杨寿国
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件
- 本发明提供一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件，其特征是：耐压层结构含有两层介质层，两介质层之间填充半导体或半绝缘材料，且第一层介质有窗口。当器件加上...
- 罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
- 文献传递
- 一种具有双介质埋层的耐压层结构及SOI功率器件
- 本实用新型提供了一种用于SOI功率器件的具有双介质埋层的耐压层结构，以及采用该耐压层结构的SOI功率器件，属于SOI功率器件耐压技术领域。本实用新型耐压层具有双介质埋层，两介质埋层之间设置中间层。本实用新型采用的耐压层及...
- 罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
- 文献传递
- 一种具有双介质埋层的耐压层结构及采用双介质埋层的SOI功率器件
- 本发明提供了一种用于SOI功率器件的具有双介质埋层的耐压层结构，以及采用该耐压层结构的SOI功率器件，属于SOI功率器件耐压技术领域。本发明耐压层具有双介质埋层，两介质埋层之间设置中间层。本发明采用的耐压层及其采用该耐压...
- 罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
- 文献传递
- 非均匀厚度漂移区SOI高压器件及其优化设计(英文)
- 2008年
- 提出非均匀厚度漂移区SOI高压器件新结构及其优化设计方法.非均匀厚度漂移区调制SOI层的电场并增强埋层电场,从而提高器件击穿电压.考虑到这种调制效应,提出解析模型用以优化设计该新器件的结构参数.借助解析模型,研究了电场分布和器件击穿电压与结构参数的关系.数值仿真证实了解析模型的正确性.具有3阶梯的非均匀厚度漂移区SOI器件耐压为常规结构SOI器件的2倍,且保持较低的导通电阻.
- 罗小蓉张伟张波李肇基阎斌杨寿国
- 关键词：SOI电场调制
- 一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件
- 本发明提供一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件，其特征是：耐压层结构含有两层介质层，两介质层之间填充半导体或半绝缘材料，且第一层介质有窗口。当器件加上...
- 罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
- 文献传递
- 新型SOI LDMOS高压器件研究
- SOI(SiliconOnInsulator)技术因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗辐照等优点被誉为二十一世纪高速、低功耗的硅集成主流技术,是功率集成电路(PowerIntegratedCircuit,PIC)...
- 杨寿国
- 关键词：结构参数优化设计
- 文献传递
- 一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件
- 本实用新型提供一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件，其特征是：耐压层结构含有两层介质层，两介质层之间填充半导体或半绝缘材料，且第一层介质有窗口。当器件...
- 罗小蓉张波李肇基杨寿国詹瞻
- 文献传递
- 埋氧层固定界面电荷对RESURF SOI功率器件击穿特性的影响被引量：3
- 2004年
- 通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程,建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURFSOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模型。解析结果与半导体器件模拟器MEDICI数值分析结果相吻合。在此基础上,分别研究了Qf对RESURFSOI功率器件横向和纵向击穿特性的影响规律。在横向,讨论了不同硅膜厚度、氧层厚度和漂移区长度情况下Qf对表面电场分布的影响;在纵向,通过分析硅膜内的场和势的分布,提出了临界埋氧层固定界面电荷密度的概念,这是导致器件发生失效的最低界面电荷密度。
- 郭宇锋李琦罗小蓉杨寿国李肇基张波
- 关键词：埋氧层RESURFSOI功率器件击穿
