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詹瞻

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇功率器件
  • 7篇SOI
  • 5篇热效应
  • 5篇耐压结构
  • 3篇电场
  • 3篇电场强度
  • 3篇电荷
  • 3篇面电荷
  • 3篇界面电荷
  • 3篇场强
  • 2篇导电类型
  • 2篇电路
  • 2篇漂移
  • 2篇埋层
  • 2篇集成电路
  • 2篇高压功率器件
  • 2篇功率集成
  • 2篇功率集成电路
  • 2篇层结构
  • 1篇带隙

机构

  • 8篇电子科技大学

作者

  • 8篇张波
  • 8篇罗小蓉
  • 8篇詹瞻
  • 8篇李肇基
  • 5篇杨寿国
  • 2篇雷天飞
  • 2篇张伟
  • 2篇王元刚
  • 2篇高唤梅
  • 2篇邓浩
  • 1篇周春华
  • 1篇陈壮梁
  • 1篇雷磊

传媒

  • 1篇实验科学与技...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 5篇2007
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构
本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上...
罗小蓉张伟詹瞻邓浩高唤梅王元刚雷天飞张波李肇基
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一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件
本发明提供一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件，其特征是：耐压层结构含有两层介质层，两介质层之间填充半导体或半绝缘材料，且第一层介质有窗口。当器件加上...
罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
文献传递
一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件
本实用新型提供一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件，其特征是：耐压层结构含有两层介质层，两介质层之间填充半导体或半绝缘材料，且第一层介质有窗口。当器件...
罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
文献传递
一种具有双介质埋层的耐压层结构及SOI功率器件
本实用新型提供了一种用于SOI功率器件的具有双介质埋层的耐压层结构，以及采用该耐压层结构的SOI功率器件，属于SOI功率器件耐压技术领域。本实用新型耐压层具有双介质埋层，两介质埋层之间设置中间层。本实用新型采用的耐压层及...
罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
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宽带隙半导体器件仿真中收敛性问题的分析
2007年
针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题,通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道,其原因是少子浓度过低,从而提出3种引入平衡或非平衡少子的解决方案。ISE仿真结果表明,采用文中提出的方案在解决收敛性同时能保证求解结果正确性,并且对刚开始进行宽带隙半导体器件仿真设计的本科生有很大帮助。
罗小蓉周春华陈壮梁詹瞻张波李肇基雷磊
关键词：宽带隙半导体少数载流子
基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构
本发明公开了一种基于自隔离技术的介质场增强SOI耐压结构，包括半导体衬底层，介质埋层和半导体有源层，在所述半导体有源层上部设置有漂移区层，在所述半导体有源层的下部设置有至少一个界面岛型埋层，所述界面岛型埋层位于介质埋层上...
罗小蓉张伟詹瞻邓浩高唤梅王元刚雷天飞张波李肇基
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一种具有双介质埋层的耐压层结构及采用双介质埋层的SOI功率器件
本发明提供了一种用于SOI功率器件的具有双介质埋层的耐压层结构，以及采用该耐压层结构的SOI功率器件，属于SOI功率器件耐压技术领域。本发明耐压层具有双介质埋层，两介质埋层之间设置中间层。本发明采用的耐压层及其采用该耐压...
罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
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一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件
本发明提供一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件，其特征是：耐压层结构含有两层介质层，两介质层之间填充半导体或半绝缘材料，且第一层介质有窗口。当器件加上...
罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
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