郭旗
- 作品数：395 被引量：437H指数：11
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
- CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理被引量：5
- 2020年
- 为了分析恶劣空间辐射环境导致星敏感器性能退化、姿态测量精度降低的原因,深入研究了辐射环境下互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)图像传感器辐射损伤对星敏感器性能退化的影响。该方法通过建立空间辐射和CMOS图像传感器辐射损伤敏感参数、星敏感器性能参数之间的相关性,揭示了CMOS图像传感器器件参数退化到星敏感器系统参数退化的传递机制。60Co-γ辐照试验表明:辐照后,系统信噪比的降低导致星敏感器星等探测灵敏度的降低,信噪比是联系CMOS图像传感器和星敏感器系统之间的桥梁。质子辐照试验表明:当辐照注量大于3.68×10^10 p/cm^2时,已无法正确提取星点质心。该研究结果为星敏感器在轨姿态测量误差预测和修正技术的研究奠定了一定的基础,更可以为高精度星敏感器的设计提供一定的理论依据。
- 冯婕李豫东文林郭旗
- 关键词：星敏感器CMOS图像传感器
- γ射线在不同材料吸收剂量换算的Monte Carlo模拟
- EGSnrc 蒙特卡罗计算程序计算了60Co 射线由水吸收剂量转换到硅吸收剂量的转换系数,该转换系数是半导体器件辐射效应研究中经常用到的转换系数.应用EGSnrc 程序模拟了辐照源及硅和水模体,确定出60Co 射线在硅和...
- 何承发郭旗陆妩任迪远余学峰文林孙静赵云
- 关键词：Γ射线蒙特卡罗
- 一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法
- 本发明提供一种星用辐射剂量传感器的老炼筛选方法，该方法首先对辐射剂量传感器受试样品进行输出转移特性曲线测试，筛选出初值合格的辐射剂量传感器受试样品；其次，对初测合格的受试样品分别是在施加低电场应力同时进行高温应力、高低温...
- 孙静刘海涛郭旗李豫东李小龙荀明珠于钢张兴尧余学峰
- 双极器件不同剂量率的辐射效应和退火特性
- 本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的...
- 陆妩任迪远余学锋郭旗艾尔肯
- 关键词：双极晶体管双极运算放大器
- 文献传递
- PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性被引量：4
- 2013年
- 研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1MeV电子和60Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律.分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理.结果表明:1MeV电子辐照LM837引起的损伤主要是电离损伤,并且在正偏情况下比60Coγ源辐照造成的损伤大;辐照过程中,不同辐照源正偏条件下的偏置电流变化都比零偏时微大;在不同的辐照源下,LM837辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.
- 胡天乐陆妩席善斌郭旗何承发吴雪王信
- 关键词：PNP偏置条件退火
- CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性被引量：7
- 1997年
- 对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其辐照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电离辐射环境下ＣＭＯＳ运算放大器的损伤机制及参数失效机理。
- 陆妩郭旗余学锋张国强任迪远严荣良
- 关键词：CMOS运算放大器总剂量退火
- ^(60)Coγ射线对高铝组分Al_(0.5)Ga_(0.5)N基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响被引量：1
- 2013年
- 采用60Coγ射线源对高铝组分Al0.5Ga0.5N盲紫外p-i-n结构光探测器和Si基可见光p-i-n结构探测器进行了累计剂量分别为0.1,1,10Mrad(Si)总剂量辐照实验.实验发现,随着辐照剂量的增加,AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器的理想因子显著增大,辐照后理想因子n>2;而Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子随辐照剂量的变化并不明显.AlGaN盲紫外p-i-n结构光探测器理想因子的退化可能主要是因为欧姆接触性能的退化,Si基可见光p-i-n结构探测器的理想因子的变化则可能是由于敏感层的退化.
- 张孝富李豫东郭旗罗木昌何承发于新申志辉张兴尧邓伟吴正新
- 关键词：欧姆接触
- 电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析
- 蒙特卡罗方法模拟计算了质子入射科学级电荷耦合器件(Charge-coupled Device,简称CCD)结构中的能量沉积,并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验,分析了器件的辐射损伤机理.仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂...
- 曾骏哲何承发李豫东郭旗文林汪波玛丽娅王海娇
- 关键词：电荷耦合器件电荷转移质子辐照
- CCD在3MeV和10MeV质子辐照下的暗信号退化原因分析
- 辐照电子元器件可同时导致总剂量效应与位移损伤.针对某国产CCD器件,进行了3MeV和10MeV质子辐照和退火实验,试验过程中重点考察了器件的暗电流退化情况.两种能量的质子辐照均导致暗电流明显退化,退火过程中参数也都有不同...
- 文林李豫东郭旗汪朝敏汪波李金
- 关键词：质子辐照总剂量效应
- PMOS总剂量监测技术的卫星应用被引量：3
- 2002年
- 利用 PMOS剂量计技术 ,研制出国产 PMOS剂量仪 ,随“实践五号”科学实验卫星升空 ,入轨后对卫星内部进行了电离辐射总剂量监测 .取得了卫星内部的总剂量深度分布结果 .介绍了 PMOS剂量仪的原理技术和飞行结果 .与国外同类监测设备在轨结果进行对比 ,介绍并讨论了该技术的研究发展方向和我国的空间应用展望。
- 范隆任迪远郭旗严荣良朱光武王世金梁金宝
- 关键词：电离辐射卫星空间环境
