李献杰赵永林敖金平徐晓春吕长志
- 关键词：GANHEMTALGAN截止频率
- InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术被引量：2
- 2000年
- 用H3PO4：H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.
- 李献杰曾庆明徐晓春敖金平刘伟吉梁春广
- 关键词：INPINGAASHBT湿法刻蚀
- AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器暗电流特性
- 介绍了AlGaAs/GaAs多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基于湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm台面单元器件,并用变温液氦杜瓦测试系统在不同温度下对红外探测器暗电流进行了测...
- 赵永林李献杰蔡道民周洲郭亚娜韩丽丽
- 关键词：ALGAAS/GAAS量子阱红外探测器暗电流
- 文献传递
- 波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法
- 本发明属光电技术领域，具体涉及一种波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法，该方法通过在HBT外延材料结构上，利用Zn扩散工艺将HBT发射极区N型材料转变为P型材料，使其成为波导光探测器的上包层，同时实现PN结功能...
- 蔡道民李献杰赵永林齐丽芳曾庆明尹顺正
- 文献传递
- AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器被引量：3
- 2014年
- 采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器。该器件利用不同的探测机理,同时实现了红外光和紫外光探测,拓展了响应光谱的范围。红外光探测是通过AlGaN/GaN异质结界面自由电子吸收和功函数内部光致发射效应完成的,紫外光探测是通过AlxGa1-xN势垒层带间吸收完成的。对单元器件的暗电流特性、紫外及红外光谱特性进行了测试。测试结果表明,紫外响应截止波长356 nm,响应度180 mA/W,红外响应峰值波长14.5μm,响应度49 mA/W。
- 齐利芳李献杰唐卓睿尹顺政赵永林
- 关键词：紫外双色探测器异质结ALGANGAN
- 基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器
- 采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器(QWIP)单元测试器件和128×128、128×160和256×2...
- 李献杰刘英斌冯震过帆赵永林赵润周瑞娄辰张世祖
- 关键词：MOCVD技术量子阱红外探测器红外热成像
- 文献传递
- 中波-长波双色量子阱红外探测器被引量：5
- 2008年
- 采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/cm2;-3V偏压、80K温度下MWIR和LWIR QWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2V偏压、65K温度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探测率分别为1.4×1011、6×1010cm.Hz1/2/W。
- 赵永林李献杰刘英斌齐利芳过帆蔡道民尹顺政刘跳
- 关键词：量子阱红外探测器暗电流密度响应光谱探测率
- 等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜被引量：8
- 2002年
- 利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．
- 王新强杨树人王金忠李献杰殷景志姜秀英杜国同杨如森高春晓Ong H.C.
- 关键词：等离子体增强MOCVD法ZNO薄膜原子力显微镜半导体薄膜
- AlGaN基日盲型紫外探测器的研制被引量：3
- 2008年
- 采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaNpin紫外探测器。介绍了器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为4.6V,零偏动态电阻为1012～1013Ω,常温下,该器件在10V反向偏压下的暗电流约为15nA,响应峰值波长为275nm,日盲区/可见盲区响应比接近103。
- 尹顺政李献杰蔡道民刘波冯志宏
- 关键词：日盲紫外探测器刻蚀
- CMOS—SEED灵巧象素中CMOS集成电路研究
- 曾庆明李献杰
- 关键词：CMOS集成电路
