周春华
- 作品数：33 被引量：7H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划重庆市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 一种隔离型混合降压变换器
- 本发明涉及集成电路领域与开关电源领域，公开了一种新型混合隔离型降压变换器。本发明的混合隔离型降压变换器的开关节点处的电压摆幅为1/2输入电压，而传统隔离型降压变换器(全桥变换器、半桥变换器)开关节点处的电压摆幅为输入电压...
- 甄少伟谢泽亚武宏阳赵冰清杨芮熊海亮周春华张波
- 一种硅基GaN HEMT器件衬底偏置效应仿真建模方法
- 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种硅基GaN HEMT器件衬底偏置效应仿真建模方法。本发明基于薛定谔泊松方程为基础，考虑GaN HEMT器件在衬底偏置时由于场效应导致的阈值电压漂移以及动态导通电阻退化，将器件所受...
- 周春华母彧丞周琦杨宁李竞研张健张波
- 一种具有嵌入温度监测单元的GaN器件的过温保护电路
- 本发明属于GaN功率电子技术领域，具体涉及一种具有嵌入温度监测单元的GaN器件的过温保护电路。本发明是基于内部嵌入分布式温度监测单元的GaN功率器件作过温保护设计，所以从结构上区别于其他电路，无需专门围绕GaN功率器件设...
- 周春华李明哲周琦李竞研杨文星罗华谢静宇张波
- 4H-SiC SJ结构反向击穿电压的解析模型被引量：1
- 2007年
- 提出了4H-SiC超级结结构反向击穿电压的二维解析模型。通过求解Poisson方程,获得了反向击穿电压的解析表达式,该表达式描述了反向击穿电压与器件参数如掺杂浓度、长度、宽度和温度等的关系。通过对导通电阻的优化,获得了导通电阻与击穿电压的关系为Ron∝VB1.4。并对模型结果进行了讨论,结果与二维数值仿真吻合得很好。
- 张金平张波李肇基周春华罗小蓉
- 关键词：4H-碳化硅反向击穿电压导通电阻
- VDMOS器件ESD保护结构的设计
- 本文设计了一种多晶硅PIN二极管作为VDMOS器件的ESD保护结构。
多品硅PIN二极管通过在场氧化层上的多晶硅中小同区域进行不同掺杂实现，用来进行VDMOS器件栅源间的ESD保护。对不同I区宽度和二极管串联个...
- 李泽宏易黎周春华罗萍计建新张波
- 关键词：版图设计
- 文献传递
- 低压VDMOS沟道电阻的三维模型
- 基于低压VDMOS理论，结合器件三维结构，分析低压VDMOS的导通电阻三维效应，提出一种VDMOS沟道电阻的三维模型。ISE三维数值仿真和解析计算表明：与常规模型相比，本文模型解析解与三维数值解吻合较好。
- 王怀锋李泽宏周春华
- 关键词：功率VDMOS器件导通电阻三维数值模拟
- 分段线性温度补偿电路及温度补偿电压基准源
- 本发明公开了一种分段线性温度补偿电路及温度补偿电压基准源。分段线性温度补偿电路，包括电阻和三极管，其中，电阻至少为两个，三极管的基极与输入端口相连构成输入端，第一电阻一端与输入端口连接另一端与地线连接；三极管的发射极通过...
- 张波王俊吴国营李琛琳陈文娟周春华周泽坤李肇基
- 文献传递
- 4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究被引量：1
- 2007年
- 借助ISE TCAD,对4H-SiC MESFET进行二维数值模拟,研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明,在直流特性上,由于表面陷阱电荷引入附加耗尽层,器件饱和电流下降,输出电阻增加,夹断电压向右偏移,跨导降低;在瞬态特性上,表面陷阱电荷的缓慢变化引起了栅延迟的出现。能级靠近价带、密度较高时,表面陷阱效应越明显。
- 陈壮梁罗小蓉邓小川周春华黄何张波李肇基
- 关键词：MESFET直流特性
- 具有电压纹波检测电路的稳压开关电源
- 本发明属于电子技术领域中的稳压开关电源，通过电压纹波检测电路检测电源输出电压直流量并反馈至控制电路以控制功率开关管的导通与关断，进而实现稳压输出。本发明所述稳压开关电源的电压纹波检测电路由一个高通滤波模块、一个二阶微分运...
- 李泽宏周春华赖昌菁刘曦麟
- 文献传递
- 功率VDMOS器件ESD保护结构瞬态模型研究
- 基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行电路等效，得到各保护器件参数与功率器件抗ESD能力的解析关系，且模型结果与数值仿真结果吻合良...
- 周春华李泽宏胡永贵刘勇易黎钱梦亮
- 关键词：静电保护
