艾尔肯
- 作品数：19 被引量：35H指数：4
- 供职机构：中国科学院新疆物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院院长基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程核科学技术医药卫生更多>>
- 注F CC4007电路的电子和X射线辐照效应
- 分析研究了用注F工艺制作的CC4007电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明,把适量的F注引入栅介质,能明显抑制辐射所引起的PMOSFET阈电压负向漂移和NMOSFET阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。Ⅰ—Ⅴ特性表明,...
- 张国强郭旗艾尔肯余学锋陆妩范隆任迪远严荣良
- 关键词：X射线辐照
- 文献传递
- 薄栅氮化物的击穿特性被引量：2
- 2002年
- 研究了含 N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明 :MOS栅介质中引入一定的 N后 ,能提高介质的电荷击穿强度 ,电荷击穿强度受 N2 O退火温度的制约 ;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微 ,击穿电场受栅偏压极性的制约。
- 张国强陆妩艾尔肯余学锋任迪远严荣良
- 关键词：击穿击穿电场
- 注FCC4007电路的电子和X射线辐照效应被引量：2
- 1999年
- 分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７ 电路电子和Ｘ射线辐照响应结果。实验表明，把适量的Ｆ注入栅场介质，能明显抑制辐射所引起的ＰＭＯＳＦＥＴ 阈电压的负向漂移和ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。Ｉ－Ｖ特性表明，栅介质中的Ｆ能减小辐射感生氧化物电荷和界面态的增长积累。注Ｆ栅介质电子和Ｘ射线辐照敏感性的降低，是Ｓｉ－Ｆ结键释放了Ｓｉ／ＳｉＯ２ 界面应力，并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的Ｓｉ－Ｈ弱键的缘故。
- 张国强郭旗艾尔肯余学锋陆妩范隆任迪远严荣良
- 关键词：X射线CMOS器件
- MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系
- 通过国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及γ总剂量辐照实验，特别是进行总剂量辐射损伤后的热载子损伤叠加实验，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了MOS结构热载子损伤...
- 任迪远余学锋艾尔肯张国强陆妩郭旗
- 关键词：MOS结构电离辐射氧化物电荷界面态
- MOS电容的热载流子损伤效应
- 对N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底热电子高场注入(SHE)，并且高频C-V及准静态C-V分析技术，从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究了MOS结构热载子损伤的特性、机...
- 张国强余学锋任迪远艾尔肯
- 关键词：界面态氧化物电荷
- 总剂量辐射对高速电路时间特性的影响被引量：1
- 2003年
- 对不同辐照偏置条件下,总剂量辐射对高速CMOS电路54HC04时间参数的影响进行了探讨,并与相应的直流参数的响应特性进行了对比,研究了两者之间的相关性。结果表明,在总剂量辐射环境下,高速CMOS电路的延迟时间变化与阈电压的漂移有着强烈的相关性,0 V和4.5 V两种偏置状态将分别导致电路的时间参数的明显退化。
- 艾尔肯余学峰郭旗严荣良陆妩张国强任迪远
- 关键词：总剂量辐射
- PMOS剂量计的退火特性被引量：10
- 2000年
- 研究了 PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现 .结果表明 :温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素 ,较高退火温度下 ,退火速率高 ,幅度大 ;相同退火温度下 ,正偏置与负偏置相比有加速退火的作用 ,其退火幅度也较大 .在 1 80℃ ,零偏条件下获得了最快的 1 0 0 %的退火效果 ;
- 范隆任迪远张国强严荣良艾尔肯
- 关键词：辐射剂量计PMOSMOS晶体管
- PMOS剂量计的退火特性研究
- 了PMOS剂量计在不同温度和栅偏置下的辐照退火表现。结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素，较高退火温度下，退火速率高，幅度大、相同退火温度下，正偏置与负偏置相比有加退火的作用，其退火幅度也较...
- 范隆任迪远张国强艾尔肯
- 54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究
- 2003年
- 本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂量率效应更为明显。辐照偏置对延迟时间退化具有强烈的影响,4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的TPLH和TPHL产生较早而明显地退化。
- 艾尔肯严荣良余学锋郭旗陆妩任迪远苏秀娣
- 关键词：卫星电子系统
- 高速CMOS电路交流特性辐照退化研究
- 研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器／线驱动器在<'60>Co辐照下，交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明，在低剂量率0.07Gy(Si)/s辐照下，延迟时间...
- 严荣良余学锋艾尔肯郭旗
