您的位置： 专家智库 > >

张炜

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 7个电子电信
  • 2个理学
  • 1个生物学
  • 1个电气工程
  • 1个自动化与计算...
  • 1个医药卫生
  • 1个农业科学
  • 1个一般工业技术
  • 1个文化科学
  • 1个历史地理

主题

  • 6个氮化镓
  • 6个导体
  • 6个电离
  • 6个施主
  • 6个物理学
  • 4个等离子增强化...
  • 4个电场
  • 4个电场分布
  • 4个电学
  • 4个电学特性
  • 4个电子阻挡层
  • 4个势垒
  • 4个欧姆接触
  • 4个迁移率
  • 4个阻挡层
  • 3个氮化
  • 3个氮化物
  • 3个氮化物半导体
  • 3个氮化物半导体...
  • 3个导通

机构

  • 7个中山大学

资助

  • 7个国家高技术研...
  • 7个国家重点基础...
  • 7个国家自然科学...
  • 7个国际科技合作...
  • 7个国家教育部博...
  • 2个广东省自然科...
  • 2个广州市科技计...
  • 2个广东省科技计...
  • 1个电子信息产业...

传媒

  • 7个中国科技论文
  • 7个第13届全国...
  • 3个电力电子技术
  • 3个第十七届全国...
  • 3个2013年全...
  • 2个电源学报
  • 1个激光生物学报
  • 1个半导体技术
  • 1个文物春秋
  • 1个照明工程学报
  • 1个半导体光电
  • 1个微纳电子技术
  • 1个第十五届全国...
  • 1个2011’全...
  • 1个第十五届全国...

地区

  • 6个广东省
共 7 条 记 录，以下是 1-7
刘扬
供职机构：中山大学
研究主题：GAN 栅极 势垒 阈值电压 FET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王硕
供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室
研究主题：场板结构 材料特性 表面态 MOSFET HFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金城
供职机构：中山大学
研究主题：GAN MOSFET MI 氮化镓 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚尧
供职机构：中山大学
研究主题：FET器件 GAN 绝缘层 欧姆接触 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪毅强
供职机构：中山大学
研究主题：绝缘层 势垒 沟道 FET器件 氮化物半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨帆
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：MOSFET GAN 表面态 施主 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺致远
供职机构：中山大学
研究主题：GAN SI衬底 欧姆接触 ALGAN/GAN 功率型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0