胡自强
- 作品数：6 被引量：7H指数：1
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 外加电场下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究
- 邓泽超庞学霞胡自强张晓龙
- 课题对不同条件下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒的成核生长动力学过程进行了分析研究。研究表明，在环境气体氛围中，通过纳秒脉冲激光烧蚀单晶硅靶，纳米硅晶粒能够在靶和衬底之间的空间范围内形成。由于烧蚀羽辉的不均匀性，晶粒的空间成核...
- 关键词：
- 脉冲激光烧蚀单晶硅羽辉中粒子荷电特性
- 2013年
- 在室温和真空环境中,引入外加直流电场,通过脉冲激光烧蚀单晶硅靶,在与电极板和羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列薄膜.扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射谱和X线衍射(XRD)谱检测结果均表明,随着电压和衬底位置的变化,均无纳米晶粒形成.结合晶粒成核生长动力学,分析得出烧蚀羽辉中只包含硅原子、带正电硅离子和带负电的电子.
- 邓泽超胡自强丁学成褚立志王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀电场
- Ar环境下脉冲激光烧蚀粒子阻尼系数的空间分布被引量：1
- 2012年
- 在10 Pa的Ar环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,分别在半径为2.0,2.5,3.0,3.5和4.0 cm的半圆环不同角度处的衬底上制备了一系列含有纳米晶粒的Si晶薄膜。使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对其表面形貌和微观结构进行分析表征。结果表明,纳米Si晶粒的平均尺寸和烧蚀粒子的阻尼系数均相对于羽辉轴向呈对称分布,并随着与羽辉轴向夹角的增大而减小;同时,随着衬底半径的增加,晶粒平均尺寸和阻尼系数均逐渐减小。
- 王英龙胡自强邓泽超翟小林褚立志丁学成傅广生
- 关键词：脉冲激光烧蚀阻尼系数
- 电场中不同能量密度激光烧蚀制备纳米硅晶粒分布特性被引量：1
- 2013年
- 在室温和10 Pa氩气环境中,引入平行于靶面方向的直流电场,通过改变脉冲激光能量密度烧蚀单晶硅靶,在与羽辉轴线呈不同角度的衬底上沉积纳米硅晶薄膜。利用扫描电子显微镜和拉曼散射谱对沉积样品进行分析,结果表明:随着激光能量密度的增加,位于相同角度衬底上的晶粒尺寸和面密度逐渐变大;在同一激光能量密度下,零度角处衬底上的晶粒尺寸和面密度最大,且靠近接地极板处的值比与之对称角度处略大。通过朗缪尔探针对不同能量密度下烧蚀羽辉中硅离子密度变化的诊断、结合成核区内晶粒成核生长动力学过程,对晶粒分布特性进行了分析。
- 邓泽超胡自强张晓龙褚立志丁学成梁伟华王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀电场
- 不同能量密度下脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核生长动力学研究被引量：4
- 2011年
- 在室温、10 Pa氩气环境下,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,通过改变激光能量密度,在烧蚀点正下方、与烧蚀羽辉轴线平行放置的衬底上沉积制备了一系列纳米Si晶薄膜。采用SEM、Raman散射谱和XRD对纳米Si晶薄膜进行了表征。结果表明:沉积在衬底上的纳米Si晶粒分布在距靶一定的范围内,晶粒尺寸随与靶面距离的增加先增大后减小;随着激光能量密度的增加,晶粒在衬底上的沉积范围双向展宽,但沉积所得最大晶粒尺寸基本保持不变,只是沉积位置随激光能量密度的增加相应后移。结合流体力学模型、成核分区模型和热动力学方程,通过模拟激光烧蚀靶材的动力学过程,对纳米Si晶粒的成核生长动力学过程进行了研究。
- 邓泽超罗青山胡自强丁学成褚立志梁伟华陈金忠傅广生王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀能量密度
- 电场条件下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究被引量：1
- 2014年
- 在室温、10Pa氩气环境氛围中,引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加直流电场,采用脉冲激光烧蚀技术制备了一系列纳米硅晶薄膜,衬底分布于以烧蚀点为圆心的弧形支架上.扫描电子显微镜、喇曼散射谱和X射线衍射谱检测结果表明:晶粒平均尺寸随着电压的增加逐渐变大,且靠近接地极板处的晶粒尺寸比与之对称角度处的略大;薄膜中晶粒面密度随着电压的增加先减小后增大而后再减小.
- 邓泽超胡自强丁学成褚立志秦爱丽傅广生王英龙
- 关键词：纳米晶粒脉冲激光烧蚀外加电场
