任迪远
- 作品数：211 被引量：346H指数：10
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院院长基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术航空宇航科学技术更多>>
- 电离辐射环境中的高速CMOS电路时间特性退化及其机理研究
- 本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏量)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。
- 余学峰严荣良郭旗陆妩张国强任迪远
- 关键词：CMOS电路总剂量辐射
- 文献传递
- 一种能对电离辐射总剂量进行测量的固体剂量仪
- 本发明涉及一种能对电离辐射总剂量进行测量的新型固体剂量仪，其硬件由PMOS探头、辐照敏感物理参量—阈电压漂移的测量电路、PMOS探头的加偏电路和电源四部分构成。其软件由PMOS探头的温度特性测量、电路的温度补偿设计、探头...
- 范隆严荣良任迪远
- 文献传递
- SOS-CMOS电路的电离辐照响应特性被引量：4
- 1997年
- 本文通过对ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路４０８２进行不同偏置条件下的电离辐照实验，研究了电离辐照环境中引起ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路失效的几种重要漏电机制，探讨了ＳＯＳ－ＣＭＯＳ电离辐射损伤的最劣辐照偏置条件。
- 余学锋任迪远陆妩郭旗严荣良
- 关键词：电离辐照漏电流集成电路
- 含F栅介质的Fowler-Nordheim效应被引量：3
- 1998年
- 本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应力损伤的特性，对Ｆ离子和高场应力作用机制进行了讨论．
- 张国强严荣良余学锋高剑侠任迪远
- 关键词：大规模集成电路栅介质
- pMOSFET多管级联结构辐照响应特性研究被引量：3
- 2000年
- p MOSFET剂量计多管级联结构电离辐射响应特性比单管能明显提高辐射响应灵敏度。多管共衬底级联与不共衬底级联灵敏度提高倍数较大。比较了多管共衬底级联结构在两种辐照偏置条件下的辐照响应差异 ,实验结果表明 ,辐照时 ,保持恒流注入条件 ,其响应灵敏度、线性度和稳定性均高于零偏置的结果。同时 ,研究了多管级联结构完全退火后的二次辐照响应 ,结果表明 ,响应灵敏度与线性度均高于第
- 范隆郭旗任迪远余学峰严荣良
- 关键词：PMOSFET级联结构灵敏度辐射剂量计
- 54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究
- 2003年
- 本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂量率效应更为明显。辐照偏置对延迟时间退化具有强烈的影响,4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的TPLH和TPHL产生较早而明显地退化。
- 艾尔肯严荣良余学锋郭旗陆妩任迪远苏秀娣
- 关键词：卫星电子系统
- 注氟CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性
- 2003年
- 本文研究了注氟(F)与未注F两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性及变化规律。结果显示:在MOSFET的栅场介质中适量注入F,能明显地抑制辐照感生氧化物电荷的积累和界面态密度的增长,减少漏电流及阈电压漂移,有助于改善CMOS运算放大器电路内部各单管的辐照敏感性,从而使运放电路的整体抗辐射能力得到显著提高。
- 陆妩郭旗余学锋任迪远郑毓峰张军
- 关键词：Γ辐照氧化物电荷界面态钴60
- JFET输入运算放大器不同剂量率的辐照和退火特性被引量：1
- 2005年
- 本文对几种不同型号的JFET输入双极运算放大器在不同剂量率(1、0.1、0.01及10-4、6.4×10-5Gy(Si)/s)辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究。结果显示,由于制作工艺相异,不同型号JFET输入双极运放对不同的剂量率辐照也表现出响应差异,但总的来说可分为三大类:第一类明显具有低剂量率辐照损伤增强效应,但同时又有时间效应的关系;第二类虽有不同剂量率的辐照损伤的差异,但这种差异可通过相同时间的室温退火来消除;第三类无剂量率效应,但有明显的“后损伤”现象。文中对引起电路辐照损伤差异的机理进行了探讨。
- 陆妩任迪远郭旗余学峰艾尔肯
- 关键词：^60COΓ辐照剂量率效应
- 两种注F层面的PMOSFET电离辐射响应特性被引量：5
- 1993年
- 报道了栅氧化淀积多晶硅前后分别注入43keVF离子的Si栅P沟MOSFET电离辐射响应关系。结果发现,多晶硅面注F具有较强的抑制辐射感生阈电压漂移,控制氧化物电荷和界面态生长的能力。用多晶硅面注F带入栅介质较少注入缺陷和较多替代辐射敏感应力键的F离子模型对实验结果进行了讨论。
- 张国强余学锋高剑侠任迪远严荣良赵元富胡浴红王英明
- 关键词：阈电压界面态电离辐射MOS器件
- 注F场氧介质总剂量辐照的研究被引量：3
- 1997年
- 分析研究了注F场氧MOSFET的辐射响应特性，结果表明，由于F离子具有负电中心、替换部分弱键和应力健等的作用，导致含F场氧介质具有很强的抑制电离辐射损伤的特性。场氧厚度与辐射损伤直接相关连，而沟道宽度对辐射损伤的影响不大。
- 张国强余学锋郭旗任迪远严荣良赵元富胡浴红
- 关键词：MOS器件MOSFET总剂量辐照
