周国
- 作品数：37 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学化学工程更多>>
- Si基GaN器件的通孔制备方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN器件的通孔制备方法，该方法包括：分别去除晶圆上表面的AlGaN层与第一通孔区对应的部分和GaN外延层与第一通孔区对应的部分，露出Si衬底层，形成一个第一通孔；其中，所述晶...
- 周国高渊刘亚亮杨志虎刘相伍张力江崔玉兴
- 文献传递
- 碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件
- 本发明提供了一种碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件，属于半导体器件制备领域，包括：对碳化硅圆片进行清洗；在碳化硅圆片表面淀积一层介质；光刻定义P型掺杂区域；对需要P型掺杂的区域进行离子注入，并去除光刻胶；光刻...
- 刘相伍谭永亮周国闫锐崔玉兴
- 文献传递
- GaN HEMT器件的通孔制备方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件的通孔制备方法，该方法包括：在晶圆的势垒层的上表面生长介质层；其中，所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层；去...
- 宋洁晶谭永亮胡多凯李飞周国崔玉兴
- 文献传递
- 金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管
- 本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管，该方法包括：在硅基氮化镓晶圆上表面制备电极场板区；在硅基氮化镓晶圆上表面和硅晶圆上表面溅射第一金属层，并进行预键合；将载体与硅...
- 周国武毅畅付兴中廖龙忠秦龙宋洁晶冯立东宋红伟张力江崔玉兴
- 硅基GaN单片功率集成电路的研制
- 2024年
- 研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。
- 吕树海谭永亮默江辉周国付兴中
- 关键词：硅基GAN
- 一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术
- 2023年
- 随着电子系统对多功能、小型化要求的不断提高,将数字控制电路、移相器、低噪声放大器等砷化镓微波集成电路(MMICs)进行3D集成是解决问题的方向。为此,设计具有数百个互连点的孔链测试结构模拟上下两层电路互连,采用砷化镓穿孔技术将正面互连压点转移到背面,研究适用砷化镓薄片的晶圆级键合技术,开发出两片式砷化镓面对背的晶圆级堆叠工艺技术,堆叠成品率达到90%以上。利用这项工艺,将砷化镓数字电路堆叠到低噪声放大器芯片上,形成了Ka波段幅相多功能电路,测试在32~38 GHz频段内,接收端增益大于21.5 dB,噪声小于4 dB,移相精度小于4°;发射端增益大于23 dB,输出功率大于25 dBm(输入功率10 dBm),移相精度小于4°。
- 廖龙忠周国毕胜赢付兴中张力江
- 关键词：3D集成
- 实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，该方法包括：将seal ring结构的两圆片进行键合，即将两圆片的信号连接压点、接地孔压点和seal ring压点分别对应键合...
- 廖龙忠周国赵红刚樊帆李波崔玉兴
- 文献传递
- 太赫兹InP DHBT器件研究
- 2022年
- InP DHBT器件具有优异的高频特性、良好的散热、击穿和噪声性能,是实现超高频、低噪声功率放大电路设计的最具性能优势的器件之一。文中简要介绍和分析了影响高频器件电性能参数的主要因素,优化了材料结构和版图设计,最终采用三台面湿法化学腐蚀工艺、自终止工艺、自对准光刻工艺和空气桥工艺等加工工艺研制得到发射极线宽0.7μm的InP DHBT器件,并配套集成了平行板电容和金属薄膜电阻,片内器件一致性良好。不断缩小器件基区台面面积,器件电性能最终实现:最大直流增益β为30,10μA下的集电极-发射极击穿电压BV_(CEO)为3.2 V,截止频率f(fr)为358 GHz,最大振荡频率f(fmax)为407 GHz。测试结果表明,该器件可应用于220 GHz放大器、100 GHz以下压控振荡器等数模混合集成电路。
- 陈卓何庆国崔雍周国
- 关键词：高频器件空气桥
- 氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件
- 本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第...
- 吕元杰王元刚周国刘方罡戴剑周幸叶王磊宋学峰崔玉兴卜爱民冯志红
- InP HEMT空腔栅结构器件制备及性能
- 2022年
- InP HEMT具有优异的高频特性以及良好的散热、击穿和噪声性能,已成为太赫兹应用领域的重要器件之一。工程化应用要求器件具有厚的钝化保护层,厚钝化层又导致器件频率特性变差。针对这一问题,在自主的工艺线上制备了源漏间距2.5μm、栅长100 nm的T型栅InP基InAlAs/InGaAs HEMT。通过采用高In组分的InGaAs沟道层提升了该层的载流子迁移率和器件的直流跨导,最大直流跨导为1700 mS/mm;通过制作空腔结构解决了厚钝化层带来的栅寄生电容大的问题,器件频率特性有很大提升,截止频率为300 GHz,最大振荡频率为700 GHz。微波测试结果表明,该器件在加厚钝化保护层后依然保持了良好的频率特性,可用于220 GHz放大器工程化应用领域。
- 周国毕胜赢陈卓张力江
- 关键词：空腔太赫兹寄生电容
