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王中旭

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 10篇肖特基
  • 8篇势垒
  • 8篇晶体管
  • 5篇势垒层
  • 5篇隧穿
  • 5篇欧姆接触
  • 5篇二极管
  • 5篇半导体
  • 4篇氮化镓
  • 3篇氮化镓器件
  • 3篇导体
  • 3篇电极
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇散热
  • 3篇输出功率
  • 3篇隧穿电流
  • 3篇迁移率
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇禁带
  • 3篇宽禁带

机构

  • 21篇西安电子科技...

作者

  • 21篇王中旭
  • 20篇张进成
  • 20篇郝跃
  • 20篇赵胜雷
  • 10篇刘爽
  • 5篇刘志宏
  • 5篇陈大正
  • 4篇朱丹
  • 3篇张春福
  • 1篇毛维
  • 1篇宁静

年份

  • 6篇2023
  • 6篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2010
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种晶体管及其制备方法
本申请属于半导体技术领域，特别是涉及一种晶体管及其制备方法。常规器件电场集中使得器件击穿电压低，抗单粒子特性很差，因此限制P‑GaNHEMT器件在高压工作模式和宇航环境的应用。本申请提供了一种晶体管，包括本体，所述本体包...
赵胜雷张嘎张进成南继澳刘爽宋秀峰王中旭郝跃
一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法，此肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层和钝化层；阳极凹槽，设置于所述缓冲层的上表面，且位于所述缓冲层、所述插入...
赵胜雷朱丹张进成陈大正王中旭刘志宏宁静郝跃
文献传递
一种具有超结结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法
本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有超结结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；位于势垒层上的源极和漏极，且源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触...
赵胜雷张嘎张进成南继澳刘爽宋秀峰王中旭郝跃
基于横向肖特基隧穿发射结的半导体垂直IGBT及制备方法
本发明公开了一种基于横向肖特基隧穿发射结的半导体垂直IGBT及制备方法，包括：P+衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、两个发射极(4)、栅介质层(5)、栅极(6)、两个金属加厚层(7)、钝化层(8)、集电极...
赵胜雷刘爽张进成宋秀峰刘志宏张苇杭王中旭郝跃
文献传递
一种完全对称的新型垂直结构负载点模块
本发明公开了一种完全对称的新型垂直结构负载点模块，涉及电力电子技术领域，包括：氮化镓功率模块、磁芯、绕组、多个印刷电路板和输出电容，磁芯包括上端板、下端板以及位于二者之间的多个支腿，多个印刷电路板包括第一、第二和第三印刷...
于龙洋赵胜雷涂一肖王中旭张进成郝跃
基于纵向肖特基源隧穿结的准垂直场效应晶体管及方法
本发明公开了一种基于纵向肖特基源隧穿结的准垂直场效应晶体管及方法，准垂直场效应晶体管包括：衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、栅介质层(4)、两个漏极(5)、栅极(6)、两个源极(7)和四个金属加厚层(8)...
赵胜雷宋秀峰张进成刘爽吴银河陈大正王中旭郝跃
文献传递
适用于顶部散热GaN器件的热测量开关损耗电路及方法
本发明公开了一种适用于顶部散热GaN器件的热测量开关损耗电路及方法，热测量开关损耗电路中，待测氮化镓器件T<Sub>1</Sub>的漏极和辅助氮化镓器件T<Sub>3</Sub>的漏极连接至电压源V<Sub>DC</Su...
于龙洋赵胜雷王中旭张进成郝跃
基于横向肖特基源隧穿结的全垂直场效应晶体管及方法
本发明公开了一种基于横向肖特基源隧穿结的全垂直场效应晶体管及方法，包括：衬底层(1)、n+缓冲层(2)、n‑漂移层(3)、栅介质层(4)、漏极(5)、栅极(6)、两个源极(7)、两个金属加厚层(8)。本发明中的器件本身为...
赵胜雷宋秀峰张进成刘爽刘志宏张苇杭王中旭郝跃
文献传递
适用于多相buck的低轮廓磁集成电感及变换器拓扑结构
本发明公开了一种适用于多相buck的低轮廓磁集成电感及变换器拓扑，涉及电力电子技术领域，该磁集成电感包括：磁芯以及集成在磁芯中的多相绕组；磁芯在第一方向上的正投影为矩形，多相绕组集成在磁芯内部且沿第二方向间隔排布，磁芯包...
于龙洋赵胜雷涂一肖王中旭张进成郝跃
一种具有浅超结的P-GaN高电子迁移率晶体管及方法
本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管及方法,具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管从下至上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层；所述势垒层上表面的中部设有P‑GaN层，所述...
赵胜雷张嘎张进成南继澳刘爽宋秀峰王中旭郝跃
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