宗登刚
- 作品数：5 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：机械工程一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
- 微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析
- 2003年
- 用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14 .0GPa± 2 9.2GPa ,残余应力为 2 65 .0MPa± 3 4.1MPa。探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响 ,得到低应力氮化硅的弯曲强度为 6.9GPa± 1.1GPa。对微桥法测量误差的分析表明 ,衬底变形。
- 宗登刚王钻开陆德仁王聪和
- 关键词：微电子机械系统氮化硅残余应力误差分析
- 微机械悬桥法研究LPCVD氮化硅薄膜力学性能
- 介绍了用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究LPCVD氮化硅薄膜的力学特性.通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形的微桥挠度解析表达式.对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行...
- 宗登刚王聪和王钻开鲍海飞陆德仁
- 关键词：微机械杨氏模量残余应力
- 文献传递
- 微机械悬桥法研究氮化硅薄膜力学性能被引量：5
- 2003年
- 利用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究低应力LPCVD氮化硅薄膜的力学特性。通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形对挠度有贡献的微桥挠度解析表达式。对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,从而得到杨氏模量、残余应力和弯曲强度等力学特性参数。低应力LPCVD氮化硅薄膜的研究结果:杨氏模量为(308.4±24.1)GPa,残余应力为(252.9±32.4)MPa,弯曲强度为(6.2±1.3)GPa。
- 宗登刚王钻开陆德仁王聪和陈刚
- 关键词：氮化硅薄膜力学性能杨氏模量残余应力
- 高量程加速度计的力学性能分析被引量：11
- 2002年
- 提出一种计算加速度计灵敏度和频率的改进方法。该方法在计算微结构的灵敏度和频率时考虑质量块的变形及梁的质量。得到的结果表明 ,当梁与质量块的厚度比变得较大时 ,梁的上表面的最大拉应力值不再等于最大压应力值。该方法计算得到的频率和忽略质量块变形与梁质量所得到的频率与ANSYS模拟相比 ,偏差由 90 %下降到 15 %。最后进行了静态测试 。
- 王钻开宗登刚陆德仁
- 关键词：加速度传感器微电子机械系统灵敏度
- 微机械材料力学性能测量
- 该论文利用纳米压入仪和改造的电光天平对微机械材料的力学特性进行了测量.用纳米压入法对(100)单晶硅及(110)单晶硅、多晶硅薄膜、干氧薄膜、湿氧薄膜、LTO薄膜、标准氮化硅薄膜、低应力氮化硅薄膜、氮化铝薄膜、氧化锌薄膜...
- 宗登刚
- 关键词：微机械杨氏模量残余应力剪切模量纳米压入
- 文献传递
