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周琦
作品数:
85
被引量:18
H指数:2
供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
电气工程
经济管理
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合作作者
张波
电子科技大学
陈万军
电子科技大学
施媛媛
电子科技大学
刘超
电子科技大学
张安邦
电子科技大学
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作者
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周琦
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张波
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2篇
2013
共
85
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一种GaN器件动态导通电阻测量电路
本发明属于电子电路技术领域,涉及一种GaN器件动态导通电阻测量电路。本发明从GaN应用中所紧密相关的动态特性出发,测试电路包括驱动电路、软硬开关转换电路以及钳位电路;驱动电路以ADuM4224为核心;开关转换电路包括两个...
周琦
刘熙
叶星宁
陈涛
李佳
张波
文献传递
一种半桥电路直通保护电路
本发明公开了一种半桥电路直通保护电路,通过增强型GaN功率晶体管和GaN基二极管实现全GaN集成的基本数字逻辑单元电路,即与非门子电路和或非门子电路的设计,进而通过与非门子电路和或非门子电路实现全GaN集成的半桥电路直通...
周琦
程前
明鑫
施媛媛
韩晓琦
马骁勇
张宣
张波
文献传递
一种氮化镓3D-RESURF场效应晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体器件技术领域,具体为一种氮化镓3D‑RESURF场效应晶体管及其制备方法。本发明在传统氮化镓HEMT器件中通过刻槽并二次外延的方式引入P型氮化镓电场调制区。在漂移区处形成P型氮化镓—二维电子气构成的p‑n...
周琦
李翔宇
黄芃
陈匡黎
王景海
韩晓琦
张波
文献传递
一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法
一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法,属于材料技术领域,涉及材料表面处理工艺和半导体器件制备工艺。本发明提出一种Ⅲ族氮化物半导体材料干法刻蚀后的表面处理方法,将干法刻蚀后的Ⅲ族氮化物半导体材料浸没在浓度为1%...
周琦
鲍旭
汪玲
牟靖宇
施媛媛
章晋汉
靳旸
陈万军
张波
文献传递
银川医保药店信息管理系统的设计与实现
银川医保药店信息管理系统设计完成于2000年,采用SQLServer、Oracle等数据库和C/S技术开发,虽然中间做过比较大的升级,但体系架构,所使用的技术没有做大的改变,所有的药店系统都是相对独立的系统,采用传统的报...
周琦
关键词:
信息管理系统
数据整合
服务器
一种GaN异质结纵向场效应管
本发明涉及半导体器件技术领域,涉及一种GaN异质结纵向场效应管。本发明采用纵向分立栅结构,将肖特基源极淀积在栅极之间,形成逆导二极管的阳极。通过引入P型基区形成的背势垒和凹槽栅共同作用耗尽栅下方沟道处的二维电子气(2DE...
周琦
朱若璞
陈万军
张波
文献传递
GaN功率器件栅驱动电路技术综述
被引量:12
2020年
第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转换效率,特别适合电源模块小型化发展趋势。介绍了200 V以下低压GaN驱动电路的应用和关键技术。分析了从低压系统拓展到400 V以上高压系统时需要作出的优化与改进。详细介绍了高压GaN系统中基于无磁芯变压器耦合隔离的隔离驱动技术和耗尽型GaN负压栅驱动技术。最后,总结了目前高压GaN驱动电路在工业领域的具体应用。
冯旭东
胡黎
张宣
明鑫
周琦
张波
一种GaN基ESD保护电路
本发明属于半导体器件及集成电路技术领域,公开了一种GaN基静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含增强型p‑GaN HEMT器件和限流电阻。本发明由触发电路和静电流泄放电路组成,利用增强型p‑GaN H...
周春华
邓超
周琦
熊琦
王凯弟
王守一
党其亮
张波
一种具有垂直复合钝化结构的GaN HEMT器件
本发明属于半导体技术领域,涉及一种具有垂直复合钝化结构的GaN HEMT器件。本发明中带有(源)场板的GaN HEMT功率晶体管具有双层垂直复合钝化结构,利用具有高热导率的第一层介质材料和high k的第二层介质材料作为...
周琦
杨文星
李明哲
韩阳
李竞研
吴桐
张波
一种基于Ⅲ族氮化物的ESD保护电路
本文涉及一种基于Ⅲ族氮化物的静电放电(ESD)保护电路解决方案。所述ESD保护电路包含二极管、第一晶体管、第二晶体管、第一限流电阻和第二限流电阻。所述的二极管为N个二极管串联,其一个二极管的阳极电连接到另一个二极管的阴极...
周琦
邓超
周春华
王凯弟
熊琦
王守一
党其亮
张波
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