李肇基
- 作品数：359 被引量：619H指数：13
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国防基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术理学更多>>
- Power MOSFET栅电荷分析及结构改进被引量：8
- 2004年
- 本文从驱动电路设计者的角度对MOS器件的输入电容和密勒电容进行了详细分析,并从器件基本原 理上,对决定栅电荷的寄生元件在不同的栅电压下对栅电荷的作用进行了系统的阐述。最后总结了当前国际 上为降低栅电荷提出的最新MOS器件结构。
- 衡草飞向军利李肇基张波罗萍
- 关键词：MOS器件MOSFET驱动电路电容电荷分析
- 高阶温度补偿电流基准源
- 本发明提供了一种高阶温度补偿电流基准源，包括：启动电路，该启动电路为第一一阶温度补偿电流发生器、第二一阶温度补偿电流发生器和比例求和电路提供启动偏置电压；第一一阶温度补偿电流发生器，以产生一个一阶温度补偿电流，其温度特性...
- 周号张波李肇基
- 文献传递
- 一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件
- 本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，主要通过在较厚的缓冲层中引入负电荷，达到提高器件击穿电压或者阈值电压的目的，且不会引入附加寄生电容，同时与在较薄的势垒层中...
- 罗小蓉杨超熊佳云魏杰周坤吴俊峰张波李肇基
- 文献传递
- 一种横向SOI功率半导体器件
- 一种横向SOI功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层，器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区；其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体...
- 罗小蓉王骁玮范叶范远航尹超魏杰蔡金勇周坤张彦辉张波李肇基
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- 4H-SiC SJ结构反向击穿电压的解析模型被引量：1
- 2007年
- 提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。通过求解Poisson方程,获得了反向击穿电压的解析表达式,该表达式描述了反向击穿电压与器件参数如掺杂浓度、长度、宽度和温度等的关系。通过对导通电阻的优化,获得了导通电阻与击穿电压的关系为Ron∝VB1.4。并对模型结果进行了讨论,结果与二维数值仿真吻合得很好。
- 张金平张波李肇基周春华罗小蓉
- 关键词：4H-碳化硅反向击穿电压导通电阻
- 局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型被引量：3
- 2006年
- 提出了局域寿命控制下NPT IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分为快速下降阶段和缓慢下降阶段分别加以求解而得到.基于该模型,详细讨论了局域低寿命区参数对关断时间的影响.该模型将有助于理解局域寿命控制NPT IGBT的关断过程物理图像,同时也可以用于指导该类器件的设计和优化.文中所采用的分析方法具有一定的普适性,其他类似结构和器件亦可采用此方法进行分析.
- 方健吴超乔明张波李肇基
- 关键词：局域寿命控制NPT-IGBT关断时间电导调制
- 空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管
- 1999年
- 提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管（ Ｃ Ｉ Ｌ Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ），它可以有效地控制高压下阳极区空穴注入，提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反偏 ｐ＋ ｎ＋ 结击穿电压 Ｂ Ｖ Ｚ、取样电阻 Ｒ Ａ 和阳极区结深的优化，提高了 Ｃ Ｉ Ｌ Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ 的抗闭锁能力，降低了其导通压降，并获得了初步实验结果。
- 杨健方健李肇基
- 关键词：横向绝缘栅双极晶体管智能功率集成电路功率器件
- 一种具有分裂阳极结构的SOI-LIGBT器件
- 一种具有分裂阳极结构的SOI-LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。包括衬底层、埋氧层、N<Sup>-</Sup>基区、位于N<Sup>-</Sup>基区两侧的阴极区和阳极区以及位于阴极区之上的栅极区。所述阳极区被...
- 张波陈文锁乔明方健李肇基
- 文献传递
- 高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT被引量：3
- 2019年
- 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al_2O_3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al_2O_3栅介质体缺陷,因此能够减少Al_2O_3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^(11) cm^(-2))。
- 李茂林陈万军王方洲施宜军崔兴涛信亚杰刘超李肇基张波
- 关键词：阈值电压界面态
- 一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管被引量：3
- 2019年
- 门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗。仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm^2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5%;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5%。
- 高吴昊陈万军刘超陶宏夏云谯彬施宜军邓小川李肇基张波
- 关键词：4H-SIC缓冲层脉冲功率
