李阳平
- 作品数：41 被引量：126H指数：6
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金国防基础科研计划陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 两次氧化条件对阳极氧化铝孔洞的影响
- 2015年
- 采用两次阳极氧化法在草酸溶液中制备多孔氧化铝(AAO),分别研究了电压、氧化时间及草酸溶液浓度对AAO孔洞特征的影响。结果表明,在第一次氧化过程中孔间距随氧化电压的提高而增大,氧化时间和草酸溶液浓度几乎没有影响;在第二次氧化过程中时间、电压及草酸溶液浓度对孔间距基本无影响,但是随着氧化电压的增大AAO孔径明显增大,孔洞呈六方阵列排布。此外,第二次氧化电压增大时孔洞形状由圆形到长条形、再到六边形变化;第二次氧化草酸溶液浓度增大至0.4 mol/L时所制备的AAO的相邻孔洞沿特定取向发生贯穿现象,甚至溶解,而孔洞整体分布有序性几乎不受影响。
- 李鑫李秉羲骆玉城李阳平
- ZnS衬底上GeC/GaP增透保护膜系的制备及红外光学性质被引量：6
- 2006年
- 把GeC／GaP双层膜用作ZnS衬底的长波红外（8～11．5μm波段）增透保护膜系。采用射频磁控溅射法，以高纯Ar为工作气体、单晶GaP圆片为靶制备了GaP薄膜；用射频磁控反应溅射法在高纯Ar和CH4的混合气体中，以单晶Ge圆片为靶制备了GeC薄膜。分别用柯西（Cauchy）公式和乌尔巴赫（Urbach）公式表示折射率和吸收系数，对薄膜的红外透射率曲线进行最小二乘法拟合，得到了它们的厚度及折射率、吸收系数等光学常数。GaP膜的折射率与块体材料的相近，在波长10μm处约为2．9；GeC膜的折射率较小，在波长10μm处约为1．78。用所得到的薄膜折射率，通过计算机膜系自动设计软件在ZnS衬底上设计并制备出了GeC／GaP双层增透保护膜系，当GaP膜厚较大时，由于吸收增大膜系增透效果较差；当GaP膜厚较小时，膜系有较好的增透效果。
- 李阳平刘正堂赵海龙李强
- 关键词：薄膜光学射频磁控溅射磷化镓
- 掺杂对2H-CuAlO_(2)结构和性能影响的第一性原理研究
- 2022年
- 采用基于第一性原理的广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了p型透明导电氧化物2H-CuAl_(2)在不同浓度Mg和Ca掺杂下的晶体结构以及电子特性。结果表明,Mg和Ca掺杂2H-CuAl_(2)的晶胞参数a随着掺杂浓度的升高都逐渐增大,c都逐渐减小;并且相同掺杂浓度下,Ca掺杂对晶胞参数a和c的作用大于Mg。Mg和Ca掺杂后,2H-CuAl_(2)依然具有间接带隙,带隙值随掺杂浓度增大而增大,相同掺杂浓度下,Mg掺杂2H-CuAl_(2)的带隙值大于Ca。Mg和Ca掺杂后2H-CuAl_(2)的总态密度出现增加,随着掺杂浓度增大总态密度逐渐降低,掺杂对2H-CuAl_(2)费米能级附近的导带和价带影响不大。
- 沈佐铭刘文婷毕毓嘉李阳平
- 关键词：掺杂晶体结构电子特性
- 锗衬底上反应离子刻蚀制备宽波段红外增透结构的工艺及性能研究被引量：2
- 2009年
- 研究了利用反应离子刻蚀技术在Ge衬底上制备宽波段抗反射亚波长结构时工艺参数对刻蚀速率及刻蚀选择比的影响。利用场发射扫描电镜（SEM）及原子力显微镜（AFM）对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。利用傅里叶变换红外光谱仪对其红外透过率进行了研究。结果表明：所制备亚波长结构整齐、规则；在8～12μm波段增透8％左右，起到良好的宽波段红外抗反射效果。
- 沈祥伟刘正堂卢红成李阳平闫峰
- 关键词：宽波段反应离子刻蚀刻蚀速率
- 一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法
- 本发明公开了一种ZnS红外窗口减反微结构表面的制备方法，依次经过ZnS基底清洗、Al膜层制备/高分子膜层涂布、Al膜层或高分子膜层中制备微孔结构阵列、等离子体刻蚀和去除膜层。该方法首先在ZnS表面制备Al膜层或高分子膜层...
- 李阳平陈勇范思苓林文瑾
- 反应离子刻蚀法制备石英纳米压印模板的工艺研究被引量：3
- 2012年
- 为了使用紫外纳米压印法制备出亚波长结构,研究了在石英衬底上采用光刻和反应离子刻蚀技术制备出紫外纳米压印模板,以及模板制备过程中工艺参数对光刻胶和刻蚀速率的影响。利用激光共聚焦显微镜(LSCM)及原子力显微镜(AFM)对光刻和刻蚀图形的表面形貌进行了观察,获得了工艺参数对光刻胶掩膜图形和刻蚀图形的影响规律;在最优工艺参数条件下,所制紫外纳米压印模板整齐、规则,并利用紫外可见近红外光谱仪对其紫外透过率进行了表征,反应离子刻蚀后石英模板的透过率在365 nm处仍大于90%。
- 张少峰刘正堂李阳平陈海波徐启远
- 关键词：光刻反应离子刻蚀刻蚀速率亚波长结构紫外纳米压印
- GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质被引量：2
- 2008年
- 用射频磁控反应溅射法在ZnS衬底上制备了GeC薄膜,研究了工艺参数对Ge靶溅射及GeC薄膜红外透射性能的影响.衬底温度较低时GeC薄膜中含有H,形成了CH2,CH3,Ge-CH3等,使薄膜产生红外吸收;随衬底温度升高,薄膜红外吸收明显减小.靶基距、射频功率、Ar:CH4气体流量比、总气压对靶面中毒及溅射影响较大,但对GeC薄膜红外吸收影响较小.靶面中毒严重时,所制备无氢GeC薄膜附着性能差,随靶中毒减弱薄膜附着性能变好.优化工艺后,在ZnS衬底上制备了附着性能良好的无氢GeC薄膜,其折射率约为1.78,薄膜中C的含量比Ge的大,二者主要形成了C—Ge键.所制备的GeC/GaP红外增透保护膜系对ZnS衬底有良好的增透效果.
- 李阳平刘正堂刘文婷闫峰陈静
- 关键词：红外透射光谱射频磁控溅射XPS
- 射频磁控溅射沉积薄膜的计算机模拟
- 该论文对射频磁控溅射中入射离子的产生和输运、离子对靶材的溅射、溅射原子的输运过程进行了综合考虑，根据射频辉光放电的阴极壳层理论、粒子的输运理论、离子对靶材的溅射理论建立模型，进行了计算机模拟.其中离子对靶材的溅射模拟运用...
- 李阳平
- 关键词：射频辉光放电等离子体计算机模拟射频磁控溅射
- 文献传递
- 二维亚波长结构石英紫外压印模板的制备被引量：1
- 2013年
- 利用紫外光刻和反应离子刻蚀技术在石英衬底上制备二维亚波长结构的压印模板,并对模板进行表面修饰。研究了主要刻蚀工艺参数对刻蚀速率及刻蚀形貌的影响。增加工作气压,刻蚀速率先增大到最大值,然后下降;增加射频功率可以提高刻蚀速率,但功率过大会导致刻蚀产物发生二次沉积;延长刻蚀时间可以增加刻蚀深度,但时间过长会发生过刻蚀现象。在优化的刻蚀工艺条件下制备出了较为理想的亚波长石英模板。经表面修饰后,模板表面与水的接触角增大,有效克服了压印胶的粘连,并在ZnS衬底上压印出了良好的二维亚波长结构图形。
- 陈海波李阳平王宁刘正堂
- 关键词：亚波长结构反应离子刻蚀表面修饰纳米压印
- 一种红外透明导电薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种红外透明导电薄膜及其制备方法。所述的红外透明导电薄膜是在蓝宝石衬底上依次覆盖有Cu薄膜和CuAlO薄膜。Cu薄膜的厚度为300～360nm，折射率为1.07～1.13；CuAlO薄膜的厚度为100～170...
- 冯丽萍刘正堂李阳平
