郑倩
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- RIE对Ge衬底上制备亚波长结构形貌的影响被引量：1
- 2010年
- 利用反应离子刻蚀(RIE)技术在Ge衬底上制备宽波段亚波长结构,研究了不同SF6/O2比例条件下在不同刻蚀时间、压强和射频功率对结构形貌及刻蚀深度的影响,并用SEM对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。结果表明,SF6易与衬底发生反应,生成挥发性产物,加速了刻蚀速度。O2的加入生成的钝化膜会增强各向异性刻蚀,减慢了刻蚀速度,对衬底有刻蚀保护作用。增加压强可以增大刻蚀深度,但增加射频功率,刻蚀深度先是增加,达到一定值后下降。选择合适的工艺参数可以获得较为理想的金字塔形结构。
- 郑倩刘正堂李阳平张淼车兴森
- 关键词：反应离子刻蚀亚波长结构挥发性产物钝化膜
- 锗衬底上锥形二维亚波长结构的制备被引量：1
- 2010年
- 为了在Ge衬底上制备出锥形二维亚波长结构,文章研究了紫外接触式光刻工艺和反应离子刻蚀工艺对光刻及刻蚀图形的影响。结果发现:由于紫外光的衍射效应,光刻胶图形顶部出现了凹坑,使其有效抗蚀厚度减小,提高光刻胶图形的有效抗蚀厚度,能有效增加最大刻蚀深度;在设计上适当增大掩膜版图形尺寸,即占空比f要略大于理论设定值,可以弥补后续刻蚀过程占空比的缩小;在刻蚀气体SF6中掺入一定量的O2可明显提高Ge的刻蚀深度;降低横向刻蚀速率,从而有利于制备出锥形浮雕结构。
- 张淼刘正堂李阳平郑倩刘辉
- 关键词：反应离子刻蚀衍射效应刻蚀深度
- 锗表面二维亚波长结构的反应离子刻蚀制备被引量：1
- 2012年
- 为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响.结果表明:刻蚀图形腰部被优先刻蚀,形成凹陷的侧壁轮廓;O2流量增大有利于在侧壁形成保护层,从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀;功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大;方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构.
- 李阳平陈海波刘正堂武倩郑倩张淼徐启远
- 关键词：锗光刻反应离子刻蚀亚波长结构掩模
