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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇离子刻蚀
  • 5篇刻蚀
  • 5篇反应离子
  • 5篇反应离子刻蚀
  • 4篇ZNS
  • 3篇抗反射
  • 3篇光刻
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  • 2篇光刻技术
  • 2篇光刻胶
  • 2篇衬底
  • 1篇亚波长
  • 1篇亚波长结构
  • 1篇掩模
  • 1篇制备及性能
  • 1篇耦合波
  • 1篇耦合波理论
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇

机构

  • 5篇西北工业大学

作者

  • 5篇徐启远
  • 5篇刘正堂
  • 5篇武倩
  • 5篇李阳平
  • 2篇张淼
  • 1篇陈海波
  • 1篇郑倩

传媒

  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇物理学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2012
  • 4篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
ZnS衬底上二维亚波长结构抗反射表面的制备及性能研究被引量:2
2011年
采用接触式紫外光刻和反应离子刻蚀工艺在ZnS衬底上制备二维亚波长结构抗反射表面。在优化的光刻工艺下,以CH4、H2及Ar的混合气体为刻蚀剂,研究了刻蚀工艺对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,刻蚀速率随着射频功率的增大线性增大,随着工作压强的增加先增大后减小,随着CH4含量的增大先增大后降低。功率过大会导致刻蚀产物发生二次沉积,CH4流量过高会导致聚合物的生成加剧,这些都会影响刻蚀形貌。最后在优化的刻蚀工艺下制备出了8~12μm波段具有较好的宽波段增透效果的二维亚波长结构。
武倩刘正堂李阳平徐启远
关键词:抗反射反应离子刻蚀
ZnS衬底表面亚波长增透结构的设计及制备被引量:7
2011年
ZnS是长波红外窗口优选材料之一,而其表面反射率较高;为了减小表面反射,利用耦合波理论,对ZnS衬底表面的亚波长结构参数进行优化设计,得到了具有良好增透效果的最佳亚波长结构参数;并利用掩膜光刻、反应离子刻蚀技术在ZnS衬底表面制备出在8—12μm波段范围内有明显增透效果的二维亚波长结构,这为ZnS衬底的增透提供了一种新的方法.
徐启远刘正堂李阳平武倩张淼
关键词:耦合波理论反应离子刻蚀硫化锌
一种具有抗反射表面的ZnS红外光学窗口及其制备方法
本发明公开了一种具有抗反射表面的ZnS红外光学窗口及其制备方法。所述的ZnS红外光学窗口的抗反射表面是由ZnS衬底上柱状或孔洞面形的二维亚波长结构单元通过周期性排列而构成的二维亚波长结构表面。制备时,先通过光刻技术把图形...
李阳平刘正堂徐启远武倩
文献传递
锗表面二维亚波长结构的反应离子刻蚀制备被引量:1
2012年
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响.结果表明:刻蚀图形腰部被优先刻蚀,形成凹陷的侧壁轮廓;O2流量增大有利于在侧壁形成保护层,从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀;功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大;方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构.
李阳平陈海波刘正堂武倩郑倩张淼徐启远
关键词:光刻反应离子刻蚀亚波长结构掩模
一种ZnS红外光学窗口
本实用新型公开了一种ZnS红外光学窗口。所述的ZnS红外光学窗口的抗反射表面由ZnS衬底上柱状或孔洞面形的二维亚波长结构单元通过周期性排列而构成。制备时,先通过光刻技术把图形复制在涂覆于双面光学抛光的ZnS衬底上的光刻胶...
李阳平刘正堂徐启远武倩
文献传递
共1页<1>
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