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魏杰

作品数：155 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 149篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 76篇电子电信

主题

  • 67篇导通
  • 42篇损耗
  • 37篇电阻
  • 35篇关断
  • 33篇关断损耗
  • 32篇半导体
  • 31篇导通电阻
  • 30篇功率器件
  • 30篇二极管
  • 25篇导通压降
  • 21篇续流
  • 19篇漂移区
  • 19篇HEMT器件
  • 18篇电场
  • 18篇槽栅
  • 17篇LIGBT
  • 16篇增强型
  • 16篇势垒
  • 15篇耐压
  • 14篇栅结构

机构

  • 155篇电子科技大学
  • 4篇重庆中科渝芯...
  • 3篇电子科技大学...

作者

  • 155篇魏杰
  • 146篇罗小蓉
  • 62篇张波
  • 48篇孙涛
  • 32篇周坤
  • 28篇杨超
  • 27篇张成
  • 20篇吴俊峰
  • 16篇尹超
  • 15篇彭富
  • 15篇邓高强
  • 14篇李杰
  • 13篇李肇基
  • 13篇张彦辉
  • 12篇李鹏程
  • 11篇苏伟
  • 10篇张森
  • 10篇范远航
  • 8篇刘建平
  • 8篇李聪聪

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 28篇2023
  • 21篇2022
  • 27篇2021
  • 12篇2020
  • 9篇2019
  • 10篇2018
  • 10篇2017
  • 14篇2016
  • 9篇2015
  • 9篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 155 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种功率MOS器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率MOS器件。本发明包括具有高K介质延伸栅结构的元胞结构、漏延伸区和介质槽终端，且多个元胞结构并联排布，使得器件具有以下特点：兼顾VDMOS可并联产生大电流以及LDMOS易集成...
罗小蓉尹超谭桥张彦辉刘建平周坤魏杰马达吴俊峰
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一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件。本发明具有以下几个特点：一、具有三个分离的栅结构，包括一个平面栅和两个沟槽栅，在开态时，三栅结构可以形成包括横向和纵向在内的多个沟道，增大...
罗小蓉吕孟山尹超魏杰谭桥周坤葛薇薇何清源
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一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种缓冲层荷电RESURF HEMT器件。本发明的技术方案，主要通过在较厚的缓冲层中引入负电荷，达到提高器件击穿电压或者阈值电压的目的，且不会引入附加寄生电容，同时与在较薄的势垒层中...
罗小蓉杨超熊佳云魏杰周坤吴俊峰张波李肇基
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一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极夹断槽的短路阳极SOI LIGBT。本发明与传统短路阳极LIGBT相比，阳极端引入连接阳极电位的阳极槽，其导电材料里面是高浓度的P型掺杂，且在槽壁一侧引入低浓度的N型掺杂区；...
罗小蓉杨洋魏杰欧阳东法王晨霞樊雕赵哲言孙涛邓高强
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一种横向SOI功率半导体器件
一种横向SOI功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。器件元胞结构包括衬底、绝缘介质层及绝缘介质层上方的器件有源层，器件有源层包括源区、漏区、栅和漂移区；其中源区和漏区之间的漂移区由两个平行于器件横向方向的第一半导体...
罗小蓉王骁玮范叶范远航尹超魏杰蔡金勇周坤张彦辉张波李肇基
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一种集成SBD的超结MOSFET
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版...
罗小蓉黄俊岳宋旭郗路凡魏杰戴恺纬张森
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一种LDMOS器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层键合剥离形成介质隔离层...
罗小蓉张彦辉刘建平谭桥尹超魏杰周坤吕孟山田瑞超张波
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一种横向MOSFET器件的制造方法
本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为：通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤，使注入的离子与硅反应形成U型介质层，同时在介质层表面仍保留有单晶硅层，...
罗小蓉刘建平张彦辉谭桥尹超周坤魏杰阮新亮李鹏程张波
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一种具有逆向导通能力的GaN RC-HEMT
本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有逆向导通能力的GaN RC‑HEMT器件。本发明在传统MIS栅HEMT器件基础上引入电流阻挡层和多沟道导电通路，并且集成了反向续流肖特基管，降低了反向开启损耗。阻挡层形成2DHG阻断...
罗小蓉张成廖德尊邓思宇杨可萌魏杰贾艳江孙涛郗路凡
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一种自适应性高压低损耗功率器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种自适应性高压低损耗功率器件。相比传统LIGBT结构，本发明在LIGBT阳极端引入自适应性PMOS结构，且该PMOS结构栅极由集成二极管控制。正向导通时，PMOS沟道关闭，电子抽取路径...
魏杰朱鹏臣王俊楠杨可萌戴恺纬李杰卢金龙罗小蓉
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