张元常
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs基In(Ga)As量子点及其复合结构的材料生长和性质研究
- 该工作采用MBE生长技术制备了In(Ga)As/GaAs量子点材料,并对其生长条件、结构和光学性质进行了较为深入的研究.主要内容包括:(1)首次对双模尺寸分布量了点中的载流子热转移机制进行了较为系统的研究.(2)首次生长...
- 张元常
- 关键词：光学性质
- 具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究被引量：3
- 2003年
- 采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点 InAlAs浸润层结构 .通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当 ,从而使浸润层的量子阱特征消失 .通过低温光致发光 (PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点 InAlAs浸润层在样品中的确切位置 .变温PL谱的研究显示 ,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽 ,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为 .这是因为采用了InAlAs浸润层后 ,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用 ,同时切断了载流子的转移通道 ,使得量子点更加孤立后表现出来的性质 .
- 朱天伟张元常徐波刘峰奇王占国
- 关键词：自组装半导体
- GaAsP混晶中的DX中心
- 1995年
- 用高分辨率深能级瞬态谱、光照深能级瞬态谱及光电容谱方法,对不同组份的掺Te的GaAsP混晶进行了实验研究,结果表明,所有被测样品中同时存在三种施主深能级,其热发射激活能各为 0.18,0.28,0.38eV.通过仔细测量与分析它们的电学和光学性质后,认为它们是由Te施主杂质形成的三种类DX中心,可能对应于Te运动会替位施主的不同原子构形.
- 张元常黄启圣康俊勇吴正云余辛
- 关键词：GAASP混晶DX中心
- 应变自组装量子点材料和量子点激光器
- 研制出高质量的GaAs基In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InGaAs/GaAs体系应变自组装量子点材料,发光波长覆盖从红光(约750nm)到近红外光(1.3μm)的范围。量子点...
- 徐波王占国梁基本韩勤龚谦刘会贇姜卫红魏永强丁鼎钱家骏刘峰奇张金福张秀兰张元常吴巨陈涌海杨锡权叶小玲
- 关键词：量子点量子点激光器INAS
- 文献传递
