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李泽宏

作品数：992 被引量：100H指数：5
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 879篇专利
  • 57篇会议论文
  • 49篇期刊文章
  • 5篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 357篇电子电信
  • 27篇自动化与计算...
  • 18篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇理学

主题

  • 371篇半导体
  • 227篇导通
  • 153篇功率器件
  • 141篇电路
  • 140篇导通压降
  • 138篇功率半导体
  • 137篇半导体器件
  • 133篇损耗
  • 128篇晶体管
  • 127篇功率半导体器...
  • 114篇半导体功率器...
  • 107篇关断
  • 106篇电阻
  • 98篇导电类型
  • 98篇关断损耗
  • 93篇二极管
  • 92篇漂移区
  • 90篇绝缘栅
  • 88篇电流
  • 86篇槽栅

机构

  • 991篇电子科技大学
  • 20篇东莞电子科技...
  • 5篇中国电子科技...
  • 4篇微电子有限公...
  • 3篇中国民用航空...
  • 2篇四川大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇济南市半导体...
  • 2篇四川广义微电...
  • 2篇光电子有限公...
  • 1篇贵州大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇成都信息工程...
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇苏州经贸职业...
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇上海华虹宏力...
  • 1篇上海超致半导...

作者

  • 991篇李泽宏
  • 593篇张波
  • 461篇张金平
  • 436篇任敏
  • 186篇刘竞秀
  • 174篇高巍
  • 67篇谢驰
  • 61篇赵阳
  • 52篇罗蕾
  • 50篇赵念
  • 49篇赵倩
  • 45篇王康
  • 42篇李肇基
  • 39篇李爽
  • 39篇杨洋
  • 35篇曹晓峰
  • 34篇吴明进
  • 33篇陈哲
  • 29篇汪榕
  • 29篇陈文梅

传媒

  • 14篇第十五届全国...
  • 12篇微电子学
  • 8篇半导体技术
  • 8篇2014`全...
  • 7篇Journa...
  • 6篇电子元件与材...
  • 6篇四川省电子学...
  • 5篇2011’全...
  • 4篇四川省电子学...
  • 4篇2013‘全...
  • 3篇中国电器工业...
  • 2篇电子科技大学...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇2009四川...
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇激光杂志
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子元器件应...

年份

  • 52篇2023
  • 55篇2022
  • 56篇2021
  • 124篇2020
  • 122篇2019
  • 125篇2018
  • 72篇2017
  • 81篇2016
  • 34篇2015
  • 52篇2014
  • 39篇2013
  • 55篇2012
  • 39篇2011
  • 6篇2010
  • 17篇2009
  • 15篇2008
  • 20篇2007
  • 8篇2006
  • 5篇2005
  • 9篇2004
共 992 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于Trench工艺的超结型双向阻断MOS器件及制备方法
本发明提供一种基于Trench工艺的超结型双向阻断MOS器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的P型衬底、P型外延层和N型漂移区；N型漂移区上层左边具有漏端第一凹槽、中间具有栅极凹槽和右边具有漏端第二凹槽；该结构对漏端...
李泽宏欧阳钢胡汶金任敏高巍张金平张波
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一种超结MOS型功率半导体器件及其制备方法
一种超结MOS型器件及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统深槽MOS型器件的基础上，通过在漂移区中形成三维超结结构，以此克服厚漂移区和深沟槽所带来漂移区无法完全耗尽的问题，在提高器件耐压性能的同时能够降低...
张金平王康赵阳罗君轶刘竞秀李泽宏张波
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一种具有凹槽栅型JFET结构的IGBT器件
一种具有凹槽栅型JFET结构的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在器件正向阻断时体区中产生耗尽区之外的中性区引入等效为JFET可变电阻的JFET区，在器件正向导通时存储空穴，正向阻断时为空穴提供快速泄放...
李泽宏彭鑫殷鹏飞杨洋张金平高巍任敏张波
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一种具有高电流上升率的栅控晶闸管
本发明提供了一种具有高电流上升率的栅控晶闸管，属于功率器件技术领域。本发明自下而上包括依次层叠设置的金属阳极、第一导电类型半导体掺杂衬底，第二导电类型半导体掺杂外延层，所述第二导电类型半导体掺杂外延层的上表面设置有金属阴...
李泽宏林育赐谢驰罗蕾李佳驹任敏张波
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一种具有浮岛结构的沟槽型二极管
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种具有浮岛结构的沟槽型二极管。本发明的沟槽型二极管，其特征在于，在沟槽中设置有第一N型半导体掺杂区、浮空P岛和第二N型半导体掺杂区；所述第二N型半导体掺杂区位于沟槽的侧壁与栅氧化层...
李泽宏伍济刘永陈钱郭绪阳
绝缘栅双极型晶体管均流输出电路
本发明涉及IGBT并联均流电路。本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，解决由于IGBT自身电学特性，特别是饱和压降参数不一致导致的不均流问题。本发明的技术方案是，绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，由N个模块并联组...
李泽宏吴明进刘广涛蒋汇曾智
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一种全恒温区双极晶体管的研制
发射区重掺杂引起的禁带变窄效应使常规硅双极晶体管HFE具有较高正温度系数，为了获得电流增益HFE具有低温度系数的双极型晶体管，结合发射区轻掺杂技术，采用多品硅作部分发射极结构，设计一种全恒温区双极晶体管，试验结果表明，该...
李洵李泽宏吕沛
关键词：双极晶体管温度系数多晶硅发射极
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一种JFET触发的可编程双向抗浪涌保护器件
本发明涉及一种JFET触发的可编程双向抗浪涌保护器件，属于功率半导体技术领域，用于保护SLIC免受因雷电等因素引起的浪涌过电压干扰。该保护器件由两个保护单元组成，包括四个JFET和四个晶闸管。四个分立的JFET分别为每个...
李泽宏何云娇王彤阳莫家宁蒲小庆程然王志明任敏张金平高巍张波
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一种JFET器件及其制造方法
本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件在栅区一端引入了浅槽辅助层13，浅槽辅助层13靠近源端一侧，利用此浅槽辅助层13来减弱沟道调制效应，从而实现在宽电压输入范围内，输出电...
李泽宏赖亚明刘建弋才敏吴玉舟伍济
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一种抗闩锁效应的绝缘栅双极型晶体管
一种抗闩锁效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明利用离子注入、沉积或热生长方法或直接使用部分SOI硅片，在P型基区和N<Sup>-</Sup>漂移区之间的界面处设置一层隔离介质层，阻断N...
李泽宏杨文韬张金平张波
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