王聪和
- 作品数：7 被引量：21H指数：3
- 供职机构：香港理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划香港理工大学研究基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程电子电信更多>>
- 微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析
- 2003年
- 用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试 ,在考虑衬底变形的基础上 ,利用最小二乘法对其载荷—挠度曲线进行拟合 ,得到低应力lowpressurechemicalvapourdeposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为 3 14 .0GPa± 2 9.2GPa ,残余应力为 2 65 .0MPa± 3 4.1MPa。探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响 ,得到低应力氮化硅的弯曲强度为 6.9GPa± 1.1GPa。对微桥法测量误差的分析表明 ,衬底变形。
- 宗登刚王钻开陆德仁王聪和
- 关键词：微电子机械系统氮化硅残余应力误差分析
- 微机械悬桥法研究LPCVD氮化硅薄膜力学性能
- 介绍了用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究LPCVD氮化硅薄膜的力学特性.通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形的微桥挠度解析表达式.对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行...
- 宗登刚王聪和王钻开鲍海飞陆德仁
- 关键词：微机械杨氏模量残余应力
- 文献传递
- 微机械悬桥法研究氮化硅薄膜力学性能被引量：5
- 2003年
- 利用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究低应力LPCVD氮化硅薄膜的力学特性。通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形对挠度有贡献的微桥挠度解析表达式。对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,从而得到杨氏模量、残余应力和弯曲强度等力学特性参数。低应力LPCVD氮化硅薄膜的研究结果:杨氏模量为(308.4±24.1)GPa,残余应力为(252.9±32.4)MPa,弯曲强度为(6.2±1.3)GPa。
- 宗登刚王钻开陆德仁王聪和陈刚
- 关键词：氮化硅薄膜力学性能杨氏模量残余应力
- 激光光热偏转法测量固体材料的热扩散率被引量：5
- 1999年
- 介绍近几年来发展起来的激光光热偏转法测量固体和固体薄膜热扩散率的基本原理，并提出优化设计的测量装置，利用此装置测量了康宁玻璃基上硼硅合金薄膜的低热扩散率。
- 王聪和谭家麟施柏煊
- 关键词：热扩散率
- 制备于柔度可控基底上的连通性可调的钯基氢气传感器及其制作方法
- 本发明公开了一种制备于柔度可控基底上的连通性可调的钯基氢气传感器及其制作方法，该氢气传感器包括基底（101），在该基底（101）上蚀刻或沉积有材料、数量、形状、分布位置及间隙大小均可调节的竖直支柱（111）以调节基底（1...
- 王聪和赵蒙
- 文献传递
- 横向激光光热偏转相位法测量金刚石薄片的热扩散率被引量：12
- 2000年
- 本文介绍横向激光光热偏转装置的优化设计及其利用相位信息测量 CVD金刚石薄片的热扩散率 。
- 施柏煊殷浩王聪和黄元华谭家麟Lo K L
- 关键词：热扩散率光热偏转
- 制备于柔度可控基底上的连通性可调的钯基氢气传感器及其制作方法
- 本发明公开了一种制备于柔度可控基底上的连通性可调的钯基氢气传感器及其制作方法，该氢气传感器包括基底（101），在该基底（101）上蚀刻或沉积有材料、数量、形状、分布位置及间隙大小均可调节的竖直支柱（111）以调节基底（1...
- 王聪和赵蒙
- 文献传递
