齐利芳
- 作品数：26 被引量：27H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的量子阱参数设计
- 2015年
- 量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关。为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心设计。运用量子阱的第一激发态与势垒的高度接近时产生共振效应,进行了量子阱的优化设计,得出垒高和阱宽的关系。另外,根据器件光谱响应的要求,利用传输矩阵法计算出相应的量子阱参数。此设计方法在GaAs/AlGaAs长波-长波双色QWIP中得到了较好的验证。
- 张世伟齐利芳赵永林李宁
- 关键词：暗电流光谱响应探测率
- InGaAs/InP台面型pin高速光电探测器
- 2021年
- 介绍了一种应用于5G通信系统的高速光电探测器,设计了InP基台面型pin高速光电探测器材料结构,通过理论计算及软件模拟得到响应度和带宽随耗尽层厚度的变化规律,并对材料结构进行优化。制备了光敏面直径为20μm及耗尽层厚度分别为1.0、1.3和1.5μm的器件。对比响应度和带宽的理论值与实测值,结果表明实测值与理论值相符,当耗尽层厚度为1.3时响应度可达到0.89A/W,带宽可达23GHz以上,可满足25Gibit/s的传输速率要求。建立了探测器小信号模型对器件的带宽特性进行仿真,仿真结果与理论值一致,进一步验证理论分析的正确性。
- 韩孟序齐利芳尹顺政
- 关键词：光电探测器INGAAS/INP光通信响应度小信号模型
- 基于环形谐振腔的双波长半导体激光器的研制
- 2014年
- 由于半导体环形激光器器件尺寸不再受解理面的限制,结构简单紧凑,容易集成,近年来成为集成光源领域的研究热点之一。采用MOCVD系统外延生长InAlGaAs多量子阱激光器材料,利用BCl3,Cl2和Ar刻蚀气体的ICP干法刻蚀技术和PECVD介质钝化工艺,研制了基于环形谐振腔的双波长半导体激光器样品,实现了激光光源的单片集成。该激光器由两个半径分别为200和205μm的环形谐振腔和一条脊宽为3.4μm的直波导耦合构成,两者之间的耦合间距为1.0μm,当两个环形激光器的注入电流分别为50.12和50.22 mA时,对应的激射波长为1 543.12和1 545.64 nm。改变激光器的注入电流,可调节峰值波长与波长间隔。
- 齐利芳李献杰赵永林蔡道民尹顺政高向芝
- 关键词：双波长环形激光器谐振腔单片集成耦合波导
- 基于混合吸收层背入射高速铟镓砷光电探测器及制备方法
- 本发明提供了一种基于混合吸收层背入射高速铟镓砷光电探测器及制备方法，属于光探测器领域，半绝缘衬底的正面上自下至上依次生长N型欧姆接触层、吸收层、P型阻挡层和P型欧姆接触层，半绝缘衬底的背面设有透镜；N型欧姆接触层为台面结...
- 李庆伟尹顺政齐利芳赵润郝文嘉
- 文献传递
- 直波导耦合输出AlGaInAs多量子阱环形激光器研究被引量：4
- 2009年
- 采用InP基InAlGaAs多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺,研制了多量子阱半导体环形激光器样品.该器件通过加正偏压的环形结构谐振腔实现光激射,然后借助紧邻的直线波导耦合将光信号输出.环形谐振腔直径为700μm,波导宽度为3μm.用光纤对准直线波导端口耦合测试了环形激光器的光功率-电流特性曲线和激射光谱,其阈值电流为120mA,在注入电流160mA时从直波导耦合输出得到激射光谱的中心波长为1602nm,并结合光功率-电流特性曲线对环形激光器中的工作模式进行了初步分析.
- 李献杰齐利芳郭维廉于晋龙赵永林蔡道民尹顺政毛陆虹
- 关键词：多量子阱环形激光器双稳态
- 异质兼容集成半导体光电子器件与集成基元功能微结构体系被引量：1
- 2016年
- 以纳米压印光栅制作为基础,研究了适应纳米压印工艺的对接生长材料结构及生长工艺,生长的材料均匀性好,适合后续器件工艺制作。通过理论设计及实验研究,优化了浅刻蚀有源波导及深刻蚀无源波导的变换结构,降低了器件的转换损耗及回波损耗。结合后续制作的器件,对接界面插入损耗可以小于1.5 d B。完成了多种多波长阵列DFB激光器及高性能DFB激光器的制作,包括16通道200 GHz,300 GHz间隔1550 nm波段阵列激光器,4通道20 nm间隔1310 nm波段阵列激光器,双八分之一相移激光器,非对称三相移激光器,变节距啁啾调制激光器等,广泛的验证了压印工艺的可靠性及适应性。研究了阵列器件的热调谐特性及热串扰特性,取得了器件热特性数据。为下一步编写阵列器件波长控制程序取得了实验数据。依据2012年度In P基AWG测试结果,对AWG的结构设计数据进行了修正并重新设计。修正设计后制作的通道波长间隔为1.56 nm,通道中心波长1549.7 nm,串扰小于1.5d B。完成了四通道阵列激光器与多模干涉结构合波器(MMI)的单片集成芯片的设计、制作与测试,针对集成芯片完成了器件的封装设计。由于集成芯片管脚非常多,直流偏置,微波信号,热调谐信号互相之间存在耦合,串扰,布线交叉等。为此采用了多层过渡板结构,有效的将各个管脚分开,降低电学串扰。搭建芯片测试平台系统。完成了多波长半导体微环激光器的的制备与测试,采用In P基多量子阱激光器外延材料结构,利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和Si O2钝化工艺,研制了基于环形谐振腔的双波长半导体激光器样品,实现了激光光源的单片集成。改变激光器的注入电流,可调节峰值波长与波长间隔。对In P基长波长10 Gb/s单片集成OEIC光接收机进行了电路建模、共基极和共发射极OEIC集成电路设计、制备与测试,跨组放大器达到1
- 黄晓东李献杰赵建宜齐利芳周宁
- 关键词：纳米压印
- 长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制被引量：1
- 2009年
- 介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。
- 齐利芳李献杰赵永林尹顺政蔡道民李宁甄红楼熊大元陆卫
- 关键词：红外探测器长波
- 10 Gbit/s台面型InGaAs/InP pin高速光电探测器被引量：5
- 2018年
- 利用数值计算方法分析了高速光电探测器的耗尽区宽度与响应度及响应速度的关系。分析结果表明,耗尽区宽度选择应在响应度和响应速度之间折中,在响应度满足使用要求的情况下,尽量提高响应速度。利用该分析结果设计了台面型In GaAs/InP pin高速光电探测器材料结构。通过优化腐蚀工艺与钝化工艺,解决了器件腐蚀形貌和钝化问题。结合其他微细加工工艺完成了器件的制备,器件光敏区直径50μm。测试结果显示,在反向偏压为5 V时,暗电流小于1 nA,电容约为0.21 p F。此外,在1 310 nm激光辐照下,器件的响应度约为0.95 A/W,-3 dB带宽超过10 GHz,其性能满足10 Gbit/s光纤通信应用要求。
- 李庆伟李伟齐利芳尹顺政张世祖
- 关键词：光电探测器INGAAS/INP响应度响应速度
- 基于环形谐振腔的多波长半导体激光器
- 本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下...
- 齐利芳李献杰赵永林蔡道民尹顺政过帆
- AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器被引量：3
- 2014年
- 采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器。该器件利用不同的探测机理,同时实现了红外光和紫外光探测,拓展了响应光谱的范围。红外光探测是通过AlGaN/GaN异质结界面自由电子吸收和功函数内部光致发射效应完成的,紫外光探测是通过AlxGa1-xN势垒层带间吸收完成的。对单元器件的暗电流特性、紫外及红外光谱特性进行了测试。测试结果表明,紫外响应截止波长356 nm,响应度180 mA/W,红外响应峰值波长14.5μm,响应度49 mA/W。
- 齐利芳李献杰唐卓睿尹顺政赵永林
- 关键词：紫外双色探测器异质结ALGANGAN
