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张金福

作品数:10 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 4篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇量子点
  • 6篇量子
  • 3篇量子点激光器
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇发光
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇INAS/G...
  • 2篇砷化镓
  • 2篇量子点材料
  • 2篇光学
  • 2篇半导体
  • 2篇INAS/G...
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光谱
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇电子显微术

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇张金福
  • 8篇王占国
  • 6篇刘峰奇
  • 6篇梁基本
  • 6篇丁鼎
  • 4篇韩勤
  • 4篇钱家骏
  • 4篇张秀兰
  • 3篇陈涌海
  • 3篇刘会赟
  • 2篇姜卫红
  • 2篇范缇文
  • 2篇龚谦
  • 2篇叶小玲
  • 1篇孙学浩
  • 1篇江潮
  • 1篇许怀哲
  • 1篇吴巨
  • 1篇万寿科
  • 1篇张元常

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第八届全国固...
  • 1篇第六届全国分...
  • 1篇2000年中...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 2篇2002
  • 3篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1995
  • 1篇1993
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究
2000年
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出。
钱家骏叶小玲徐波韩勤陈涌海丁鼎梁基本刘峰奇张金福张秀兰王占国
关键词:INAS/GAAS量子点激光器电致发光谱光学特性
NiIn(Ge)/n-GaAs欧姆接触的研究
1995年
本文报道了一种用电子束蒸发制备铟基金属与n型GaAs单晶欧姆接触NiIn(Ge)/n-GaAs材料.其接触电阻率ρc对随后的热退火温度存在着典型的U型依赖关系.透射电子显微镜(TEM)及俄歇电子能谱(AES)的分析结果指出ρc值的大小很大程度取决于GaAs衬底与金属接触材料间InGaAs相的形成及其覆盖度.文中还对金属接触材料与砷化镓相互作用的动力学进行了讨论.
范缇文丁孙安张金福许振嘉
关键词:砷化镓欧姆接触合金化
宽禁带半导体材料及纳米材料的低温光致发光研究
我们近期建立了一套适用于宽禁带半导体材料和纳米材料进行低温PL 测试的系统。该系统对MOCVD 法生长,以适当配比双掺Si、Zn 杂质的6H—GaN 单晶薄膜进行测量。在300K时,A 峰为带边峰,波长为367.1nm(...
万寿科孙学浩张金福王占国
关键词:氮化镓碳化硅光致发光
文献传递
低温分子束外延生长的GaAs/AlxGa#-[-x]As异质结材料的透射电子显微镜研究
范缇文张金福
关键词:砷化镓分子束外延异质结电子显微镜透射电子显微术
应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器被引量:2
2002年
通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构 ,研制出高质量的应变自组装 In Al As/Al Ga As/Ga As量子点材料和低温连续激射的红光量子点激光器。
徐波刘会赟王占国韩勤钱家骏梁基本丁鼎刘峰奇张金福张秀兰
关键词:量子点材料量子点量子点激光器半导体
热退火中横向扩散对InAs/GaAs量子点发光特性的研究
系统地研究了快速热退火对带有3个纳米In<,x>Ga<,1-x>As(x=0,0.1,0.2)盖层的3纳米主高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似...
张金福刘会云许波刘峰奇梁基本王占国
关键词:INAS/GAAS量子点快速热退火
文献传递
应变自组装InAlAs量子点材料和红光量子点激光器
本文报道了对GaAs基InAlAs量子点材料的MBE生长和材料物理性质的研究结果,以及在此基础上研制的红光量子点激光器的工作.
徐波中国科学院半导体材料科学实验室刘会赟王占国韩勤钱家骏梁基本丁鼎刘峰奇张金福张秀兰
关键词:分子束外延生长材料性质
文献传递
种子层对较大共格InAs/GaAs量子点的形成的影响
我们利用原子力显微镜和透射电子显微镜系统地研究了2个原子单层InAs种子层对InAs/GaAs量子点尺寸和形状在不同InAs 覆盖厚度(2.0,2.5,2.9原子单层)的影响。对于单层样品,非共格而且较大的InAs 量子...
张金福刘会赟徐波陈涌海丁鼎王占国
关键词:INAS/GAAS量子点分子束外延
文献传递
红光InAlAs量子点的结构和光学性质被引量:1
1999年
利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/Al-GaAs 量子点结构. 通过原子力显微镜观测表明, InAlAs量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大; 发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs 量子点的形貌. 光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围, 并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响.
周伟梁基本徐波龚谦李含轩刘峰奇姜卫红江潮许怀哲丁鼎张金福王占国
关键词:光荧光
应变自组装量子点材料和量子点激光器
研制出高质量的GaAs基In(Ga)As/GaAs、InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InGaAs/GaAs体系应变自组装量子点材料,发光波长覆盖从红光(约750nm)到近红外光(1.3μm)的范围。量子点...
徐波王占国梁基本韩勤龚谦刘会贇姜卫红魏永强丁鼎钱家骏刘峰奇张金福张秀兰张元常吴巨陈涌海杨锡权叶小玲
关键词:量子点量子点激光器INAS
文献传递
共1页<1>
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