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谭永亮

作品数：26 被引量：29H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
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传媒

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地区

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崔玉兴
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：谐振器 衬底 半导体 腔体 压电层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张力江
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：衬底 谐振器 电极 腔体 GAN_HEMT器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡泽先
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：高温退火 欧姆接触电极 电极 GAN_HEMT器件 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周国
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 衬底 晶圆 GAN_HEMT器件 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付兴中
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：硅基 晶圆 键合 芯子 芯片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高渊
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：衬底 腔体 谐振器 压电层 滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付兴昌
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：衬底 场效应晶体管 氧化镓 谐振器 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘英坤
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：硅 S波段 等离子体波 高功率 微波脉冲功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖龙忠
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：金属 变压器 数字隔离器 HEMT GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
默江辉
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：SIC_MESFET 微波器件 功率器件 场板 夹具
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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