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罗小蓉

作品数：296 被引量：87H指数：6
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 253篇专利
  • 33篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 141篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 101篇导通
  • 79篇半导体
  • 62篇功率器件
  • 57篇电阻
  • 50篇损耗
  • 46篇导通压降
  • 44篇二极管
  • 43篇导通电阻
  • 43篇关断
  • 41篇关断损耗
  • 37篇槽栅
  • 36篇半导体器件
  • 36篇SOI
  • 35篇电场
  • 31篇LIGBT
  • 28篇漂移区
  • 27篇击穿电压
  • 26篇功率半导体
  • 23篇肖特基
  • 22篇续流

机构

  • 292篇电子科技大学
  • 19篇电子科技大学...
  • 7篇四川大学
  • 6篇重庆中科渝芯...
  • 3篇中国电子科技...
  • 3篇东莞电子科技...
  • 2篇全球能源互联...
  • 2篇华润微电子(...

作者

  • 296篇罗小蓉
  • 146篇魏杰
  • 132篇张波
  • 68篇孙涛
  • 62篇李肇基
  • 51篇周坤
  • 36篇邓高强
  • 29篇杨超
  • 27篇张成
  • 27篇吴俊峰
  • 20篇雷天飞
  • 20篇尹超
  • 20篇王元刚
  • 20篇黄琳华
  • 18篇范远航
  • 18篇张彦辉
  • 18篇蔡金勇
  • 17篇罗尹春
  • 17篇范叶
  • 16篇姚国亮

传媒

  • 10篇微电子学
  • 7篇Journa...
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇实验科学与技...
  • 2篇四川大学学报...
  • 2篇智能电网
  • 1篇半导体情报
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇2009四川...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇’02学术年...

年份

  • 1篇2024
  • 34篇2023
  • 23篇2022
  • 29篇2021
  • 18篇2020
  • 18篇2019
  • 23篇2018
  • 24篇2017
  • 21篇2016
  • 16篇2015
  • 12篇2014
  • 8篇2013
  • 12篇2012
  • 9篇2011
  • 2篇2010
  • 7篇2009
  • 5篇2008
  • 12篇2007
  • 7篇2006
  • 3篇2005
共 296 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种功率MOS器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率MOS器件。本发明包括具有高K介质延伸栅结构的元胞结构、漏延伸区和介质槽终端，且多个元胞结构并联排布，使得器件具有以下特点：兼顾VDMOS可并联产生大电流以及LDMOS易集成...
罗小蓉尹超谭桥张彦辉刘建平周坤魏杰马达吴俊峰
文献传递
一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件。本发明具有以下几个特点：一、具有三个分离的栅结构，包括一个平面栅和两个沟槽栅，在开态时，三栅结构可以形成包括横向和纵向在内的多个沟道，增大...
罗小蓉吕孟山尹超魏杰谭桥周坤葛薇薇何清源
文献传递
一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，主要通过在较厚的缓冲层中引入负电荷，达到提高器件击穿电压或者阈值电压的目的，且不会引入附加寄生电容，同时与在较薄的势垒层中...
罗小蓉杨超熊佳云魏杰周坤吴俊峰张波李肇基
文献传递
槽型SiC MPS二极管的优化设计被引量：1
2017年
提出一种具有低反向泄漏电流和低导通电阻的SiC MPS二极管,它利用刻槽注入P区的方法突破SiC中P型离子注入深度的限制,同时采用一种新型非均匀原胞拓扑结构提高单极电流。阻断时,槽底注入的P区对肖特基结电场起到更好的屏蔽作用,减小器件反向漏电流;开态时,增大的肖特基结面积使得器件导通电阻减小。
何清源廖天张凯罗小蓉方健王嘉铭杨霏
关键词：SICMPS反向漏电流导通电阻
一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，其导电材料里面是高浓度的P型掺杂，且在槽壁一侧引入低浓度的N型掺杂区；...
罗小蓉杨洋魏杰欧阳东法王晨霞樊雕赵哲言孙涛邓高强
文献传递
一种横向SOI功率半导体器件
一种横向SOI功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层，器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区；其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体...
罗小蓉王骁玮范叶范远航尹超魏杰蔡金勇周坤张彦辉张波李肇基
文献传递
4H-SiC SJ结构反向击穿电压的解析模型被引量：1
2007年
提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。通过求解Poisson方程,获得了反向击穿电压的解析表达式,该表达式描述了反向击穿电压与器件参数如掺杂浓度、长度、宽度和温度等的关系。通过对导通电阻的优化,获得了导通电阻与击穿电压的关系为Ron∝VB1.4。并对模型结果进行了讨论,结果与二维数值仿真吻合得很好。
张金平张波李肇基周春华罗小蓉
关键词：4H-碳化硅反向击穿电压导通电阻
槽型半导体功率器件
本发明涉及一种半导体器件，该器件包括半导体衬底，所述半导体衬底上是半导体漂移区，所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区，所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构。所述...
罗小蓉姚国亮雷天飞王元刚张波
一种集成SBD的超结MOSFET
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版...
罗小蓉黄俊岳宋旭郗路凡魏杰戴恺纬张森
文献传递
槽栅半导体功率器件
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题，提供了一种槽栅半导体功率器件，其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件，其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区...
罗小蓉蒋永恒蔡金勇范叶王沛王骁伟周坤王琦罗尹春张波
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