邓泽超
- 作品数：83 被引量：125H指数：7
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 衬底对单脉冲激光烧蚀下环境密度恢复时间的影响
- 2009年
- 假定烧蚀粒子与环境气体原子均为刚性硬球,采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对单脉冲激光烧蚀产生的硅(Si)粒子在1000Pa环境氦(He)气中的传输过程进行了数值模拟,研究了衬底对环境密度恢复时间的影响。结果发现,衬底对粒子完全反弹和完全吸附的情况下对应的环境密度恢复时间分别为1713.2μs和1663.2μs,并且随着衬底对粒子临界吸附速度的增大,环境密度恢复时间先增大后减小。
- 邓泽超褚立志丁学成李艳丽梁伟华傅广生王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀蒙特卡罗模拟
- 脉冲激光烧蚀制备纳米Si薄膜
- 邓泽超
- 镍掺杂硅纳米线电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量：7
- 2010年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对镍掺杂硅纳米线的结构稳定性、电子与光学性质进行了研究.结果表明:Ni容易占据硅纳米线表面的替代位置.镍掺杂后的硅纳米线引入了杂质能级,杂质能级主要来源于Ni的3d电子的贡献.由于Ni的3d态和Si的3p态的耦合作用,使禁带宽度变窄.掺杂后的硅纳米线在低能区出现了一个较强的吸收峰,且吸收带出现宽化现象.
- 梁伟华丁学成褚立志邓泽超郭建新吴转花王英龙
- 关键词：硅纳米线掺杂电子结构光学性质
- 外加电场下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究
- 邓泽超庞学霞胡自强张晓龙
- 课题对不同条件下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒的成核生长动力学过程进行了分析研究。研究表明，在环境气体氛围中，通过纳秒脉冲激光烧蚀单晶硅靶，纳米硅晶粒能够在靶和衬底之间的空间范围内形成。由于烧蚀羽辉的不均匀性，晶粒的空间成核...
- 关键词：
- 基于朗缪尔探针的硅离子空间分布特性及纳米晶粒生长过程研究
- 2013年
- 在室温、10 Pa氩气环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,在以烧蚀点为圆心、半径为2 cm的玻璃弧形支架的不同角度处放置衬底,沉积了纳米Si晶薄膜。通过扫描电子显微镜、拉曼散射仪对制备样品的形貌和特性进行分析。结果表明:纳米Si晶粒以羽辉轴线为轴呈对称分布,在轴线处平均尺寸最大,随着衬底同轴线夹角的增加,晶粒尺寸逐渐减小。结合朗缪尔探针对空间不同位置羽辉中Si离子密度和热运动温度分布的诊断情况,从晶粒生长过程的角度对其尺寸随空间位置变化的结果进行了研究,得到了晶粒尺寸正比于烧蚀粒子密度和热运动温度的结论。
- 邓泽超刘海燕张晓龙褚立志丁学成秦爱丽王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀
- 一种在水面上产生大尺度片状等离子体羽的装置及方法
- 本发明提供了一种在水面上产生大尺度片状等离子体羽的装置及方法。该装置包括供气机构、矩形介质气道、棒电极、水槽和高压直流电源；矩形介质气道左端为进气口，右端为出气口；供气机构用于为矩形介质气道提供工作气体；棒电极和水槽以上...
- 邓泽超武珈存贾鹏英李雪辰
- 一种量子点敏化太阳能电池对电极及其制备方法
- 本发明提供了一种量子点敏化太阳能电池对电极及其制备方法，制备方法包括：（a）制备聚丙烯腈碳纳米纤维；（b）将羧甲基纤维素钠、异丙醇和乙醇混合均匀，磁力搅拌10‑14 h，得到粘合剂；（c）将步骤（a）所得的碳纳米纤维研磨...
- 李玲邓泽超张文明赵晓辉刘双安赵开封
- 外加氩气流下脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒成核生长动力学研究被引量：1
- 2012年
- 为研究纳米硅晶粒成核生长动力学过程,采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在室温,50～200 Pa的氩气氛围中,通过引入垂直于烧蚀羽辉轴线的外加气流,在水平放置的衬底上沉积了一系列纳米Si晶薄膜。扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射和X射线衍射(XRD)检测结果表明,未引入气流时,衬底上相同位置处晶粒尺寸随气体压强的增大逐渐减小;在距靶1～2 cm范围内引入气流后,尺寸变化规律与未引入气流时相反。通过分析晶粒尺寸及其在衬底上的位置分布特点,结合流体力学模型和热动力学方程,分析得出在激光能量密度一定的条件下,环境气体压强、烧蚀粒子温度和密度共同影响着纳米晶粒的成核生长。
- 邓泽超王世俊丁学成褚立志梁伟华赵亚军陈金忠傅广生王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀
- 铅基铁电薄膜与半导体硅的集成研究及应用
- 刘保亭边芳赵庆勋郭建新李晓红周阳邓泽超闫正王英龙郭庆林
- 本项目以铁电器件与半导体硅的集成作为研究对象，采用磁控溅射法在硅基片上制备金属间化合物薄膜，采用现代分析手段研究了薄膜的微结构、形貌、组分、输运性质和抗氧化能力，进而以金属间化合物薄膜为阻挡层，构架了硅基铁电薄膜电容器，...
- 关键词：
- 关键词：半导体硅
- 脉冲激光烧蚀沉积纳米Si晶粒尺寸均匀性研究
- 王英龙赵树民褚立志周阳邓泽超王晓菲傅广生
- “脉冲激光烧蚀沉积纳米Si晶粒尺寸均匀性研究”系河北省自然科学基金重点资助项目(项目编号：E2005000129)。经课题组自2005年至2007年三年的研究，现已完成该项目的各项研究内容，取得了预期的研究成果。得到了一...
- 关键词：
- 关键词：脉冲激光纳米SI晶粒尺寸均匀性
