严荣良
- 作品数：102 被引量：175H指数：8
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- 相关领域：电子电信核科学技术航空宇航科学技术理学更多>>
- 退火工艺对注F MOSFET辐照特性的影响被引量：4
- 1993年
- 比较了注F后900℃ N_2退火30分钟和950℃ N_2退火10分钟两种退火方式制作的P沟MOSFET和N沟MOSFET的电离辐照行为。结果发现,注F后900℃ N_2退火30分钟具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力。用退火工艺影响栅介质中缺陷的消除模型对实验结果进行了讨论。
- 张国强余学锋高文钰任迪远严荣良赵元富胡浴红王英明
- 关键词：电离辐射退火MOSFET
- Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析被引量：1
- 2003年
- 采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析.
- 范隆郝跃严荣良陆妩
- 关键词：电离辐照
- CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性被引量：7
- 1997年
- 对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其辐照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电离辐射环境下ＣＭＯＳ运算放大器的损伤机制及参数失效机理。
- 陆妩郭旗余学锋张国强任迪远严荣良
- 关键词：CMOS运算放大器总剂量退火
- PMOS总剂量监测技术的卫星应用被引量：3
- 2002年
- 利用 PMOS剂量计技术 ,研制出国产 PMOS剂量仪 ,随“实践五号”科学实验卫星升空 ,入轨后对卫星内部进行了电离辐射总剂量监测 .取得了卫星内部的总剂量深度分布结果 .介绍了 PMOS剂量仪的原理技术和飞行结果 .与国外同类监测设备在轨结果进行对比 ,介绍并讨论了该技术的研究发展方向和我国的空间应用展望。
- 范隆任迪远郭旗严荣良朱光武王世金梁金宝
- 关键词：电离辐射卫星空间环境
- 注F MOS电容的电离辐射效应被引量：6
- 1993年
- 对于O_2栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量MOS电容的电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注量范围是5×10^(14)—2×10^(16)F/cm^2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO_2界面和SiO_2中的行为将直接影响MOS器件的辐照效应,而F的行为依赖于F注入的工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。
- 张国强余学峰高文钰任迪远严荣良赵元富胡浴红王英明
- 关键词：MOS电容界面态电离辐射氟
- 含N薄栅介质的电离辐照及退火特性
- 对含N薄栅MOS电容进行了Co-60γ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究,结果表明:栅介质中N的引入,能明显抑制辐射感生Si/SiO界面态的产生,减少初始固定正电荷和界面态,减小辐照后界面陷阱的退火速率.用一定模型解释...
- 张国强陆妩余学锋郭旗任迪远严荣良
- 文献传递
- 电离辐射环境中的高速CMOS电路时间特性退化及其机理研究
- 本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏量)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。
- 余学峰严荣良郭旗陆妩张国强任迪远
- 关键词：CMOS电路总剂量辐射
- 文献传递
- 一种能对电离辐射总剂量进行测量的固体剂量仪
- 本发明涉及一种能对电离辐射总剂量进行测量的新型固体剂量仪，其硬件由PMOS探头、辐照敏感物理参量—阈电压漂移的测量电路、PMOS探头的加偏电路和电源四部分构成。其软件由PMOS探头的温度特性测量、电路的温度补偿设计、探头...
- 范隆严荣良任迪远
- 文献传递
- SOS-CMOS电路的电离辐照响应特性被引量：4
- 1997年
- 本文通过对ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路４０８２进行不同偏置条件下的电离辐照实验，研究了电离辐照环境中引起ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路失效的几种重要漏电机制，探讨了ＳＯＳ－ＣＭＯＳ电离辐射损伤的最劣辐照偏置条件。
- 余学锋任迪远陆妩郭旗严荣良
- 关键词：电离辐照漏电流集成电路
- 含F栅介质的Fowler-Nordheim效应被引量：3
- 1998年
- 本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应力损伤的特性，对Ｆ离子和高场应力作用机制进行了讨论．
- 张国强严荣良余学锋高剑侠任迪远
- 关键词：大规模集成电路栅介质
